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垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体
被引量：
2
1
作者
赵欣
金应荣
朱兴华
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期428-431,共4页
碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种...
碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种不同颜色的PbI2单晶体.研究表明:晶体生长工艺参数对晶体的质量有重要影响,适当调整温度场和安瓿在生长炉中的位置,可有效地避免或减轻晶体富碘现象,从而生长出优质的黄色PbI2单晶体.
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关键词
碘化铅
气相输运法
垂直布里奇曼法
多
晶体
单晶体生长
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职称材料
PINT铁电晶体的助熔剂法制备工艺与介电性能
2
作者
樊慧庆
吴浩
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005年第4期442-444,共3页
用助熔剂法制备了准同型相界附近的弛豫铁电体基钛铌铟酸铅(Pb(In1/2N b1/2)0.63T i0.37O3,简称P INT)铁电单晶体,研究了四氧化三铅(Pb3O4)与二氟化铅(PbF2)助熔剂对钙钛矿结构相稳定性的不同作用。用四氧化三铅(Pb3O4)和三氧化二硼(B2...
用助熔剂法制备了准同型相界附近的弛豫铁电体基钛铌铟酸铅(Pb(In1/2N b1/2)0.63T i0.37O3,简称P INT)铁电单晶体,研究了四氧化三铅(Pb3O4)与二氟化铅(PbF2)助熔剂对钙钛矿结构相稳定性的不同作用。用四氧化三铅(Pb3O4)和三氧化二硼(B2O3)作为助熔剂获得尺寸达5 mm的纯钙钛矿相结构P INT单晶体,利用显微分析方法、X射线衍射技术研究了单晶体的微观形貌和相结构,测量了〈100〉取向单晶体样品的介电温度谱。
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关键词
钛铌铟酸铅
单晶体生长
钙钛矿
助熔剂
介电性能
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职称材料
浮秤用硅应变片的工作特性及其安装
3
作者
杨国本
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期43-47,共5页
本文论述了用于彩电滤波器铌酸锂单晶生长直径自动等径控制浮秤所采用的硅应变电阻传感器的工作特性,并对其安装工艺进行了实验研究,使采用硅应变片的浮秤的灵敏度达到K≥0.15mV/g,同时具有较高的稳定性。用于等径控制铌酸锂单晶体的生...
本文论述了用于彩电滤波器铌酸锂单晶生长直径自动等径控制浮秤所采用的硅应变电阻传感器的工作特性,并对其安装工艺进行了实验研究,使采用硅应变片的浮秤的灵敏度达到K≥0.15mV/g,同时具有较高的稳定性。用于等径控制铌酸锂单晶体的生长,获得了等径度为99.6%的性能优良的铌酸锂单晶。
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关键词
硅应变片
浮秤
安装
单晶体生长
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职称材料
题名
垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体
被引量：
2
1
作者
赵欣
金应荣
朱兴华
机构
西华大学材料科学与工程学院
西华大学理化学院
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期428-431,共4页
基金
西华大学青年教师基金资助项目
文摘
碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种不同颜色的PbI2单晶体.研究表明:晶体生长工艺参数对晶体的质量有重要影响,适当调整温度场和安瓿在生长炉中的位置,可有效地避免或减轻晶体富碘现象,从而生长出优质的黄色PbI2单晶体.
关键词
碘化铅
气相输运法
垂直布里奇曼法
多
晶体
单晶体生长
Keywords
lead Iodide
TVM
VBM
poly-crystal
crystal growth
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
PINT铁电晶体的助熔剂法制备工艺与介电性能
2
作者
樊慧庆
吴浩
机构
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005年第4期442-444,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(50002009)
航空科学基金资助项目(99G53088)
文摘
用助熔剂法制备了准同型相界附近的弛豫铁电体基钛铌铟酸铅(Pb(In1/2N b1/2)0.63T i0.37O3,简称P INT)铁电单晶体,研究了四氧化三铅(Pb3O4)与二氟化铅(PbF2)助熔剂对钙钛矿结构相稳定性的不同作用。用四氧化三铅(Pb3O4)和三氧化二硼(B2O3)作为助熔剂获得尺寸达5 mm的纯钙钛矿相结构P INT单晶体,利用显微分析方法、X射线衍射技术研究了单晶体的微观形貌和相结构,测量了〈100〉取向单晶体样品的介电温度谱。
关键词
钛铌铟酸铅
单晶体生长
钙钛矿
助熔剂
介电性能
Keywords
PINT
single crystal growth
perovskite
Pb3O4 and PbF2 flux
dielectric property
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
浮秤用硅应变片的工作特性及其安装
3
作者
杨国本
机构
航空航天部长沙磁性材料厂
出处
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期43-47,共5页
文摘
本文论述了用于彩电滤波器铌酸锂单晶生长直径自动等径控制浮秤所采用的硅应变电阻传感器的工作特性,并对其安装工艺进行了实验研究,使采用硅应变片的浮秤的灵敏度达到K≥0.15mV/g,同时具有较高的稳定性。用于等径控制铌酸锂单晶体的生长,获得了等径度为99.6%的性能优良的铌酸锂单晶。
关键词
硅应变片
浮秤
安装
单晶体生长
分类号
O782.9 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体
赵欣
金应荣
朱兴华
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
在线阅读
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职称材料
2
PINT铁电晶体的助熔剂法制备工艺与介电性能
樊慧庆
吴浩
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005
0
在线阅读
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职称材料
3
浮秤用硅应变片的工作特性及其安装
杨国本
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
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职称材料
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