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应用于塑料光纤通信接收芯片的集成光电探测器(英文)
被引量：
4
1
作者
史晓凤
程翔
+3 位作者
陈朝
颜黄苹
范程程
李继芳
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期32-37,共6页
基于0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器,包括传统的P+/N-EPI/BN+结构光电探测器和多叉指P+/N-EPI/BN+结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和...
基于0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器,包括传统的P+/N-EPI/BN+结构光电探测器和多叉指P+/N-EPI/BN+结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和性能,测试结果表明:多叉指状P+/NEPI/BN+光电探测器能够改善650nm的响应度以及降低结电容.选择该结构大面积P+/N-EPI/BN+光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器的单片集成,采用0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺实现了一个用于650nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.该光接收芯片的测试结果表明:对650nm的入射光,在160 Mb/s速率的伪随机二进制序列以及小于10-9的误码率条件下,光接收芯片的灵敏度为-15dBm,并能得到清晰的眼图.因此,本文设计的光电探测器可以很好地应用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中.
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关键词
塑料光纤通信
光接收芯
片
单片光电集成
光电
探测器
硅基
多叉指P^+
N—EPI
BN^+
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职称材料
PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成
被引量：
3
2
作者
王宁
赵柏秦
+1 位作者
王帅
王震
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2021年第9期299-304,共6页
设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420μm左右。PIN探测器的光敏面采用环形Al电极将光电流信号引出,通过在波长为860 nm的恒定激光光源下进行测试,其响应度为0.6 A/W。提...
设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420μm左右。PIN探测器的光敏面采用环形Al电极将光电流信号引出,通过在波长为860 nm的恒定激光光源下进行测试,其响应度为0.6 A/W。提出了一种全新的光电单片集成的可行性方法,即利用PIN探测器非光照区的本征Ⅰ层面积,设计了一种与PIN探测器结构和工艺兼容的跨阻放大器,在保证了PIN探测器结构和性能没有发生改变的前提下,实现了PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成。最后在波长为860 nm、脉冲宽度为100 ns、工作频率为10 kHz的实际脉冲激光信号下对流片成功的PIN探测器和光电单片集成芯片的脉冲响应进行了对比测试。结果表明:在脉冲宽度基本没有发生变化的同时,光电单片集成芯片的脉冲电压信号相比于PIN探测器的脉冲光电流信号放大了1 000倍,放大倍数和理论的跨阻阻值1 000Ω一致。该集成光电芯片应用在激光引信系统的激光接收模块中,通过光电单片集成可以提高PIN探测器上输出端信号的信噪比,增强系统的稳定性,同时也可以满足激光引信系统小型化发展的需要。
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关键词
光电
单
片
集成
PIN探测器
横向NPN三极管
跨阻放大器
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职称材料
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
被引量：
1
3
作者
张晓丹
赵杰
+1 位作者
王永晨
金鹏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期119-123,共5页
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快...
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
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关键词
无杂质空位诱导无序
光荧光谱
光调制反射谱
铟镓砷磷化合物
磷化铟
多量子阱结构
单
片
集成
光电
器件
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职称材料
题名
应用于塑料光纤通信接收芯片的集成光电探测器(英文)
被引量：
4
1
作者
史晓凤
程翔
陈朝
颜黄苹
范程程
李继芳
机构
厦门大学物理与机电工程学院
厦门大学能源研究院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期32-37,共6页
基金
The National Natural Science Foundation of China(No.61205060)
the Natural Science Foundation of Fujian Province of China(No.2011J01361)
the Key Project of Science and Technology of Fujian Province of China(No.2013H0047)
文摘
基于0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器,包括传统的P+/N-EPI/BN+结构光电探测器和多叉指P+/N-EPI/BN+结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和性能,测试结果表明:多叉指状P+/NEPI/BN+光电探测器能够改善650nm的响应度以及降低结电容.选择该结构大面积P+/N-EPI/BN+光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器的单片集成,采用0.5μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺实现了一个用于650nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.该光接收芯片的测试结果表明:对650nm的入射光,在160 Mb/s速率的伪随机二进制序列以及小于10-9的误码率条件下,光接收芯片的灵敏度为-15dBm,并能得到清晰的眼图.因此,本文设计的光电探测器可以很好地应用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中.
关键词
塑料光纤通信
光接收芯
片
单片光电集成
光电
探测器
硅基
多叉指P^+
N—EPI
BN^+
Keywords
Plastic optical fibers communication
Optical receiver
Monolithic optoelectronics integrated circuit
Photodetector
Silicon-based
Multi-finger P^＋/N-EPI/BN^＋
分类号
TN491 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成
被引量：
3
2
作者
王宁
赵柏秦
王帅
王震
机构
中国科学院大学
中国科学院半导体研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2021年第9期299-304,共6页
文摘
设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420μm左右。PIN探测器的光敏面采用环形Al电极将光电流信号引出,通过在波长为860 nm的恒定激光光源下进行测试,其响应度为0.6 A/W。提出了一种全新的光电单片集成的可行性方法,即利用PIN探测器非光照区的本征Ⅰ层面积,设计了一种与PIN探测器结构和工艺兼容的跨阻放大器,在保证了PIN探测器结构和性能没有发生改变的前提下,实现了PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成。最后在波长为860 nm、脉冲宽度为100 ns、工作频率为10 kHz的实际脉冲激光信号下对流片成功的PIN探测器和光电单片集成芯片的脉冲响应进行了对比测试。结果表明:在脉冲宽度基本没有发生变化的同时,光电单片集成芯片的脉冲电压信号相比于PIN探测器的脉冲光电流信号放大了1 000倍,放大倍数和理论的跨阻阻值1 000Ω一致。该集成光电芯片应用在激光引信系统的激光接收模块中,通过光电单片集成可以提高PIN探测器上输出端信号的信噪比,增强系统的稳定性,同时也可以满足激光引信系统小型化发展的需要。
关键词
光电
单
片
集成
PIN探测器
横向NPN三极管
跨阻放大器
Keywords
photoelectric monolithic integration
PIN detector
horizontal NPN transistor
transimpedance amplifier
分类号
TN247 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
被引量：
1
3
作者
张晓丹
赵杰
王永晨
金鹏
机构
天津师范大学物理与电子信息学院
南开大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期119-123,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9886 0 0 1)
文摘
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
关键词
无杂质空位诱导无序
光荧光谱
光调制反射谱
铟镓砷磷化合物
磷化铟
多量子阱结构
单
片
集成
光电
器件
Keywords
impurity free vacancy disordering
photoluminescence
photoreflectance
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用于塑料光纤通信接收芯片的集成光电探测器(英文)
史晓凤
程翔
陈朝
颜黄苹
范程程
李继芳
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成
王宁
赵柏秦
王帅
王震
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2021
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
张晓丹
赵杰
王永晨
金鹏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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职称材料
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