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一种适用于LDO的三级误差放大器的设计
被引量：
1
1
作者
李盛林
刘桥
吴宗桂
《现代电子技术》
2010年第2期15-18,共4页
为了促进LDO在低电源电压环境中的应用，提高其稳定性，在此采用SMIC0．35um，N阱CMOS工艺，设计并实现了适用于LDO内部误差放大器的一种单密勒电容频率补偿的三级CMOS运算放大器。仿真结果表明该运算放大器的工作电压范围宽（2．5～6...
为了促进LDO在低电源电压环境中的应用，提高其稳定性，在此采用SMIC0．35um，N阱CMOS工艺，设计并实现了适用于LDO内部误差放大器的一种单密勒电容频率补偿的三级CMOS运算放大器。仿真结果表明该运算放大器的工作电压范围宽（2．5～6．5V），静态电流小，开环电压增益为112．16dB，相位裕度为89．03°，增益带宽积为6．04MHz，共模抑制比为89．3dB，电源抑制比为104．8dB。
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关键词
LDO
低压三级运放
单密勒电容
共模抑制比
电源抑制比
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职称材料
题名
一种适用于LDO的三级误差放大器的设计
被引量：
1
1
作者
李盛林
刘桥
吴宗桂
机构
贵州大学理学院
出处
《现代电子技术》
2010年第2期15-18,共4页
文摘
为了促进LDO在低电源电压环境中的应用，提高其稳定性，在此采用SMIC0．35um，N阱CMOS工艺，设计并实现了适用于LDO内部误差放大器的一种单密勒电容频率补偿的三级CMOS运算放大器。仿真结果表明该运算放大器的工作电压范围宽（2．5～6．5V），静态电流小，开环电压增益为112．16dB，相位裕度为89．03°，增益带宽积为6．04MHz，共模抑制比为89．3dB，电源抑制比为104．8dB。
关键词
LDO
低压三级运放
单密勒电容
共模抑制比
电源抑制比
Keywords
LDO
three- stage amplifier with low voltage
single Miller capacitor
common mode rejection ration
power supply rejection ration
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
一种适用于LDO的三级误差放大器的设计
李盛林
刘桥
吴宗桂
《现代电子技术》
2010
1
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