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S波段单片低噪声放大器
被引量：
3
1
作者
彭龙新
李建平
+1 位作者
蒋幼泉
魏同立
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期5-9,共5页
S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行...
S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行了增益和相位的统计 .统计表明 :在S波段带宽 30 0MHz范围内 ,增益在 2 4 5～ 2 6dB范围内 ,相位线性度小于 1°,相位偏差± 7°,噪声系数最大 1 4dB ,输入输出驻波最大 1 4,1dB压缩输出功率大于 1 0 5dBm .另外 ,还对放大器进行了高温。
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关键词
赝配高电子迁移率晶体管
微波
单
片
集成电路
单片低噪声放大器
静电
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职称材料
宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿
被引量：
5
2
作者
Peng, Long-Xin
Yang, Nai-Bin
Lin, Jin-Ting
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期934-937,共4页
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理....
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃～＋85℃时和-55℃～＋125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能.
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关键词
赝配高电子迁移率晶体管
宽带
单片低噪声放大器
漏电流温度特性
增益温度特性
增益温度补偿
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职称材料
题名
S波段单片低噪声放大器
被引量：
3
1
作者
彭龙新
李建平
蒋幼泉
魏同立
机构
东南大学微电子中心
南京电子器件研究所
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期5-9,共5页
文摘
S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行了增益和相位的统计 .统计表明 :在S波段带宽 30 0MHz范围内 ,增益在 2 4 5～ 2 6dB范围内 ,相位线性度小于 1°,相位偏差± 7°,噪声系数最大 1 4dB ,输入输出驻波最大 1 4,1dB压缩输出功率大于 1 0 5dBm .另外 ,还对放大器进行了高温。
关键词
赝配高电子迁移率晶体管
微波
单
片
集成电路
单片低噪声放大器
静电
Keywords
pseudomophic high electron mobility transistor
microwave monolithic integrated circuit
low noise amplifier
electrostatic discharge
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿
被引量：
5
2
作者
Peng, Long-Xin
Yang, Nai-Bin
Lin, Jin-Ting
机构
Nanjing Electronics Devices Institute
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期934-937,共4页
文摘
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃～＋85℃时和-55℃～＋125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能.
关键词
赝配高电子迁移率晶体管
宽带
单片低噪声放大器
漏电流温度特性
增益温度特性
增益温度补偿
Keywords
pseudomophic high electron mobility transistor （PHEMT）
broadband monolithic amplifier
temper-ature dependence of drain current and gain
temperature compensation of gain
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
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1
S波段单片低噪声放大器
彭龙新
李建平
蒋幼泉
魏同立
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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职称材料
2
宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿
Peng, Long-Xin
Yang, Nai-Bin
Lin, Jin-Ting
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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