-
题名8kW高功率单刀四掷射频开关
被引量：3
- 1
-
-
作者
吴家锋
吴程
赵夕彬
-
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
江苏省江阴中等专业学校
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期516-520,共5页
-
文摘
介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑。运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特性成功研制出了一款VHF波段8kW高功率单刀四掷(SP4T)射频开关。研制出的SP4T开关控制电平为0^-1000V的差分信号,可承受峰值功率大于8kW,平均功率大于1.5kW,当脉宽为60μs、占空比为25%时,插入损耗小于0.3dB,输入驻波比小于1.3∶1,开关隔离度大于55dB,转换时间小于50μs。
-
关键词
PIN二极管
单刀四掷开关(sp4t)
峰值功率
隔离度
转换时间
-
Keywords
pin diode
single pole four through（sp4t）
peak power
isolation
transfer time
-
分类号
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名DC～35GHz超宽带单刀四掷开关单片集成电路
被引量：5
- 2
-
-
作者
谭超
-
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期576-580,共5页
-
文摘
设计了一款工作频率为DC～35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁场仿真验证,在GaAs PHEMT工艺线上进行了流片,对制作的芯片进行了在片测试,测试结果表明,在DC～35 GHz频率范围内,单刀四掷单片开关的插入损耗(IL)小于3.5 dB,隔离度大于30 dB,回波损耗小于-10 dB,易于控制,满足设计要求,在微波电路T/R组件中有很好的应用前景。目前未见同类超宽带单刀四掷单片开关的相关报道。
-
关键词
超宽带
单刀四掷(sp4t)
单片集成电路(MMIC)
2译码器
砷化镓
-
Keywords
uhra-wideband
single-pole four-throw （sp4t）
microwave monolithic integrated circuit （MMIC）
2：4 encoder
GaAs
-
分类号
TM564
[电气工程—电器]
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试
- 3
-
-
作者
睢林
曹咏弘
王耀利
张凯旗
张翀
程亚昊
-
机构
中北大学仪器与电子学院
中北大学前沿交叉科学研究院
中北大学电气与控制学院
-
出处
《半导体技术》
北大核心
2024年第1期97-102,共6页
-
文摘
为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示,1~8 GHz内,器件的插入损耗为-15~-35 dB,回波损耗为-15~-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。
-
关键词
射频器件
无损测试
各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构
GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFEt)
单刀八掷(sp8t)开关
插入损耗
-
Keywords
RF device
non-destructive testing
anisotropic conductive film Z axis(ACF-Z)con-nection structure
GaAs metal semiconductor field effect transistor(MESFEt)
single-pole eight-throw(sp8t)switch
insertion loss
-
分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名一种高性能X波段GaAs开关滤波器芯片
被引量：4
- 4
-
-
作者
王胜福
世娟
-
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
-
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第8期592-596,共5页
-
文摘
基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能。输入和输出SP4T开关结构相同,各支路都采用串-并联混合形式实现。驱动器集成在片内,由一位低电平(0~0.4 V)或高电平(3.3~5.5 V)信号控制SP4T开关中某一支路的导通或关断。带通滤波器采用分布参数梳状线结构,开路端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容,减小滤波器尺寸的同时拓宽了其阻带带宽。该开关滤波器芯片频率覆盖9.85~12.4 GHz,尺寸为4.5 mm×4.5 mm×0.15 mm。探针在片测试结果表明,开关滤波器芯片4个支路的中心插入损耗均小于6.2 dB,通带内回波损耗优于17 dB,典型的带外衰减大于40 dB。
-
关键词
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMt)
单刀四掷(sp4t)开关
带通滤波器
开关滤波器
微波单片集成电路(MMIC)
-
Keywords
GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMt)
single-pole four-throw(sp4t) switch
band-pass filter
switching filter
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
-
分类号
TN713
[电子电信—电路与系统]
TN40
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC
- 5
-
-
作者
李远鹏
陈长友
刘会东
-
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
-
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第8期706-712,共7页
-
文摘
基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选择,采用三串两并结构,提高了通道间隔离度。带通滤波器组采用多级LC谐振器实现,最小、最大相对带宽分别为18%和100%,可用于宽带及窄带滤波器设计,具有通带插入损耗小,阻带抑制度高等优点。末级级联低通滤波器,实现远端寄生通带抑制大于35 dBc。在片探针测试结果显示,该开关滤波器组芯片在2~6 GHz频率范围内,每个带通滤波器的插入损耗均小于8.5 dB,阻带衰减为40 dB。该芯片具有通道多、功能复杂、集成度高的特点,可应用于宽带雷达系统进行频率预选。
-
关键词
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMt)
单片微波集成电路(MMIC)
带通滤波器
低通滤波器
单刀八掷(sp8t)开关
3-8译码器
驱动器
-
Keywords
pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMt)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
band-pass filter
low-pass filter
single-pole eight-throw(sp8t)switch
3-8 decoder
driver
-
分类号
TN713.5
[电子电信—电路与系统]
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
