期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到157篇文章
< 1 2 … 8 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
化学气相沉积法生长石墨烯的现状及展望
1
作者 黄子翀 刘伟林 +3 位作者 李骏 蒋宇 袁国文 高力波 《新型炭材料(中英文)》 北大核心 2025年第3期457-476,共20页
石墨烯自2004年被发现以来,其优异的物理化学性质引发广泛关注。在各种合成方法中,化学气相沉积(CVD)法凭借可控性、低成本及规模化优势,已发展成为制备高质量石墨烯薄膜的主流方法。本文系统回顾了CVD法制备石墨烯的技术发展历程,重点... 石墨烯自2004年被发现以来,其优异的物理化学性质引发广泛关注。在各种合成方法中,化学气相沉积(CVD)法凭借可控性、低成本及规模化优势,已发展成为制备高质量石墨烯薄膜的主流方法。本文系统回顾了CVD法制备石墨烯的技术发展历程,重点论述了单晶石墨烯生长、表面平整度调控、层数精确控制及高效规模化制备等关键领域的最新进展。通过优化衬底设计、引入质子辅助解耦技术及氧辅助技术等多种策略,已实现晶圆级单晶石墨烯的制备,其电学性能指标接近机械剥离样品。然而,绝缘衬底直接生长、低温条件下高质量制备及缺陷动态控制等方面仍存在技术挑战。未来,新型碳源开发、多功能集成工艺及卷对卷工业化生产技术的结合,将推动石墨烯在柔性电子、能源存储等领域的广泛应用。 展开更多
关键词 石墨烯 二维材料 化学气相沉积 形貌调控 规模化生长
在线阅读 下载PDF
基于化学气相沉积法铜基大面积单晶双层石墨烯薄膜的快速生长 被引量：2
2
作者 张津铭 牟海川 谢海芬 《华东理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期123-128,共6页
通过分段控制甲烷与氢气的流量比以及增加氧气的供应,使用低压化学气相沉积设备(LPCVD)、在40 min的生长时间内、在铜箔上生长出连续的高质量的单晶石墨烯薄膜。研究表明,双氧钝化的使用和调整甲烷与氢气的流量比可以达到石墨烯的最佳... 通过分段控制甲烷与氢气的流量比以及增加氧气的供应,使用低压化学气相沉积设备(LPCVD)、在40 min的生长时间内、在铜箔上生长出连续的高质量的单晶石墨烯薄膜。研究表明,双氧钝化的使用和调整甲烷与氢气的流量比可以达到石墨烯的最佳成核和生长速率,使得石墨烯可以在短时间内生长为连续的单晶薄膜;石墨烯基场效应晶体管(FET)展现了优良的电学特性,其空穴迁移率可达到4 347 cm~2/(V·s)。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 双氧钝化
在线阅读 下载PDF
铜箔衬底对化学气相沉积法制备石墨烯的影响 被引量：1
3
作者 王云鹏 刘宇宁 +3 位作者 王同波 张嘉凝 莫永达 娄花芬 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期173-177,共5页
化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下... 化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下两类铜箔对生长石墨烯的影响。研究表明,电解铜箔的表面粗糙度在预处理与退火后均大于压延铜箔。压延铜箔由于经历变形,退火处理后晶粒尺寸为37μm,Cu(111)面比例约40%,电解铜箔退火后晶粒尺寸约为24μm,Cu(111)面比例约为28%,压延铜箔优于电解铜箔。CVD制备石墨烯后发现压延铜箔上生长的石墨烯岛的面积大于电解铜箔,石墨烯缺陷要少于电解铜箔,即相同制备条件与相同厚度下压延铜箔上制备的石墨烯质量优于电解铜箔上制备的石墨烯。 展开更多
关键词 电解铜箔 压延铜箔 化学气相沉积法 石墨烯
在线阅读 下载PDF
铜箔表面化学气相沉积少层石墨烯 被引量：13
4
作者 宋瑞利 刘平 +5 位作者 张柯 刘新宽 陈小红 李伟 马凤仓 何代华 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期96-100,165,共6页
利用化学气相沉积法(CVD法),在金属基底上生长大面积、少层数和高质量的石墨烯是近年来研究的热点。本研究采用CVD法,在常压高温条件下,以氩气为载体、氢气为还原气体、乙烯为碳源,在铜箔表面生长石墨烯。通过扫描电子显微图(SEM)、X射... 利用化学气相沉积法(CVD法),在金属基底上生长大面积、少层数和高质量的石墨烯是近年来研究的热点。本研究采用CVD法,在常压高温条件下,以氩气为载体、氢气为还原气体、乙烯为碳源,在铜箔表面生长石墨烯。通过扫描电子显微图(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼图谱(Raman)分析,发现铜箔表面质量和石墨烯的生长时间对石墨烯的层数和缺陷有较大影响。用20%的盐酸去除铜箔表面的保护膜和Cu_2O等杂质,铜箔在1000℃下退火60min可以使铜箔晶粒尺寸增大以及改善铜箔表面的形貌。研究发现生长时间为60s和90s时,制备的石墨烯薄膜对称性良好且层数较少。其中,生长时间为90s时,拉曼表征石墨烯的I_D/I_G值为0.7,表明其缺陷比较少。 展开更多
关键词 石墨烯 铜箔 化学气相沉积法 盐酸 生长时间
在线阅读 下载PDF
基于乙烯的化学气相沉积法制备少层石墨烯 被引量：3
5
作者 任文杰 朱永 +2 位作者 龚天诚 王宁 张洁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第16期16115-16118,共4页
采用乙烯作为碳源,利用化学气相沉积法(CVD法),在1 000℃条件下在铜箔上制备了少层石墨烯;采用不引入PMMA和PDMS等杂质的直接转移方法将石墨烯薄膜转移到Si/SiO2基底上,对石墨烯薄膜进行了表征。实验研究表明,减小乙烯的进气量可以提高... 采用乙烯作为碳源,利用化学气相沉积法(CVD法),在1 000℃条件下在铜箔上制备了少层石墨烯;采用不引入PMMA和PDMS等杂质的直接转移方法将石墨烯薄膜转移到Si/SiO2基底上,对石墨烯薄膜进行了表征。实验研究表明,减小乙烯的进气量可以提高石墨烯的质量;减少反应时间可以降低无定形碳的含量;增加退火时间可以提高Cu表面结晶质量,更加有利于石墨烯的生长。通过优化各项参数,使用乙烯已经可以制备I2D/IG=0.88的少层石墨烯。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 乙烯 CU
在线阅读 下载PDF
化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究 被引量：2
6
作者 周国庆 胡林 +1 位作者 魏凌志 张发培 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期4110-4115,共6页
石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响。采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4mm左右的大尺寸单晶石墨烯。通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量... 石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响。采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4mm左右的大尺寸单晶石墨烯。通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量的单层单晶石墨烯。同时观察到CVD生长的亚毫米级、A-B型堆垛的多层单晶石墨烯畴,以及由单晶石墨烯共生形成的叠层结构。此外通过采用3种类型的铜箔衬底生长石墨烯,发现铜箔特性如体氧含量等对石墨烯成核密度和单晶石墨烯形貌有重要的影响,并观察到不同类型铜箔的晶面择优取向在CVD生长前后发生不同的转变。最后,利用所生长的大尺度单晶石墨烯制备场效应晶体管,实现高的载流子迁移率。 展开更多
关键词 单晶石墨烯 化学气相沉积 成核密度 铜箔衬底 场效应晶体管
在线阅读 下载PDF
低压热丝化学气相沉积法快速合成1-2层石墨烯薄膜 被引量：1
7
作者 刘进 吕媛媛 +4 位作者 张志勇 闫军锋 赵武 贠江妮 翟春雪 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期227-230,236,共5页
利用镍衬底独特的渗碳-析碳机制,分别引入混合气体氢气和乙炔,使用低压热丝化学气相沉积法(LPHFCVD),在镍衬底上生长石墨烯(Graphene)薄膜。通气时长分别为5s,60s,300s,极大地节省了时间和成本。制备的样品分别通过拉曼光谱(Raman),X光... 利用镍衬底独特的渗碳-析碳机制,分别引入混合气体氢气和乙炔,使用低压热丝化学气相沉积法(LPHFCVD),在镍衬底上生长石墨烯(Graphene)薄膜。通气时长分别为5s,60s,300s,极大地节省了时间和成本。制备的样品分别通过拉曼光谱(Raman),X光电子能谱(XPS),扫描电镜(SEM)等分析表征手段对其结构、形貌、缺陷等进行表征。拉曼光谱表明石墨烯薄膜的D,G,2D峰在不同温度、不同反应时间条件下不同的层数、缺陷密度和结晶质量,其中以950℃,5s的条件制备得到的石墨烯薄膜为1-2层,且缺陷极少,结晶质量很高。XPS的结果进一步确认了按照以上条件制备的石墨烯薄膜具有很高的结晶质量和很低的缺陷密度。SEM则显示了在镍衬底上制备石墨烯薄膜的形貌。 展开更多
关键词 石墨烯 低压热丝化学气相沉积 拉曼光谱 缺陷
在线阅读 下载PDF
双层石墨烯的化学气相沉积制备研究综述 被引量：2
8
作者 张学薇 邹振兴 +1 位作者 赵沛 王宏涛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1-19,97,共20页
石墨烯具有很多优异的性质,是非常理想的硅晶体替代材料,有可能彻底改变现在人们的生活,引发新一轮的科技革命。但是单层石墨烯是一种零带隙的半金属,在半导体电子器件方面受到很大局限性。AB堆垛双层石墨烯的带隙可由外部垂直电场打开... 石墨烯具有很多优异的性质,是非常理想的硅晶体替代材料,有可能彻底改变现在人们的生活,引发新一轮的科技革命。但是单层石墨烯是一种零带隙的半金属,在半导体电子器件方面受到很大局限性。AB堆垛双层石墨烯的带隙可由外部垂直电场打开,既可用于半导体电子器件领域,又可以大大降低薄膜电阻,用于透明导电薄膜。尽管石墨烯制备方法很多,但受限于成本、质量、规模化等,化学气相沉积法是制备大面积、高质量双层石墨烯最主要的手段。综述了利用化学气相沉积法制备双层石墨烯的一系列工作,首先介绍单双层石墨烯的生长机理,主要根据催化剂类型对镍、铜、铜镍合金上石墨烯形核和生长作出解释;然后从碳源、生长氛围、催化剂、基底结构等对双层石墨烯的均匀性、晶畴尺寸和堆垛形式等方面进行分析;最后,总结以上化学气相沉积法制备双层石墨烯的工作,并对该领域的发展进行展望。 展开更多
关键词 双层石墨烯 化学气相沉积 生长机理 拉曼光谱 催化剂 堆垛形式
在线阅读 下载PDF
化学气相沉积技术制备亚厘米尺寸单晶石墨烯的工艺研究 被引量：1
9
作者 王延伟 卢维尔 +1 位作者 闫美菊 夏洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1-5,共5页
本实验以多晶铜为基底,研究了利用化学气相沉积(CVD)技术制备不同尺寸的单晶石墨烯的工艺。对比了铜基底预处理方法、气体流量、压强和生长时间对单晶石墨烯尺寸及表面形貌的影响,结果表明,Ar和O2预处理可以降低石墨烯的成核密度,适当的... 本实验以多晶铜为基底,研究了利用化学气相沉积(CVD)技术制备不同尺寸的单晶石墨烯的工艺。对比了铜基底预处理方法、气体流量、压强和生长时间对单晶石墨烯尺寸及表面形貌的影响,结果表明,Ar和O2预处理可以降低石墨烯的成核密度,适当的CH4浓度便于单晶石墨烯的生长,压强的大小影响单晶的形貌,生长时间决定了单晶的尺寸。通过对预处理气体及流量、生长压强和时间等参数的调节,获得了0. 01~6 mm单晶石墨烯的可靠制备工艺。在常压101. 325 k Pa、铜基底经Ar和O2预处理、生长温度1 068℃、600 sccm H2和25 sccm CH4的气体条件下,制备出6 mm的单晶石墨烯。此外,本实验还对石墨烯制备过程中杂质颗粒的形成机理进行了研究,发现引入的杂质颗粒可能是基底Cu氧化后的结晶颗粒以及石英管在高温条件下硅的脱落。本研究所得不同尺寸单晶石墨烯的可靠制备方法为新型电子器件的发展提供了有力的支撑。 展开更多
关键词 化学气相沉积 单晶石墨烯 大尺寸
在线阅读 下载PDF
石墨烯的化学气相沉积法制备 被引量：93
10
作者 任文才 高力波 +1 位作者 马来鹏 成会明 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期71-80,共10页
化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理... 化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理和特点,重点从结构控制、质量提高以及大面积生长等方面评述了CVD法制备石墨烯及其转移技术的研究进展,并展望了未来CVD法制备石墨烯的可能发展方向,如大面积单晶石墨烯、石墨烯带和石墨烯宏观体的制备与无损转移等。 展开更多
关键词 石墨烯 制备 化学气相沉积法 转移
在线阅读 下载PDF
石墨烯的化学气相沉积法制备及其表征 被引量：25
11
作者 邹鹏 石文荣 +1 位作者 杨书华 黄德欢 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期264-267,共4页
石墨烯是由sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体,其具有电学、力学和光学等方面一系列优良性能,使得它在各个领域的应用一直被人们所关注。然而,石墨烯的工业化制备仍然面临着巨大的挑战。本文采用化学气... 石墨烯是由sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体,其具有电学、力学和光学等方面一系列优良性能,使得它在各个领域的应用一直被人们所关注。然而,石墨烯的工业化制备仍然面临着巨大的挑战。本文采用化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯,并用拉曼光谱、高分辨率扫描电镜和X射线多晶衍射对其进行了分析和表征。研究结果表明,用CVD法制备石墨烯具有工业化的可能。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积法(CVD) 制备 表征
在线阅读 下载PDF
铜镍合金为衬底化学气相沉积法制备石墨烯研究 被引量：11
12
作者 李兴鳌 任明伟 +4 位作者 任睿毅 王博琳 苏丹 马延文 杨建平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期3257-3260,共4页
利用磁控双靶共溅射法制备了不同含量的铜镍合金薄膜,利用EDAX对合金薄膜衬底的铜镍配比进行了定量分析。以苯为碳源,选择相同的合金衬底分别在800、600和400℃的温度下使用化学气相沉积法生长石墨烯,对样品进行了拉曼光谱和SEM表征,研... 利用磁控双靶共溅射法制备了不同含量的铜镍合金薄膜,利用EDAX对合金薄膜衬底的铜镍配比进行了定量分析。以苯为碳源,选择相同的合金衬底分别在800、600和400℃的温度下使用化学气相沉积法生长石墨烯,对样品进行了拉曼光谱和SEM表征,研究了温度对石墨烯生长的影响。选择不同配比的铜镍合金衬底,在400℃下生长石墨烯,研究了衬底中铜、镍元素不同配比对石墨烯生长的影响。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 铜镍合金 磁控溅射 苯
在线阅读 下载PDF
化学气相沉积法生长石墨烯的研究 被引量：12
13
作者 史永贵 王东 +3 位作者 张进成 张鹏 史学芳 郝跃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1620-1625,共6页
以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响。研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长。而原铜箔... 以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响。研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长。而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更高的温度。因而,对于不同衬底,选择合适的生长温度至关重要。而提高冷却速率有利于获得大尺寸、高质量并具有原生生长形貌的石墨烯。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 表面粗糙度 生长温度 冷却速率
在线阅读 下载PDF
蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯 被引量：8
14
作者 刘庆彬 蔚翠 +4 位作者 何泽召 王晶晶 李佳 芦伟立 冯志红 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第3期787-792,共6页
化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响... 化学气相沉积(CVD)法是制备大面积、高质量石墨烯材料的主要方法之一,但存在衬底转移和碳固溶等问题,本文选用蓝宝石衬底弥补了传统CVD法的不足。利用CVD法在蓝宝石衬底上生长石墨烯材料,研究生长温度对石墨烯表面形貌和晶体质量的影响。原子力显微镜(AFM)、光学显微镜(OM)、拉曼光谱和霍尔测试表明,低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。研究氢气和碳源对蓝宝石衬底表面刻蚀作用机理,发现氢气对蓝宝石衬底有刻蚀作用,而单纯的碳源不能对衬底产生刻蚀效果。在1200℃下,直径为50 mm的晶圆级衬底上获得平整度和质量相对较好的石墨烯材料,室温下载流子迁移超过1000 cm^2?V^(-1)?s^(-1)。 展开更多
关键词 石墨烯 蓝宝石 化学气相沉积法 生长温度 刻蚀机理
在线阅读 下载PDF
化学气相沉积工艺在石墨烯表面生长碳纳米管（英文） 被引量：5
15
作者 赵建国 邢宝岩 +3 位作者 杨辉 潘启亮 李作鹏 刘占军 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期31-36,共6页
将硝酸镍溶液与氧化石墨烯溶胶混合后冷冻干燥,然后通过真空热还原得到负载过渡金属催化剂的石墨烯粉末。以天然气为碳源,在1 000℃下采用化学气相沉积工艺,在石墨烯表面和边缘生长碳纳米管,碳纳米管将孤立的石墨烯片层结构有效地联接起... 将硝酸镍溶液与氧化石墨烯溶胶混合后冷冻干燥,然后通过真空热还原得到负载过渡金属催化剂的石墨烯粉末。以天然气为碳源,在1 000℃下采用化学气相沉积工艺,在石墨烯表面和边缘生长碳纳米管,碳纳米管将孤立的石墨烯片层结构有效地联接起来,组成空间互联网络结构,从而构建了电子、热能和载荷有效传输的通道。 展开更多
关键词 石墨烯 碳纳米管 化学气相沉积
在线阅读 下载PDF
铜基底上大尺寸石墨烯单晶的化学气相沉积法制备研究进展 被引量：3
16
作者 张儒静 黄光宏 +3 位作者 甄真 许振华 李娜 何利民 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期46-57,共12页
石墨烯的优异性能使其有望应用于未来的电子和光电器件中,采用化学气相沉积法进行石墨烯薄膜的可控制备有助于其在高性能器件中的大规模应用。然而多晶结构石墨烯薄膜中的大量晶界阻碍了载流子的快速传输,损害了材料的电学性能。大尺寸... 石墨烯的优异性能使其有望应用于未来的电子和光电器件中,采用化学气相沉积法进行石墨烯薄膜的可控制备有助于其在高性能器件中的大规模应用。然而多晶结构石墨烯薄膜中的大量晶界阻碍了载流子的快速传输,损害了材料的电学性能。大尺寸石墨烯单晶的获得能够减少薄膜中的晶界缺陷、极大提升石墨烯薄膜的质量。本文综述了大尺寸石墨烯单晶在铜基底上的化学气相沉积法制备研究,主要包括石墨烯晶片形核密度控制及取向一致石墨烯晶片的无缝拼接两种方法。重点从基底处理、反应区碳源分压控制、氧辅助生长等方面阐述了石墨烯单晶生长的不同实现途径、原理和特点。最后,分析目前制备方法中存在的挑战,并展望大尺寸石墨烯单晶的未来发展方向。探究石墨烯单晶的生长机制及动力学有助于实现在不同环境生长的精确控制,批量化低成本工艺开发和在多元化目标基底上的原位制备是实现石墨烯单晶大范围应用的关键。 展开更多
关键词 石墨烯 单晶 化学气相沉积 形核密度 无缝拼接
在线阅读 下载PDF
化学气相沉积制备大面积高质量石墨烯的研究进展 被引量：6
17
作者 石晓东 王伟 +1 位作者 尹强 李春静 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期136-142,共7页
石墨烯是由单层碳原子紧密堆积形成的一种碳质新材料,具有优良的电学、光学、热学及力学等性质。在众多的石墨烯制备方法中,化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)最有可能实现大面积、高质量石墨烯的可控制备。综述了CVD方法制... 石墨烯是由单层碳原子紧密堆积形成的一种碳质新材料,具有优良的电学、光学、热学及力学等性质。在众多的石墨烯制备方法中,化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)最有可能实现大面积、高质量石墨烯的可控制备。综述了CVD方法制备大面积、高质量石墨烯的影响因素,包括衬底、碳源及生长条件(气体流量、生长温度、等离子体功率、生长压强、沉积时间、冷却速率等)。最后展望了CVD方法制备石墨烯的发展方向。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 衬底 碳源 生长条件
在线阅读 下载PDF
绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料 被引量：4
18
作者 刘庆彬 蔚翠 +4 位作者 何泽召 王晶晶 周闯杰 郭建超 冯志红 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第S1期276-281,共6页
利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si_3N_4覆盖层可以有效抑制3CSiC缓冲层的形成;低温生长有利于保... 利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si_3N_4覆盖层可以有效抑制3CSiC缓冲层的形成;低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。5.08cm蓝宝石衬底上石墨烯材料,室温下非接触Hall测试迁移超过1000cm2·V^(-1)·s^(-1),方块电阻不均匀性为2.6%。相对于Si衬底和蓝宝石衬底,SiC衬底上生长石墨烯材料的表面形态学更好,缺陷更低,晶体质量和电学特性更好,迁移率最高为4900cm2·V^(-1)·s^(-1)。 展开更多
关键词 石墨烯 绝缘衬底 化学气相沉积 表面 形态学 电学特性
在线阅读 下载PDF
铜基底化学气相沉积石墨烯的研究现状与展望 被引量：11
19
作者 喻佳丽 辛斌杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期66-71,共6页
以铜作为基底的化学气相沉积法(CVD)是目前制备石墨烯的重要方法和手段。简单介绍了石墨烯的几种主要制备方法,突出化学气相沉积法能够有效制备出大规模可控高质量的石墨烯,并阐述了铜基底上化学气相沉积石墨烯的生长机理,主要从基底材... 以铜作为基底的化学气相沉积法(CVD)是目前制备石墨烯的重要方法和手段。简单介绍了石墨烯的几种主要制备方法,突出化学气相沉积法能够有效制备出大规模可控高质量的石墨烯,并阐述了铜基底上化学气相沉积石墨烯的生长机理,主要从基底材料、不同的工艺条件以及石墨烯转移技术出发评述了化学气相沉积法制备石墨烯的研究进展,指出由铜网基底材料替代铜箔基底的良好应用前景,最后展望了铜基底化学气相沉积石墨烯的发展方向。 展开更多
关键词 石墨烯 铜基底 化学气相沉积 生长机理
在线阅读 下载PDF
化学气相沉积法在蓝宝石衬底上可控生长大面积高质量单层二硫化钨 被引量：3
20
作者 巩哲 何大伟 +2 位作者 王永生 许海腾 董艳芳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期984-989,共6页
在常压条件下使用CVD法生长单层WS_2,通过改变实验条件实现控制晶粒大小或生长成薄膜的目的。采用光学显微镜、拉曼、光致发光谱等对制备的样品进行表征,得到了结晶质量高、尺寸达120μm的单层WS_2晶粒。同时讨论了几个重要参数如温度... 在常压条件下使用CVD法生长单层WS_2,通过改变实验条件实现控制晶粒大小或生长成薄膜的目的。采用光学显微镜、拉曼、光致发光谱等对制备的样品进行表征,得到了结晶质量高、尺寸达120μm的单层WS_2晶粒。同时讨论了几个重要参数如温度、生长时间以及钨源用量等对生长单层WS_2的影响。结果表明:温度对CVD生长WS_2影响最大,高温有助于生长高结晶质量的WS_2。调节生长时间可以控制WS_2晶粒的大小,较长时间能生长出连续的薄膜。过量的S蒸汽会抑制WS_2生长,影响结晶质量。 展开更多
关键词 单层二硫化钨 化学气相沉积 拉曼光谱 光致发光谱
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 8 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部