-
题名高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化
- 1
-
-
作者
闫萍
张殿朝
索开南
庞炳远
-
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1186-1189,1221,共5页
-
文摘
在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命的径向分布规律虽然会有所不同,但对少子寿命径向均匀性的影响却几乎可以忽略。而在真空环境、不同工艺参数下生长的单晶,其少子寿命的径向分布及均匀性的变化则十分的明显,还会经常看到中心少子寿命400~500μs、边缘区域少子寿命高于1 000μs的单晶。本文在单晶生长试验的基础上,通过对产生这种现象的原因进行分析,确定了采用适当地降低晶体生长速率、提高加热功率的方法,可以使高阻真空区熔硅单晶中心区域的少子寿命的提高,并使其径向分布变均匀。
-
关键词
高阻
区熔硅
少子寿命
单晶生成
径向不均匀性
-
Keywords
higher resistivity
FZ-Si
minority carrier lifetime
monocrystal growth
radio unifermity
-
分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
-
