单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的磁场效应

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作者 裴志成 丁朝华(导师) +1 位作者 耿艳波 肖景林 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期539-544,共6页

利用LLP幺正变换与线性组合算符相结合的方法研究了磁场作用下单层过渡金属硫族化合物(TMDs)中弱耦合极化子基态能量的性质,获得了单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的基态能量与磁场、声子的德拜截止波数(DW)、内部距离和本征极化... 利用LLP幺正变换与线性组合算符相结合的方法研究了磁场作用下单层过渡金属硫族化合物(TMDs)中弱耦合极化子基态能量的性质,获得了单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的基态能量与磁场、声子的德拜截止波数(DW)、内部距离和本征极化率参数之间的依赖关系。计算结果表明:单层过渡金属硫族化合物弱耦合极化子的基态能量为外加磁场和本征极化率参数的增函数、声子的德拜截止波数和内部距离的减函数。 展开更多

关键词 光电子学 单层过渡金属硫族化合物 弱耦合 极化子 基态能量 磁场

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二维过渡金属硫族化合物的激发态动力学研究

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作者 秦春博 张春峰 《物理学进展》 北大核心 2025年第4期195-207,共13页

二维过渡金属硫族化合物(TMDs)展现出强光与物质相互作用以及显著的激子效应,针对其激发态动力学的研究无论是对相关的基础研究还是技术应用,都具有重要的意义。为此,本文总结了单层TMDs及其堆叠形成的范德瓦耳斯异质结中的激发态动力... 二维过渡金属硫族化合物(TMDs)展现出强光与物质相互作用以及显著的激子效应,针对其激发态动力学的研究无论是对相关的基础研究还是技术应用,都具有重要的意义。为此,本文总结了单层TMDs及其堆叠形成的范德瓦耳斯异质结中的激发态动力学研究。具体而言,我们介绍了单层中激子与异质结中层间激子的产生到复合动力学过程,期间着重介绍了异质结中层间电荷转移,以及层间转角和莫尔超级晶格相关激发态动力学的近期研究。最后总结了目前的研究中未解决的问题并以对未来的展望作为结尾。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 超快光谱 范德瓦耳斯异质结 层间激子 激发态动力学

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过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展 被引量：3

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作者 张禹 韦习成 +1 位作者 余运龙 张浩 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期867-873,共7页

过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的... 过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望。 展开更多

关键词 过渡金属二硫族化合物 FET 器件

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化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物研究进展

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作者 王栋 魏子健 +5 位作者 张倩 夏月庆 张秀丽 王天汉 袁志华 兰明明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期156-169,共14页

二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的... 二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的高度可控性使其具有很大优势。本文综述了近期通过CVD制备TMDs的研究进展,探讨了在CVD制备工艺中各种参数对产物生长和最终形貌的影响,包括前驱体、温度、衬底、辅助剂、压力和载气流量等。列举了一些改进的CVD制备工艺,并对其特点进行了总结。最后讨论了目前CVD制备TMDs所面临的挑战并对其发展前景进行展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 化学气相沉积 盐辅助化学气相沉积 金属有机化学气相沉积 二维材料 前驱体 影响因素

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二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术及其应用

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作者 沈永才 徐菲 吴义恒 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期30-33,35,共5页

综述近年来二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术及其应用,重点介绍了二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备方法,包括微机械剥离法、化学气相沉积法、电化学法、液相剥离法等,并对二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术和应... 综述近年来二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术及其应用,重点介绍了二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备方法,包括微机械剥离法、化学气相沉积法、电化学法、液相剥离法等,并对二维过渡金属硫族化合物纳米材料的制备技术和应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 二维纳米材料 制备方法

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过渡金属硫族化合物二维晶体基复合材料的研究进展 被引量：3

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作者 孙兰 张龙 马飞 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期40-47,共8页

石墨烯的发现掀起了人们对二维晶体材料的探索热潮。单层或少数层过渡金属硫族化合物(TMDs)是二维晶体材料的典型代表,此类材料的带隙合适、电子迁移率和热导率高、光吸收强、比表面积大,在新型光电器件、光/电催化、锂离子电池电极、... 石墨烯的发现掀起了人们对二维晶体材料的探索热潮。单层或少数层过渡金属硫族化合物(TMDs)是二维晶体材料的典型代表,此类材料的带隙合适、电子迁移率和热导率高、光吸收强、比表面积大,在新型光电器件、光/电催化、锂离子电池电极、气体传感及生物医学等领域蕴藏着巨大的应用潜能。特别是,对于TMDs二维晶体与其他材料复合而成的纳米结构,强烈的界面耦合作用对材料物理和化学特性的调控至关重要,甚至可能导致新奇特性,预示着新功能和新应用。详细综述了TMDs二维晶体基复合材料的制备方法、结构与性能的界面调控及其潜在应用,并指出了该研究领域仍存在的问题及未来发展方向。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 复合结构 耦合效应

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二维过渡金属硫族化合物中的缺陷和相关载流子动力学的研究进展 被引量：5

7

作者 王云坤 李耀龙 高宇南 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期18-42,共25页

原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分。然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质。一方面,缺陷的存在降低了材料的荧光量子效率、载流子迁移率等... 原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分。然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质。一方面,缺陷的存在降低了材料的荧光量子效率、载流子迁移率等重要参数,影响了器件的性能。另一方面,合理地调控和利用缺陷催生了单光子源等新的应用,因此,表征、理解、处理和调控二维材料中的缺陷至关重要。本文综述了二维过渡金属硫族化合物中的缺陷以及缺陷相关的载流子动力学研究进展,旨在梳理二维材料中的缺陷及其超快动力学与材料性能之间的关系,为二维过渡金属硫族化合物材料特性和高性能光电子器件的相关研究提供支持。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 缺陷 载流子动力学

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过渡金属硫族化合物激子研究进展 被引量：1

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作者 冯亦彪 张天天 +1 位作者 周军 窦瑞芬 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期979-991,共13页

分别介绍了激子的基本概念及过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides,TMD)材料中不同类型的激子态,并对TMD材料中激子的调控方法和手段进行了系统综述;总结了TMD材料中激子问题的潜在研究方向及应用.

关键词 过渡金属硫族化合物(TMD) 光与物质相互作用 激子

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二维过渡金属硫族化合物在超级电容器中的研究进展

9

作者 陈明华 李宏武 +4 位作者 范鹤 李誉 刘威铎 夏新辉 陈庆国 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期539-555,共17页

近年来,过渡金属硫族化合物(TMDs)作为一种新兴的二维材料,因其独特的层状结构及电学特性成为超级电容器电极材料的理想候选者之一.本文介绍了二维TMDs的常用合成方法,阐述了钼基、钨基和钒基等TMDs在超级电容器中的研究进展,分析了形... 近年来,过渡金属硫族化合物(TMDs)作为一种新兴的二维材料,因其独特的层状结构及电学特性成为超级电容器电极材料的理想候选者之一.本文介绍了二维TMDs的常用合成方法,阐述了钼基、钨基和钒基等TMDs在超级电容器中的研究进展,分析了形貌、尺寸和改性方法等因素对TMDs材料电化学性能的影响,并对TMDs在超级电容器领域的工业化应用和挑战进行了总结与展望. 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 超级电容器

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二维过渡金属硫族化合物缺陷工程 被引量：1

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作者 李景涛 马洋 +2 位作者 李绍先 何业鸣 张永哲 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第6期993-1015,共23页

二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)具有厚度在原子级别、禁带宽度随层数在1~2 eV内变化、高载流子迁移率(如MoS_(2)载流子迁移率达到了200 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))等特点,在光... 二维过渡金属硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,TMDs)具有厚度在原子级别、禁带宽度随层数在1~2 eV内变化、高载流子迁移率(如MoS_(2)载流子迁移率达到了200 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))等特点,在光学、电学等领域具有广泛应用。TMDs的超薄特性使此类材料与块体材料相比,更容易受到缺陷调控的影响,改变材料原有性能。在本综述中,首先介绍了TMDs的晶体结构和相结构,并根据维度特征对缺陷的类型进行了分类;接着从缺陷的抑制和修复,以及缺陷的制造两方面出发,总结了缺陷调控TMDs材料性能的最新研究进展;在此基础上,介绍了缺陷工程在电学、光学、磁学、电催化等领域的具体应用;最后,本综述讨论了缺陷工程在应用过程中面临的实际问题,并对其未来的研究及发展方向进行了展望。 展开更多

关键词 二维过渡金属硫族化合物 缺陷工程 缺陷调控

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过渡金属硫族化合物二阶非线性光学效应的调控及应用

11

作者 吴慧 秦春博 张春峰 《物理学进展》 北大核心 2023年第3期84-95,共12页

二阶非线性光学效应源于电子势函数的非谐性,可实现激光的频率转换,被广泛应用于基础科学研究和现代激光技术。单层过渡金属硫族化合物具有极大的二阶非线性系数,作为基础单元实现高效的非线性光学响应潜力巨大。如何保持单层材料的极... 二阶非线性光学效应源于电子势函数的非谐性,可实现激光的频率转换,被广泛应用于基础科学研究和现代激光技术。单层过渡金属硫族化合物具有极大的二阶非线性系数,作为基础单元实现高效的非线性光学响应潜力巨大。如何保持单层材料的极大非线性系数,扩展材料厚度及响应频段,提升非线性响应,是重要挑战。本文主要介绍了基于单层过渡金属硫族化合物的二阶非线性光学效应的调控,包括单层过渡金属硫族化合物的频率依赖及不同对称性相的多层堆叠等,并总结了过渡金属硫族化合物非线性光学效应的应用前景。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 二阶非线性光学效应 中心反演对称性 层间耦合 层间转角

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二维过渡金属硫族化合物中激子-极化激元的研究进展(特邀) 被引量：1

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作者 徐哲元 蒋英 潘安练 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期122-139,共18页

二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-... 二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-爱因斯坦凝聚态),它们不受粒子数反转的限制,可实现超低阈值激光。同时结合其谷极化特性,可为强耦合状态的谷电子学应用如光自旋开关和谷极化双稳态器件等提供潜在应用。分别对二维过渡金属硫族化合物中的激子-极化激元、谷极化激子-极化激元和激子-极化激元的玻色爱因斯坦凝聚的研究进展进行了系统综述,最后总结分析了未来实现二维激子-极化激元激光需解决的关键科学问题并对其发展进行了展望。 展开更多

关键词 低维半导体光与物质相互作用 激子-极化激元 二维过渡金属硫族化合物 谷电子学 玻色-爱因斯坦凝聚

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二维过渡金属硫族化合物的环境稳定性

13

作者 周振佳 徐洁 高力波 《物理学进展》 北大核心 2023年第4期97-116,共20页

二维过渡金属硫族化合物具有独特、优异的电学和力学性能,已被广泛应用于基础研究以及电子、自旋电子、光电子、能量收集捕获和催化等领域当中。然而,二维过渡金属硫族化合物在苛刻的条件下不稳定,并且在环境中极易降解,这限制了其在大... 二维过渡金属硫族化合物具有独特、优异的电学和力学性能,已被广泛应用于基础研究以及电子、自旋电子、光电子、能量收集捕获和催化等领域当中。然而,二维过渡金属硫族化合物在苛刻的条件下不稳定,并且在环境中极易降解,这限制了其在大多数领域的应用。在本篇综述中,我们总结了二维过渡金属硫族化合物环境稳定性研究的最新进展,包括最新的生长方法、稳定性的基本机制以及保护二维过渡金属硫族化合物材料免受老化和性能衰退的方法。通过从生长过程中分析影响二维过渡金属硫族化合物稳定性的关键因素,我们对优化生长方法以提高其稳定性进行了回顾。最后,我们展望了生长稳定二维过渡金属硫族化合物的指导方法,这也为制备、设计其他先进功能材料以及相应异质结结构带来可能。 展开更多

关键词 二维材料 过渡金属硫族化合物 稳定性 缺陷

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类石墨烯硫族化合物纳米材料及其在能源领域中的应用

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作者 沈永才 徐菲 吴义恒 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期136-142,共7页

2004年以来,以石墨烯为代表的新型二维纳米材料引起了全球范围内的研究热潮,在光电子、生物、能源等领域展现出了巨大的应用潜力。过渡金属硫族化合物因平面内结合力较强、平面外结合力较弱以致可以将其剥离成单个细胞厚度的二维层状纳... 2004年以来,以石墨烯为代表的新型二维纳米材料引起了全球范围内的研究热潮,在光电子、生物、能源等领域展现出了巨大的应用潜力。过渡金属硫族化合物因平面内结合力较强、平面外结合力较弱以致可以将其剥离成单个细胞厚度的二维层状纳米材料,且该材料具备类石墨烯物理化学性质而被誉为"无机石墨烯"。关于二维过渡金属硫族化合物纳米材料的研究已有多年,众多研究表明,因其具有独特的结构和特性,在光电器件、催化及能源存储领域有着广阔的应用前景。基于该领域研究的最新进展,综述了二维过渡金属硫族化合物纳米材料在能源领域中的应用,并对目前相关研究领域的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 二维层状纳米材料 制备方法 能源存储

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基于过渡金属二硫族化物析氢催化的研究进展 被引量：1

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作者 何倩倩 王哲 +2 位作者 孟令佳 陈乾 宫勇吉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期523-538,共16页

解决全球气候变化和能源危机的有效途径之一是用氢能源(H2)代替传统的化石能源.析氢反应(Electro-chemical hydrogen evolution reaction,HER)被认为是绿色环保的可持续产氢途径,通常电解过程需要催化剂以降低电化学电位,提高能量利用效... 解决全球气候变化和能源危机的有效途径之一是用氢能源(H2)代替传统的化石能源.析氢反应(Electro-chemical hydrogen evolution reaction,HER)被认为是绿色环保的可持续产氢途径,通常电解过程需要催化剂以降低电化学电位,提高能量利用效率.目前最先进的催化剂仍然依赖于贵金属,但是研究表明,过渡金属二硫族化物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)同样具有优异的催化活性,与贵金属相比,TMDs产量大、价格低、催化活性好、便于调控和修饰,有望替代贵金属在催化领域的应用.基于此,本文讨论了近年来TMDs在析氢方面的研究情况以及TMDs材料的性能调控,包含原子工程、相工程和异质结.并总结和展望了TMDs催化材料的挑战与机遇. 展开更多

关键词 过渡金属二硫族化合物 析氢反应 原子工程 相工程 异质结

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Pd插层NbSe2化合物的制备、晶体结构和电学性质研究

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作者 黄冲 赵伟 +3 位作者 王东 卜克军 王思顺 黄富强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期505-510,I0002,I0003,共8页

通过固相反应法合成一系列插层化合物PdxNbSe2 (x=0~0.17)。它们与2H-NbSe2相同,属于六方晶格,空间群为P63/mmc。Pd占据NbSe2层间的八面体空位。随着Pd含量的增加,晶格常数c线性增大,而a几乎不变。X射线单晶衍射结果表明,Pd0.17NbSe2的... 通过固相反应法合成一系列插层化合物PdxNbSe2 (x=0~0.17)。它们与2H-NbSe2相同,属于六方晶格,空间群为P63/mmc。Pd占据NbSe2层间的八面体空位。随着Pd含量的增加,晶格常数c线性增大,而a几乎不变。X射线单晶衍射结果表明,Pd0.17NbSe2的晶格常数为a=b=0.34611(2)nm,c=1.27004(11)nm。每个Pd原子与六个Se原子键合形成[PdSe6]八面体来连接相邻的Nb-Se层,使晶体结构变得更加稳定,从而提高化合物的热稳定性。电学测试表明,随着Pd含量的增加, PdxNbSe2的剩余电阻比减小。此外,超导转变温度也随着Pd含量的增加而下降,说明Pd的引入不利于NbSe2的超导态。 展开更多

关键词 PdxNbSe2 过渡金属硫族化合物 晶体结构 超导

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Fe_(0.5)Mn_(0.5)Nb_(3)S_(6)单晶的交换偏置效应和电输运性质

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作者 苏媛 蔡方齐 +3 位作者 孙梦佳 孙浩东 康保娟 敬超 《上海大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第2期338-347,共10页

3d族过渡金属插层二硫族化合物因其可调的丰富磁学性质和电学输运性质而备受关注.为了探究Fe掺杂MnNb_(3)S_(6)对其磁性和电输运性质的影响,采用化学气相输运(chemical vapor transport,CVT)方法,将Fe和Mn元素等比例地插入NbS_(2)层间,... 3d族过渡金属插层二硫族化合物因其可调的丰富磁学性质和电学输运性质而备受关注.为了探究Fe掺杂MnNb_(3)S_(6)对其磁性和电输运性质的影响,采用化学气相输运(chemical vapor transport,CVT)方法,将Fe和Mn元素等比例地插入NbS_(2)层间,制备出Fe_(0.5)Mn_(0.5)Nb_(3)S_(6)单晶,并对其结构、磁性以及电输运性质进行表征.研究结果表明,样品与MnNb_(3)S_(6)相比,磁各向异性表现出易磁化轴由面内(ab-plane)向面外(c-axis)倾斜;在居里温度TC以下可以观察到沿面外的交换偏置行为,这一物理现象可归因于Fe掺杂引入的无序相.此外,电输运性质的研究结果表明,当温度低于TC时,样品存在负磁电阻和反常霍尔效应.进一步的分析表明,这些现象与非平庸的拓扑磁结构密切相关. 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 交换偏置 负磁电阻 反常霍尔效应 电输运

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硫族元素取代法制备原子层厚的MoS2-MoSe2平面异质结

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作者 高万冬 黄威 +1 位作者 郑遗凡 金传洪 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期706-710,745,共6页

本研究采用两步化学气相沉积法首先制备单层MoSe2材料,然后对其进行硫化,结合原子分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)定量表征了不同硫化时间下样品中替代硫原子的分布。研究表明:硫原子取代优先发生在MoSe2晶畴边缘,形成MoS2-Mo... 本研究采用两步化学气相沉积法首先制备单层MoSe2材料,然后对其进行硫化,结合原子分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)定量表征了不同硫化时间下样品中替代硫原子的分布。研究表明:硫原子取代优先发生在MoSe2晶畴边缘,形成MoS2-MoSe2异质结构,该异质界面进一步作为取代反应中心逐渐向MoSe2晶畴内部扩展,最终形成具有原子级平整界面的MoS2-MoSe2平面异质结。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 硫取代 扫描透射电子显微镜 平面异质结

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浙江鸟坳含银多金属矿床的层控特征 被引量：1

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作者 罗镇宽 胡桂明 关康 《地质与勘探》 CAS 1986年第5期20-26,共7页

在浙东南至闽北的前泥盆系陈蔡(建瓯)群变质岩系中,产有一组多金属或铅锌矿床,以往大都被列为热液型或夕卡岩型矿床。近年来,随着工作的深入和资料的积累,越来越多的人开始摆脱传统成矿学说的束缚。提出了层控矿床的观点。本文仅以鸟坳... 在浙东南至闽北的前泥盆系陈蔡(建瓯)群变质岩系中,产有一组多金属或铅锌矿床,以往大都被列为热液型或夕卡岩型矿床。近年来,随着工作的深入和资料的积累,越来越多的人开始摆脱传统成矿学说的束缚。提出了层控矿床的观点。本文仅以鸟坳含银多金属矿床为例。谈谈我们的认识。 展开更多

关键词 多金属矿床 黄铜矿 铜矿物 硫化矿物 方铅矿 铁矿物 黄铁矿 硫同位素组成 黑云斜长片麻岩 矿石 矿体 单矿物分析 锌矿物 闪锌矿 硫化合物 硫化物 条带状构造 架状硅酸盐矿物 长石 层控 浙江

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保温时间对二维二硫化钼生长的影响 被引量：3

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作者 熊礼威 王凯 +2 位作者 李鑫 陶雪华 崔宇 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期303-308,共6页

目的研究二维MoS2薄片的生长规律,为将来过渡金属硫族化合物薄膜的生长提供理论参考与技术经验。方法采用化学气相沉积法(CVD)制备MoS2薄片,且仅改变薄片生长的保温时间。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)和拉曼光谱分析探究MoS2薄片的生... 目的研究二维MoS2薄片的生长规律,为将来过渡金属硫族化合物薄膜的生长提供理论参考与技术经验。方法采用化学气相沉积法(CVD)制备MoS2薄片,且仅改变薄片生长的保温时间。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)和拉曼光谱分析探究MoS2薄片的生长规律。结果MoS2薄片由最初的形核点逐渐生长为中心有亮点的三角形(形核点MoS2拉曼光谱特征峰波数差为20.25 cm^−1)进一步生长为完整三角形的MoS2薄片(拉曼光谱特征峰波数差为18.32 cm^−1)。随着保温时间的延长,薄片之间开始“拼接”成膜,并最终在此膜层上再次形核生长出体相MoS2薄片。结论二维MoS2薄片的生长模式随着生长阶段而表现不同,最开始以非二维生长模式产生形核点,而非形核点区域以二维生长模式进行生长。在持续长大阶段,薄片以二维生长的模式为主导。在“拼接”阶段,出现多层MoS2区域。在第二层生长阶段,MoS2薄片以三维生长的模式生长。 展开更多

关键词 二维材料 MoS2薄片 CVD 生长机理 保温时间 过渡金属硫族化合物

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