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题名用于微波电路的单层片式晶界层电容器
被引量：3
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作者
程超
蔡杨
杨俊峰
冯毅龙
赵海飞
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机构
广州翔宇微电子有限公司
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2007年第B08期112-115,共4页
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基金
科技部中小企业创新基金(06C26214401624)
广东省广州市科技计划基金(20051040052)
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文摘
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(≤±4.7%～≤±22%),使用温域宽(-55℃～+125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片。通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型、表面贴装型、多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。
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关键词
单层片式电容器
晶界层
介电系数
温度特性
系列产品
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Keywords
Single layer chip capacitor, Grain boundary layer, Dielectric constant, Temperature characteristic, Series product
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分类号
TM53
[电气工程—电器]
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