太空设备用单片集成电路筛选方案研究

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作者 武荣荣 任翔 +2 位作者 曹阳 庞明奇 刘净月 《现代电子技术》 北大核心 2024年第10期101-106,共6页

随着太空研究进程不断加速,空天优势已经成为现代竞争中取胜的重要环节。如果偶然失效或者有质量隐患的元器件上装应用,会导致太空设备整机早期故障率大大增加。装备对太空设备用元器件的质量与可靠性提出了战略需求。文中基于太空设备... 随着太空研究进程不断加速,空天优势已经成为现代竞争中取胜的重要环节。如果偶然失效或者有质量隐患的元器件上装应用,会导致太空设备整机早期故障率大大增加。装备对太空设备用元器件的质量与可靠性提出了战略需求。文中基于太空设备的典型应用环境,在充分调研国内外元器件标准体系及质量控制模式的基础上,利用FMEA技术分析元器件的敏感因素。基于薄弱环节建立分级分类的筛选方案,支撑太空设备用元器件可靠性保证工作,避免早期失效或有质量隐患的元器件上装应用,满足太空设备对元器件质量、成本及研制周期的要求,助力空天装备快速、高质量和可持续发展。 展开更多

关键词 太空设备 单片集成电路 元器件 可靠性评价 FMEA技术 温度传感器

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基于GaN TMIC集成片上天线技术的太赫兹功率放大器（英文）

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作者 王旭东 吕昕 +4 位作者 郭大路 李明迅 程功 刘嘉山 于伟华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期683-689,共7页

介绍了一种由矩形微带贴片天线和功率放大器一体化集成设计的发射类型单片太赫兹集成电路.该电路采用GaN HEMT工艺制备,实现了高功率密度和高效集成.片上天线被设计为功率放大器输出端接的功率辐射器和频率相关的输出负载调谐器.采用负... 介绍了一种由矩形微带贴片天线和功率放大器一体化集成设计的发射类型单片太赫兹集成电路.该电路采用GaN HEMT工艺制备,实现了高功率密度和高效集成.片上天线被设计为功率放大器输出端接的功率辐射器和频率相关的输出负载调谐器.采用负载牵引技术实现了放大器与天线之间良好的阻抗匹配.在100~110 GHz的频带范围内,功率放大器的平均输出功率为25.2 dBm,平均功率附加效率(PAE)为5.83%,单片太赫兹集成电路具有良好的辐射特性,芯片的10 dB带宽为1.5 GHz,在109 GHz估算的等效各向同性辐射功率(EIRP)为25.5 dBm. 展开更多

关键词 单片太赫兹集成电路技术 氮化镓高电子迁移率晶体管 有源集成天线 辐射方向图

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太赫兹片上集成天线过渡

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作者 杜泽 李虎 +2 位作者 段植与 王怀北 詹铭周 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期175-177,共3页

本研究提出了一种太赫兹(THz)波段低损耗、低成本片上集成天线过渡模型。基于具有较高电阻率的磷化铟(InP)材料,选择半波偶极子结构设计集成天线,并采用E面被打开的矩形波导设计狭缝宽1.07mm的过渡结构。测试结果表明,背靠背片上集成偶... 本研究提出了一种太赫兹(THz)波段低损耗、低成本片上集成天线过渡模型。基于具有较高电阻率的磷化铟(InP)材料,选择半波偶极子结构设计集成天线,并采用E面被打开的矩形波导设计狭缝宽1.07mm的过渡结构。测试结果表明,背靠背片上集成偶极子天线过渡模型在214GHz~240GHz的范围内,回波损耗优于9dB,插入损耗优于4dB,扣除片上微带线损耗和两段金属连接波导的损耗后,单个片上偶极子天线过渡实测的过渡损耗小于1 dB。片上集成天线结构实现了波导与微带线的高效过渡,验证表明该模型过渡性能较为稳定,为应对太赫兹波段中的过渡挑战提供一种解决思路。 展开更多

关键词 太赫兹 片上集成天线 太赫兹单片集成电路 磷化铟

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基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计

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作者 何锐聪 王亚冰 +1 位作者 何美林 胡志富 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期151-157,共7页

基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号... 基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号低损耗带通传输的同时缩小了芯片尺寸。测试结果表明混频器在175~205 GHz频率范围内,单边带(SSB)变频损耗小于15 dB,典型值14 dB。混频器中频频带为DC~25 GHz,射频端口对本振二次谐波信号的隔离度大于20 dB。芯片尺寸为1.40 mm×0.97 mm,能够与相同工艺的功率放大器、低噪声放大器实现片上集成,从而满足太赫兹通信等不同领域的应用需求。 展开更多

关键词 INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路 分谐波混频器 带通滤波器 Marchand巴伦

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330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器 被引量：3

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作者 刘戈 张波 +3 位作者 张立森 王俊龙 邢东 樊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期252-256,共5页

在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电... 在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器.实测结果显示在5 mW本振功率的驱动下,在328 GHz可得到最小变频损耗10.4 dB,在320~340 GHz范围内,单边带变频损耗小于14.7 dB. 展开更多

关键词 太赫兹 单片集成分谐波混频器 肖特基二极管 砷化镓 变频损耗

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用于超外差接收机提供本振源的高功率510GHz单片集成三倍频器 被引量：1

6

作者 何月 田遥岭 +3 位作者 周人 蒋均 林长星 苏伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期863-870,共8页

本文介绍了一种基于砷化镓材料的高功率490~530 GHz单片集成三倍频器。基于提出的对称平衡结构,该三倍频器不仅可以实现良好的振幅和相位平衡,用来实现高效的功率合成,还可以在没有任何旁路电容的情况下提供直流偏置路径以保证高效倍频... 本文介绍了一种基于砷化镓材料的高功率490~530 GHz单片集成三倍频器。基于提出的对称平衡结构,该三倍频器不仅可以实现良好的振幅和相位平衡,用来实现高效的功率合成,还可以在没有任何旁路电容的情况下提供直流偏置路径以保证高效倍频效率。同时,开展容差性仿真分析二极管关键电气参数与结构参数对倍频性能的影响研究,以便最大化提升倍频性能。最终,在大约80~200 mW的输入功率驱动下,研制的510 GHz三倍频,在490~530 GHz频率范围内,输出功率为4~16 mW,其中峰值倍频效率11%。在522 GHz频点处,该三倍频在218 mW的输入功率驱动下,产生16 mW的最大输出功率。该三倍频器后期将用于1 THz的固态外超外差混频器的本振源。 展开更多

关键词 电子技术 太赫兹倍频器 单片集成电路 肖特基二极管 本振源

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基片集成波导技术:最新的发展及未来的展望(英文) 被引量：3

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作者 塔利克·吉纳菲 吴柯 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期171-192,共22页

回顾了基片集成波导技术(SIW)最新的发展动态。到目前为止,所报道的各种各样基于基片集成波导技术的无源和有源元器件已经证明,它们能够被有效地集成为低成本基片片载系统(SoS),为封装系统提供了完整的解决方案。讨论了不同的创新型基... 回顾了基片集成波导技术(SIW)最新的发展动态。到目前为止,所报道的各种各样基于基片集成波导技术的无源和有源元器件已经证明,它们能够被有效地集成为低成本基片片载系统(SoS),为封装系统提供了完整的解决方案。讨论了不同的创新型基片集成波导的波束形成技术,展望了未来的发展方向,提出了将基片集成电路扩展到三维空间以及在相同的基片构建模块上将不同的波导结构进行混合集成的思想,描述了用于毫米波和太赫兹应用的基片集成波导技术其它的发展趋势,这包括非线性和有源波导的开发以及基于CMOS技术的波导合成。 展开更多

关键词 毫米波 基片集成电路(SICs) 基片集成波导(SIW) 基片片载系统(SoS) 太赫兹

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0.825 THz砷化镓单片集成二次谐波混频器(英文) 被引量：2

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作者 刘锶钰 张德海 +4 位作者 孟进 纪广玉 朱皓天 侯晓翔 张青峰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期749-753,共5页

基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性... 基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性更适用于太赫兹频段器件的设计。梁氏引线形式电路设计既可以降低介质基板带来的损耗,减小安装的位置偏移。实测结果表明,0.825 THz单片混频器最佳单边带的插损值为28 dB,0.81到0.84 THz频率范围内插损小于33 dB。 展开更多

关键词 反向并联肖特基二极管 插入损耗 集成单片电路 太赫兹混频器

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片上自卷曲太赫兹三维螺旋阵列天线仿真设计 被引量：3

9

作者 何晴 黄文 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期302-305,共4页

当前片上天线的结构形式均局限在二维或二维半的空间内,衬底引入的寄生效应严重,天线的增益和效率相对较低。为了解决上述问题,本文提出一种基于氮化硅(SiNx)自卷曲薄膜(S-RuM)纳米技术的片上太赫兹螺旋阵列天线的加工和设计方法。通过... 当前片上天线的结构形式均局限在二维或二维半的空间内,衬底引入的寄生效应严重,天线的增益和效率相对较低。为了解决上述问题,本文提出一种基于氮化硅(SiNx)自卷曲薄膜(S-RuM)纳米技术的片上太赫兹螺旋阵列天线的加工和设计方法。通过对SiNx自卷曲薄膜结构的设计,实现了对三维螺旋结构的内直径、螺距和匝数等特征参数的精确控制,并且其制造工艺与常规半导体工艺完全兼容。HFSS有限元仿真结果表明具有反射环结构的5匝单螺旋天线的相对带宽为9%,增益可达到9.8dB@0.3THz,半功率波束宽度为45°;2×1阵列的增益可达到12.3dB。 展开更多

关键词 自卷曲薄膜技术 太赫兹天线 片上螺旋天线

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肖特基二极管太赫兹混频器研究进展 被引量：7

10

作者 何婷婷 李少甫 +2 位作者 Nahid-Al Mahmud 马得原 唐家轩 《传感器与微系统》 CSCD 2020年第5期4-6,10,共4页

太赫兹混频器是太赫兹应用邻域中十分重要的一种器件,通常它将太赫兹高频段信号下变频到低频段实现频谱下搬移,或将低频段信号上变频到高频段实现频谱上搬移。肖特基二极管太赫兹混频器是混频器中一种重要的类型,研究该类混频器对于推... 太赫兹混频器是太赫兹应用邻域中十分重要的一种器件,通常它将太赫兹高频段信号下变频到低频段实现频谱下搬移,或将低频段信号上变频到高频段实现频谱上搬移。肖特基二极管太赫兹混频器是混频器中一种重要的类型,研究该类混频器对于推动太赫兹技术及太赫兹混频器的发展具有潜在价值。重点介绍了肖特基二极管发展现状及肖特基二极管太赫兹混频器的研究进展,归纳了该类器件常用的应用场景,并总结了其研究难点和未来发展方向。 展开更多

关键词 太赫兹 谐波混频器 肖特基二极管 单片集成

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用单平面技术设计5.8GHz的双相调制器/混频器

11

作者 周霞 颜新 李英 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期137-141,共5页

根据单平面技术将多功能子系统分为基本块和简单电路模型的设计方法 ,用于设计单平面的双相调制器 /混频器 .主要用于智能交通收费系统的微波非接触式ID卡中 ,其工作频率为 5 8GHz.采用电磁场计算与传统传输线及计算机辅助设计相结合... 根据单平面技术将多功能子系统分为基本块和简单电路模型的设计方法 ,用于设计单平面的双相调制器 /混频器 .主要用于智能交通收费系统的微波非接触式ID卡中 ,其工作频率为 5 8GHz.采用电磁场计算与传统传输线及计算机辅助设计相结合的方法分析设计了该子系统的主要部件 ,使其具有尺寸小、集成度高、结构紧凑、性能好、成本低。 展开更多

关键词 设计 单片集成电路 单平面技术 共面波导 CPW 双相调制器/混频器

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企业的多层次技术选择 被引量：4

12

作者 李纪珍 《科学管理研究》 CSSCI 北大核心 1999年第6期22-24,共3页

关键词 技术选择 层次技术 可接受性 产业定位 产业壁垒 市场定位 技术应用 技术先进性 单片集成电路 社会效益

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雷达低角跟踪技术研究 被引量：11

13

作者 张小红 杨敏 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2004年第11期8-11,共4页

随着飞行器技术突飞猛进的发展,其目标特性具有低空发现距离近;信噪比低;速度快,亚音速飞行等特点。雷达由于多路径效应的影响,很难迅速、准确的搜索、捕获、跟踪低空目标。为了有效地解决雷达的低角跟踪问题,本文对国内外低角跟踪雷达... 随着飞行器技术突飞猛进的发展,其目标特性具有低空发现距离近;信噪比低;速度快,亚音速飞行等特点。雷达由于多路径效应的影响,很难迅速、准确的搜索、捕获、跟踪低空目标。为了有效地解决雷达的低角跟踪问题,本文对国内外低角跟踪雷达研究现状及发展趋势进行了介绍,分析了一些主要的雷达低角跟踪技术。另外,基于毫米波材料研究的突破和制造工艺的成熟,通过介绍复合型毫米波器件和毫米波单片集成电路,重点阐述了毫米波技术在低角跟踪技术中的应用。 展开更多

关键词 跟踪雷达 跟踪技术 低空目标 毫米波技术 目标特性 单片集成电路 信噪比 搜索 跟踪问题 器件

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电子科学技术研究院科研情况介绍

14

《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期101-,共1页

电子科学技术研究院现已拥有具备国际先进水平的低温共烧陶瓷(LTCC)技术生产线、微波毫米波组件生产线和整机装配线,产品涉及领域包括LTCC材料与器件技术、铁氧体材料与器件技术、微波毫米波电路与器件、微波毫米波单片集成电路、数字/... 电子科学技术研究院现已拥有具备国际先进水平的低温共烧陶瓷(LTCC)技术生产线、微波毫米波组件生产线和整机装配线,产品涉及领域包括LTCC材料与器件技术、铁氧体材料与器件技术、微波毫米波电路与器件、微波毫米波单片集成电路、数字/数模混合集成电路设计、片上系统(SOC)设计、航电系统与技术、机载电子信息系统、 展开更多

关键词 毫米波单片集成电路 微波 组件 SOC 电磁波 科学技术研究院 机载电子信息系统 器件技术 轻子 电子

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微波技术的现状和发展趋势——1987年IEEE MTT—S国际微波会议情况介绍

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作者 王蕴仪 《微波学报》 1987年第3期63-65,共3页

1987年IEEE MTT-S国际微波会议于1987年6月9日至12日在美国Las Vegas举行。同时联合召开的还有微波及毫米单片集成电路(MMIC)会议。这次会议共有18个国家的代表参加,宣读论文222篇。有200余家公司参加展览。是一次规模宏大,反映国际最... 1987年IEEE MTT-S国际微波会议于1987年6月9日至12日在美国Las Vegas举行。同时联合召开的还有微波及毫米单片集成电路(MMIC)会议。这次会议共有18个国家的代表参加,宣读论文222篇。有200余家公司参加展览。是一次规模宏大,反映国际最高水平的会议。我国有八名代表参加会议(此外尚有数名在国外的留学生),宣读论文11篇。与以往几年比较,这次被录用的论文数大大增加了(1985年为4篇,1986年为6篇)。根据这次会议宣读的论文,专题讨论会的内容以及展览会的情况。 展开更多

关键词 毫米波单片集成电路 微波技术 电子技术 IEEE MTT 噪声系数 会议 工作频率 FET MMIC HEMT MTT

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带有四次谐波回路的110GHz二倍频器

16

作者 刘志成 周静涛 +3 位作者 王晓宇 柴凯龙 金智 贾锐 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期105-108,共4页

在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CS... 在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CSMRs滤波器替代了传统的高低阻抗滤波器,同时引入波导谐振腔用来调节四次谐波回路的相位。测试结果表明,在120mW的输入功率下,倍频器在111.5GHz处达到最大输出功率20.86mW,对应的效率为17.4%,在107.5-113GHz内的范围内,输出功率大于4mW。 展开更多

关键词 二倍频器 谐波回收 单片集成 肖特基二极管 太赫兹电路

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W及以上波段MMIC放大器的研究进展 被引量：9

17

作者 李和委 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期626-630,共5页

在阐述W及以上波段MMIC放大器性能的基础上,回顾了以InP HEMT MMIC放大器为主流技术的W及以上波段MMIC放大器的研究进展,介绍了基于InP HBT、GaAs MHEMT和Sb HEMT的MMIC放大器的研制水平,指出目前研制的W及以上波段MMIC放大器的应用领域... 在阐述W及以上波段MMIC放大器性能的基础上,回顾了以InP HEMT MMIC放大器为主流技术的W及以上波段MMIC放大器的研究进展,介绍了基于InP HBT、GaAs MHEMT和Sb HEMT的MMIC放大器的研制水平,指出目前研制的W及以上波段MMIC放大器的应用领域,突显其在MMIC高端技术领域的重要性。针对欧美国家在该领域飞速发展而我国处于相对劣势的现状,对我国研发W及以上波段MMIC放大器提出初步建议。 展开更多

关键词 太赫兹 微波单片集成电路 放大器 高电子迁移率晶体管 磷化铟 锑

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基于薄膜工艺的1030GHz混频器和750~1100GHz倍频器研制 被引量：2

18

作者 孟进 张德海 +5 位作者 牛斌 朱皓天 刘锶钰 范道雨 陈胜堂 周明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期871-878,共8页

基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反... 基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1020~1044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。 展开更多

关键词 太赫兹 单片电路 谐波混频器 宽带倍频

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具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计 被引量：2

19

作者 余巨臣 彭龙新 +4 位作者 刘昊 凌志健 贾晨阳 闫俊达 刘飞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期493-497,共5页

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比。未单独设计滤波器,而是在LNA的匹配网络中加入滤波支路,且分散置于各级匹配网络中,以减小噪声损耗。LNA为三级级联结构,采用单电源和电流复用结构,以实现较小的电流和功耗。测试结果表明,该MMIC在27.5~31 GHz内增益大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB,1 dB压缩点输出功率大于5.5 dBm,在17.6~20.6 GHz内带外抑制比小于-50 dBc,可以承受20 W的脉冲输入功率。 展开更多

关键词 滤波器 限幅器 低噪声放大器(LNA) 电流复用技术 单片微波集成电路(MMIC)

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具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器 被引量：4

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作者 曾志 李远鹏 陈长友 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期36-40,共5页

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和较好的带外抑制特性;LNA采用单电源和电流复用结构,实现较高的增益和较低的功耗。测试结果表明,该MMIC芯片在30~34 GHz频带内,增益大于28 dB,噪声系数小于2.8 dB,功耗小于60 mW,在17~19 GHz频带内带外抑制比小于-35 dBc。芯片尺寸为2.40 mm×1.00 mm。该LNA MMIC可应用于毫米波T/R系统中。 展开更多

关键词 低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 带外抑制 电流复用技术

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