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单晶氮化镓纳米压痕与划痕实验被引量：6: 1; 作者张先源《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1028-1034,共7页; 为分析单晶氮化镓的微观变形机理,使用纳米压痕仪对单晶氮化镓进行压痕与划痕实验。结果表明单晶氮化镓压痕过程存在弹塑转变过程即“pop-in”现象,分析得出此现象是由材料的位错萌生和扩展导致,压痕周围产生凸起现象导致计算硬度和弹... 展开更多; 关键词纳米压痕单晶氮化镓变形机理脆塑转变; 在线阅读下载PDF 职称材料

金刚石纳米切削单晶GaN的刀具角度影响研究: 2; 作者王永强夏昊 +2 位作者胡志航张帅阳尹韶辉《金刚石与磨料磨具工程》北大核心 2025年第3期352-365,共14页; 为探究刀具角度对单晶氮化镓(GaN)切削诱导变形行为的影响,对金刚石纳米切削单晶GaN进行分子动力学模拟,并开展实验验证。结果表明:较大的正前角和较小的负前角可强化剪切作用,有利于切屑成形,减少原子侧向流动;而较大的负前角则会加深... 展开更多; 关键词单晶氮化镓金刚石刀具纳米切削分子动力学刀具角度变形; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化镓单晶的液相生长被引量：1: 3; 作者任国强刘宗亮 +1 位作者李腾坤徐科《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期2024-2037,共14页; 氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料。除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化合物化学... 展开更多; 关键词氮化镓单晶液相法氨热法助熔剂法; 在线阅读下载PDF 职称材料

氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究被引量：2: 4; 作者夏政辉李腾坤 +6 位作者任国强解凯贺卢文浩李韶哲郑树楠高晓冬徐科《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期480-486,共7页; 氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用... 展开更多; 关键词氮化镓单晶氨热法侧向生长位错密度腐蚀坑; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展被引量：1: 5; 作者王本发王守志 +6 位作者王国栋俞娇仙刘磊李秋波武玉珠徐现刚张雷《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期183-195,共13页; 宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN... 展开更多; 关键词氮化镓单晶钠助熔剂法原料比温度梯度添加剂籽晶; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单晶氮化镓纳米压痕与划痕实验被引量：6: 1; 作者张先源; 机构长沙理工大学汽车与机械工程学院; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1028-1034,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(51405034)。; 文摘为分析单晶氮化镓的微观变形机理,使用纳米压痕仪对单晶氮化镓进行压痕与划痕实验。结果表明单晶氮化镓压痕过程存在弹塑转变过程即“pop-in”现象,分析得出此现象是由材料的位错萌生和扩展导致,压痕周围产生凸起现象导致计算硬度和弹性模量偏大,通过模型修正得到更真实的硬度和弹性模量数据。单晶氮化镓的变载划痕过程发生弹塑转变和脆塑转变,弹塑变形阶段深度-位移曲线波动平稳,表面光滑;而脆性阶段曲线波动幅度较大,表面产生侧向裂纹且朝着划痕方向45°对称分布。得到弹塑转变的临界载荷为389mN,脆塑转变临界载荷为1227mN,因此单晶氮化镓塑性加工区域应在389~1227mN之间,该区域内易加工出光滑表面。通过不同载荷划痕实验,发现划痕压头所受的切削力和摩擦系数随划痕载荷的增大而增大,因此氮化镓加工时应选择合理的加工载荷。; 关键词纳米压痕单晶氮化镓变形机理脆塑转变; Keywords Nanoindentation Single crystal GaN Deformation mechanism Brittle-plastic transition; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金刚石纳米切削单晶GaN的刀具角度影响研究: 2; 作者王永强夏昊胡志航张帅阳尹韶辉; 机构南华大学机械工程学院湖南工学院智能制造与机械工程学院湖南大学机械与运载工程学院; 出处《金刚石与磨料磨具工程》北大核心 2025年第3期352-365,共14页; 基金国家自然科学基金面上项目(52475451) 湖南省自然科学基金重大项目(2021JC0005) +1 种基金湖南省大学生创新训练项目(S202411528187)。; 文摘为探究刀具角度对单晶氮化镓(GaN)切削诱导变形行为的影响,对金刚石纳米切削单晶GaN进行分子动力学模拟,并开展实验验证。结果表明:较大的正前角和较小的负前角可强化剪切作用,有利于切屑成形,减少原子侧向流动;而较大的负前角则会加深亚表层损伤。通过位错提取算法(DXA)和晶体结构识别算法(IDS)结合应力应变分析发现,较大的负前角和负后角可引起应力和温度升高,促进位错形核和相变,加剧非晶化。正前角和正后角切削可缓解亚表层损伤,促进去除,更有利于获得优质低损表面。; 关键词单晶氮化镓金刚石刀具纳米切削分子动力学刀具角度变形; Keywords single crystal GaN diamond cutter nano-cutting molecular dynamics tool angle deformation; 分类号 TG73 [金属学及工艺—刀具与模具]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化镓单晶的液相生长被引量：1: 3; 作者任国强刘宗亮李腾坤徐科; 机构中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技股份有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期2024-2037,共14页; 基金国家自然科学基金(61574162,61604169) 国家重点研发计划(2017YFB0404100)。; 文摘氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料。除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)、MBE(分子束外延))生长GaN单晶外,液相法(包括氨热法和助熔剂法)近几年在制备GaN单晶方面取得了较大的进展。本文介绍了氨热法和助熔剂法的生长原理、装备特点及生长习性;综述了两种液相生长方法的研究历程及研究进展,并对液相法生长GaN单晶的发展趋势及主要挑战进行了展望。; 关键词氮化镓单晶液相法氨热法助熔剂法; Keywords GaN single crystal liquid phase method ammonothermal method flux method; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究被引量：2: 4; 作者夏政辉李腾坤任国强解凯贺卢文浩李韶哲郑树楠高晓冬徐科; 机构中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国科学技术大学纳米科学与技术学院苏州纳维科技有限公司江苏第三代半导体研究院; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期480-486,共7页; 基金国家重点研发计划(2021YFB3602000,2022YFB3605202) 国家自然科学基金(62074157,62104246) 江苏省重点研发计划(BE2021008)。; 文摘氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用氨热法生长了氮化镓单晶,利用扫描电子显微镜(SEM),光学显微镜和湿法腐蚀研究了氨热法氮化镓单晶籽晶区至侧向生长区的位错演变。研究结果表明,侧向生长区的氮化镓单晶位错密度明显低于籽晶区,侧向生长超过25μm后,位错密度降低2个数量级。; 关键词氮化镓单晶氨热法侧向生长位错密度腐蚀坑; Keywords GaN single crystal ammonothermal method lateral growth dislocation density etch pit; 分类号 O77 [理学—晶体学] O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展被引量：1: 5; 作者王本发王守志王国栋俞娇仙刘磊李秋波武玉珠徐现刚张雷; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室齐鲁工业大学(山东省科学院); 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期183-195,共13页; 基金国家自然科学基金(52202265,51872164)。; 文摘宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN单晶生长方法。钠助熔剂法自20世纪90年代末期被发明以来,经过20多年的发展,钠助熔剂法生长的晶体在尺寸与质量上都取得了长足的进步。本文从晶体生长原理和关键工艺(籽晶选择、温度梯度以及添加剂)等方面综述了钠助熔剂法生长GaN单晶研究进展,并对其面临的挑战和未来发展趋势进行了展望。; 关键词氮化镓单晶钠助熔剂法原料比温度梯度添加剂籽晶; Keywords gallium nitride single crystal sodium flux method raw material ratio temperature gradient additive seed crystal; 分类号 O782 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	单晶氮化镓纳米压痕与划痕实验	张先源	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2021	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	金刚石纳米切削单晶GaN的刀具角度影响研究	王永强夏昊胡志航张帅阳尹韶辉	《金刚石与磨料磨具工程》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氮化镓单晶的液相生长	任国强刘宗亮李腾坤徐科	《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究	夏政辉李腾坤任国强解凯贺卢文浩李韶哲郑树楠高晓冬徐科	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展	王本发王守志王国栋俞娇仙刘磊李秋波武玉珠徐现刚张雷	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料