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单晶硅衬底对Si-Al合金中块体硅生长的影响
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作者 张鸣 Benson Kihono Njuguna +1 位作者 谭毅 李佳艳 《热加工工艺》 北大核心 2022年第7期66-71,共6页
硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引入单晶硅衬底,研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及... 硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引入单晶硅衬底,研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及杂质分布的影响。结果表明,单晶硅衬底的添加降低了合金熔体的温度梯度,块体硅以平直界面向上生长,生长速率明显变慢。在温度梯度2.4 K/mm和生长时间240 min时,块体硅的生长速率由石墨坩埚上的0.108μm/s下降至Si(100)衬底上的0.075μm/s。在相同的温度梯度和生长时间内,块体硅在Si(100)衬底上的生长速率明显快于Si(111)衬底。单晶硅衬底在块体硅生长过程中起到籽晶的作用。 展开更多
关键词 Si-Al合金 单晶硅衬底 单晶硅
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SiO_2层对金刚石膜初期生长影响的研究
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作者 陈岩 陈启谨 +2 位作者 崔玉德 孙碧武 林彰达 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第6期396-400,共5页
用俄歇子能谱(AES)研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si,C,O元素浓度的深度分布。结果表明:在沉积过程中,随沉积时间增加时,基材表面C浓度增加,O浓度下降,但SiC过渡层的生长缓... 用俄歇子能谱(AES)研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si,C,O元素浓度的深度分布。结果表明:在沉积过程中,随沉积时间增加时,基材表面C浓度增加,O浓度下降,但SiC过渡层的生长缓慢。700℃沉积4h时仍无结构完整的SiC层生成,这是表面SiO2层阻碍了SiC的形成。分析了不经划痕处理的基材形核率低的原因。用高分辨电镜(HREM)观察了生长良好的金刚石膜的膜—基界面,发现没有SiO2层存在。 展开更多
关键词 表面结构 单晶硅衬底 生长速率 氧化硅
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半导体光学材料及制备
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《中国光学》 EI CAS 1996年第4期88-89,共2页
O472/TN304.055 96042716SnO<sub>2</sub>;Pd/Si新气敏特性的研究=Study of the newgas-sensibility of SnO<sub>2</sub>:Pd/Si to reducinggases[刊,中]/沈凯华,吴孙桃,许淑恋(厦门大学物理学系),朱文章(... O472/TN304.055 96042716SnO<sub>2</sub>;Pd/Si新气敏特性的研究=Study of the newgas-sensibility of SnO<sub>2</sub>:Pd/Si to reducinggases[刊,中]/沈凯华,吴孙桃,许淑恋(厦门大学物理学系),朱文章(集美航海学院物理教研室)∥厦门大学学报.自然科学版.—1996,35(2). 展开更多
关键词 半导体材料 光致发光光谱 多孔硅发光 外延层 气敏特性 制备 单晶硅衬底 中科院 大学物理学 双晶衍射
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