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3mm单平衡混频器芯片 被引量:6
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作者 赵宇 刘永强 魏洪涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期485-488,共4页
为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用In P高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片。该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对(APDP)和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非... 为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用In P高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片。该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对(APDP)和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非线性模型和巴伦电磁场S参数模型的基础上,对混频器进行了电路设计。最终获得了良好的工作带宽、变频损耗与隔离度指标,在片测试结果显示,该芯片射频、本振频率为82-100 GHz,变频损耗小于9 d B,本振(LO)-射频(RF)隔离度大于20 d B,中频带宽为0.1-18 GHz,整体芯片尺寸为1.1 mm×1.0 mm。 展开更多
关键词 磷化铟 3 MM 单平衡混频器 巴伦 肖特基二极管
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一种U波段鳍线单平衡混频器的设计 被引量:2
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作者 蔡中恒 詹铭周 徐锐敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S1期235-237,共3页
本文介绍了一种U波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用M/A-COM公司的肖特基势垒二极管MA4E2037,整个电路制作在一块厚度为0.127mm的RT-Duroid 5880软基片上。射频端口采用鳍线过渡,本振端口通过波导-微带探针过... 本文介绍了一种U波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用M/A-COM公司的肖特基势垒二极管MA4E2037,整个电路制作在一块厚度为0.127mm的RT-Duroid 5880软基片上。射频端口采用鳍线过渡,本振端口通过波导-微带探针过渡,中频通过SMA接头输出。测试结果显示,鳍线悬置微带线结构的混频器在本振为42GHz,射频在40~60GHz范围内变化时,其变频损耗小于8.71dB,本振到射频的隔离度大于25dB。 展开更多
关键词 U波段 鳍线 单平衡混频器 变频损耗
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半模基片集成波导平衡混频器的设计实现
3
作者 刘蕾蕾 王元庆 吴晨健 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2011年第11期63-65,80,共4页
利用半模基片集成波导3 dB电桥设计了一种X波段单平衡混频器,并用印刷电路板工艺实现。首先设计并测试了半模基片集成波导电桥的性能,并给出测试结果。然后将半模基片集成波导电桥用于单平衡混频器的设计,并给出混频器的具体电路形式。... 利用半模基片集成波导3 dB电桥设计了一种X波段单平衡混频器,并用印刷电路板工艺实现。首先设计并测试了半模基片集成波导电桥的性能,并给出测试结果。然后将半模基片集成波导电桥用于单平衡混频器的设计,并给出混频器的具体电路形式。该混频器具有良好的性能,与原有的基片集成波导电桥混频器相比体积更小、重量更轻。经测量混频器变频损耗小于8.6 dB,并在9 GHz~12 GHz频带内获得了比较好的响应平坦度。 展开更多
关键词 半模基片集成波导 单平衡混频器 变频损耗
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基于ADS的S波段微带混频器的设计与仿真 被引量:1
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作者 刘静 石晓原 +2 位作者 姜恒 胡向顺 辛军 《现代电子技术》 2012年第23期97-100,共4页
首先阐述了微带单平衡混频器的工作原理,然后利用ADS软件设计了一个工作在S波段的微带无源下变频混频器,运用S参数及谐波平衡分析法对该混频器进行设计仿真。混频器射频输入信号为3 250 MHz,本振信号为4 150MHz,输出中频信号为900MHz。... 首先阐述了微带单平衡混频器的工作原理,然后利用ADS软件设计了一个工作在S波段的微带无源下变频混频器,运用S参数及谐波平衡分析法对该混频器进行设计仿真。混频器射频输入信号为3 250 MHz,本振信号为4 150MHz,输出中频信号为900MHz。由仿真结果验证方法的可行性,而且利用ADS进行微波电路仿真,具有周期短,开发成本低,性能优良等特点。 展开更多
关键词 ADS单平衡混频器 谐波平衡 S波段
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X波段镜像抑制混频器设计 被引量:6
5
作者 钱可伟 《中国测试技术》 2007年第1期122-124,141,共4页
随着微波通信技术的迅速发展,作为微波接收机主要部件之一的混频器也向小型化,多功能化发展。利用ADS工具辅助设计和调试了一个X波段镜像抑制混频器。对常用混频器的结构进行了改进,通过测试结果可以看出,这种改进能实现较高的镜频抑制... 随着微波通信技术的迅速发展,作为微波接收机主要部件之一的混频器也向小型化,多功能化发展。利用ADS工具辅助设计和调试了一个X波段镜像抑制混频器。对常用混频器的结构进行了改进,通过测试结果可以看出,这种改进能实现较高的镜频抑制度和较低的变频损耗,且各端口间的隔离度也较好。混频器工作频率10.5GHz,中频1GHz,混频管采用HSMS-8101,基板为Rogers5880,其介电常数为2.2。 展开更多
关键词 单平衡混频器 3dB正交耦合电桥 功分器
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小型化三耦合线Marchand巴伦的等效模型分析与验证 被引量:4
6
作者 林震 年夫顺 +2 位作者 张胜洲 贾定宏 邓建钦 《电讯技术》 北大核心 2020年第4期470-476,共7页
为了实现三耦合线Marchand巴伦的快速设计,缩小巴伦的尺寸,提出了一种简化的三耦合线Marchand巴伦等效模型及小型化设计方法。该等效模型将复杂的三耦合线的S参数散射矩阵的计算问题简化为对两个并联的平行耦合线的S参数散射矩阵的计算... 为了实现三耦合线Marchand巴伦的快速设计,缩小巴伦的尺寸,提出了一种简化的三耦合线Marchand巴伦等效模型及小型化设计方法。该等效模型将复杂的三耦合线的S参数散射矩阵的计算问题简化为对两个并联的平行耦合线的S参数散射矩阵的计算。为了验证该模型和设计方法的有效性,采用0. 1μm砷化镓pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工艺制作了一款75~110 GHz的单平衡混频芯片,最终应用于单平衡混频器的巴伦耦合线长度被缩减为中心频率1/4波长的44%。良好的混频器性能和紧凑的芯片面积证明了所提三耦合线巴伦的等效模型和设计方法能够为单片集成微波电路芯片的设计提供指导作用。 展开更多
关键词 三耦合线Marchand巴伦 小型化设计 W频段单平衡混频器
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