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沉积TiB_2薄膜的电极真空绝缘性能实验研究
1
作者
方仁昌
罗四维
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2001年第2期179-183,共5页
利用由一定结构的球面 (阴极 ) 平板 (阳极 )组成的真空间隙 ,模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用离子束辅助沉积 (IBAD)法 ,在阴极球面上沉积出高结合强度的晶化TiB2 薄膜。实验证明 :在高达 10 0 0℃的温度下 ,相比不锈钢材...
利用由一定结构的球面 (阴极 ) 平板 (阳极 )组成的真空间隙 ,模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用离子束辅助沉积 (IBAD)法 ,在阴极球面上沉积出高结合强度的晶化TiB2 薄膜。实验证明 :在高达 10 0 0℃的温度下 ,相比不锈钢材料 ,薄膜表面几乎不被氧化 ;在单次脉冲高压作用下和在经受数百次高能微粒子轰击后 ,仍呈现出弱放电特征 ,既提高了耐压能力 。
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关键词
微
放电
模拟
硼化钛薄膜
单次放电电流参数
离子束辅助沉积
电极
真空绝缘性
电真空器件
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职称材料
题名
沉积TiB_2薄膜的电极真空绝缘性能实验研究
1
作者
方仁昌
罗四维
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2001年第2期179-183,共5页
文摘
利用由一定结构的球面 (阴极 ) 平板 (阳极 )组成的真空间隙 ,模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用离子束辅助沉积 (IBAD)法 ,在阴极球面上沉积出高结合强度的晶化TiB2 薄膜。实验证明 :在高达 10 0 0℃的温度下 ,相比不锈钢材料 ,薄膜表面几乎不被氧化 ;在单次脉冲高压作用下和在经受数百次高能微粒子轰击后 ,仍呈现出弱放电特征 ,既提高了耐压能力 。
关键词
微
放电
模拟
硼化钛薄膜
单次放电电流参数
离子束辅助沉积
电极
真空绝缘性
电真空器件
Keywords
micro discharge simulation
improving of surface characteristics
current parameters of single discharging
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
沉积TiB_2薄膜的电极真空绝缘性能实验研究
方仁昌
罗四维
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2001
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