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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
1
作者
齐志华
李献杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期721-725,共5页
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与...
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。
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关键词
GaAsSb/InP
双异
质
结
双极
晶体管
单异质结双极晶体管
Ⅱ型双异
质
结
双极
晶体管
微空气桥
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职称材料
题名
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
1
作者
齐志华
李献杰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期721-725,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
文摘
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。
关键词
GaAsSb/InP
双异
质
结
双极
晶体管
单异质结双极晶体管
Ⅱ型双异
质
结
双极
晶体管
微空气桥
Keywords
GaAsSb/InP
DHBT
SHBT
II-type DHBT
micro-airbridge
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
齐志华
李献杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
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