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多功能电致变色器件:从多器件到单器件集成
被引量：
4
1
作者
范宏伟
李克睿
+3 位作者
侯成义
张青红
李耀刚
王宏志
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期115-127,共13页
电致变色是在外加电场驱动下通过材料氧化还原反应可逆地改变颜色或光学性质的现象。自发现电致变色现象以来,由于其具有色彩丰富、节能环保和智能可控等优点,电致变色技术已应用于智能窗、智能显示、防炫目后视镜等领域。随着近些年光...
电致变色是在外加电场驱动下通过材料氧化还原反应可逆地改变颜色或光学性质的现象。自发现电致变色现象以来,由于其具有色彩丰富、节能环保和智能可控等优点,电致变色技术已应用于智能窗、智能显示、防炫目后视镜等领域。随着近些年光电技术的快速发展,涌现了一系列具有高度集成特性的产品,电致变色技术也朝着功能化智能化的方向发展:结合绿色能源技术,使自供能电致变色系统进一步降低了建筑能耗;利用电致变色可视化的优点,电致变色与其他功能器件的集成使信息读取更加快速便捷;由于电致变色器件与多种功能器件具有相似的结构、电化学原理和活性成分,电致变色器件也逐渐从单一的色彩变化,向变色红外调控、变色储能及变色致动等多功能的方向发展。电致变色多功能集成也极大地推动了电致变色技术的进一步发展。本文详细综述了电致变色原理的多器件/单器件多功能集成系统的前沿进展,例如自供能电致变色、电致变色传感、电致变色红外调控以及电致变色储能等方向,并介绍了不同类型多功能电致变色器件集成模式、结构设计和性能优化,同时也针对电致变色多功能应用所面临的挑战与未来可能的发展方向进行了总结与展望。
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关键词
电致变色
多功能应用
多
器件
集成
单器件集成
综述
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职称材料
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
被引量：
1
2
作者
张晓丹
赵杰
+1 位作者
王永晨
金鹏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期119-123,共5页
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快...
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
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关键词
无杂质空位诱导无序
光荧光谱
光调制反射谱
铟镓砷磷化合物
磷化铟
多量子阱结构
单
片
集成
光电
器件
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职称材料
题名
多功能电致变色器件:从多器件到单器件集成
被引量：
4
1
作者
范宏伟
李克睿
侯成义
张青红
李耀刚
王宏志
机构
东华大学材料科学与工程学院
新加坡国立大学化学与生物分子工程系
东华大学教育部先进玻璃制造技术工程中心
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期115-127,共13页
基金
国家自然科学基金(51672043,51972054)
中央高校基本科研业务费专项资金(CUSF-DH-D-2018006)
广东省科技计划项目(2016B090932003)。
文摘
电致变色是在外加电场驱动下通过材料氧化还原反应可逆地改变颜色或光学性质的现象。自发现电致变色现象以来,由于其具有色彩丰富、节能环保和智能可控等优点,电致变色技术已应用于智能窗、智能显示、防炫目后视镜等领域。随着近些年光电技术的快速发展,涌现了一系列具有高度集成特性的产品,电致变色技术也朝着功能化智能化的方向发展:结合绿色能源技术,使自供能电致变色系统进一步降低了建筑能耗;利用电致变色可视化的优点,电致变色与其他功能器件的集成使信息读取更加快速便捷;由于电致变色器件与多种功能器件具有相似的结构、电化学原理和活性成分,电致变色器件也逐渐从单一的色彩变化,向变色红外调控、变色储能及变色致动等多功能的方向发展。电致变色多功能集成也极大地推动了电致变色技术的进一步发展。本文详细综述了电致变色原理的多器件/单器件多功能集成系统的前沿进展,例如自供能电致变色、电致变色传感、电致变色红外调控以及电致变色储能等方向,并介绍了不同类型多功能电致变色器件集成模式、结构设计和性能优化,同时也针对电致变色多功能应用所面临的挑战与未来可能的发展方向进行了总结与展望。
关键词
电致变色
多功能应用
多
器件
集成
单器件集成
综述
Keywords
electrochromism
multi-functional applications
multi-device integration
single device integration
review
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
被引量：
1
2
作者
张晓丹
赵杰
王永晨
金鹏
机构
天津师范大学物理与电子信息学院
南开大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期119-123,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9886 0 0 1)
文摘
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
关键词
无杂质空位诱导无序
光荧光谱
光调制反射谱
铟镓砷磷化合物
磷化铟
多量子阱结构
单
片
集成
光电
器件
Keywords
impurity free vacancy disordering
photoluminescence
photoreflectance
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多功能电致变色器件:从多器件到单器件集成
范宏伟
李克睿
侯成义
张青红
李耀刚
王宏志
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
4
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下载PDF
职称材料
2
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
张晓丹
赵杰
王永晨
金鹏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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职称材料
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