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Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器
被引量：
1
1
作者
王维波
王志功
+3 位作者
张斌
康耀辉
吴礼群
杨乃彬
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期352-355,共4页
报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39...
报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。
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关键词
砷化镓
变性高电子迁移率晶体管
单片压控振荡器
相位噪声
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职称材料
题名
Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器
被引量：
1
1
作者
王维波
王志功
张斌
康耀辉
吴礼群
杨乃彬
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
单片集成电路与模块国家重点实验室
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期352-355,共4页
文摘
报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。
关键词
砷化镓
变性高电子迁移率晶体管
单片压控振荡器
相位噪声
Keywords
GaAs
MHEMT
VCO MMIC
phase noise
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN752.5 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器
王维波
王志功
张斌
康耀辉
吴礼群
杨乃彬
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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