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高性能980nm单模半导体激光器被引量：3: 1; 作者李辉曲轶 +2 位作者高欣薄报学刘国军《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1110-1113,共4页; 采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以... 展开更多; 关键词光电子学与激光技术 980nm单模半导体激光器高功率低发散角; 在线阅读下载PDF 职称材料

1.3μm外腔粘接型窄线宽InGaAsP单模半导体激光器: 2; 作者许知止霍玉晶 +1 位作者陈家骅周炳琨《激光杂志》 CAS 1987年第1期59-62,共4页; 外腔半导体激光器具有一些令人瞩目的优点，其中最突出的是它可以提供线宽很窄的单模激光，而且价格低廉。这一特点暂时还不易被其它形式的半导体激光器（如单模的激光二极管，DFB半导体激光器）所取代，因而还有一定的发展前途，这也... 展开更多; 关键词单模半导体激光器外腔半导体激光器 INGAASP 窄线宽粘接型激光二极管单模激光研究机构 DFB; 在线阅读下载PDF 职称材料

单模AlGaAs／GaAs脊形波导量子阱半导体激光器被引量：2: 3; 作者曹三松《激光技术》 EI CAS CSCD 1996年第3期177-181,共5页; 本文报道用分子束外延设备研制梯度折射率分别限制式单量子阱ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ脊形波导半导体激光器。该激光器具有良好的性能，条宽５μｍ器件室温阈值电流２３ｍＡ，线性连续输出单模激光功率大于１５ｍＷ。; 关键词单模半导体激光器单量子阱脊形波导铝镓砷化合物砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高性能980nm单模半导体激光器	李辉曲轶高欣薄报学刘国军	《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	1.3μm外腔粘接型窄线宽InGaAsP单模半导体激光器	许知止霍玉晶陈家骅周炳琨	《激光杂志》 CAS	1987	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	单模AlGaAs／GaAs脊形波导量子阱半导体激光器	曹三松	《激光技术》 EI CAS CSCD	1996	2	在线阅读下载PDF 职称材料