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热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究
被引量：
6
1
作者
黄海宾
沈鸿烈
+2 位作者
唐正霞
吴天如
张磊
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期603-607,共5页
采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常...
采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220)。研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法。
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关键词
热丝CVD
低温外延
单晶si衬底
si
膜
Ge膜
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职称材料
题名
热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究
被引量：
6
1
作者
黄海宾
沈鸿烈
唐正霞
吴天如
张磊
机构
南京航空航天大学材料科学与技术学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期603-607,共5页
基金
国家"863"课题(2006AA03Z219)
文摘
采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220)。研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法。
关键词
热丝CVD
低温外延
单晶si衬底
si
膜
Ge膜
Keywords
hot-wire CVD
low temperature epitaxial technique
c-
si
substrate
si
film
Ge film
分类号
Q484 [生物学—生理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究
黄海宾
沈鸿烈
唐正霞
吴天如
张磊
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
6
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