设计并实现了5mm（U频段）单刀双掷（Single Pole Double Throw，SPDT）开关模块。该开关模块采用鳍线并联PIN二极管电路结构形式，通过采用一种全新的高隔离度措施，获得高隔离、低插损开关特性。经加工测试，开关模块在50～56GHz频带...设计并实现了5mm（U频段）单刀双掷（Single Pole Double Throw，SPDT）开关模块。该开关模块采用鳍线并联PIN二极管电路结构形式，通过采用一种全新的高隔离度措施，获得高隔离、低插损开关特性。经加工测试，开关模块在50～56GHz频带内隔离度大于50dB，插损小于2．3dB。该模块已应用于5mm射频组件中。展开更多
基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC^26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关。首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然后对比了不同倒装情况对芯片性能的影响进而提出对倒装无源元器件和Ga...基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC^26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关。首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然后对比了不同倒装情况对芯片性能的影响进而提出对倒装无源元器件和GaAs PHEMT开关建模的概念,利用建模软件提取了相应的模型;对倒装单刀双掷开关MMIC的设计进行了详细阐述;对制备的倒装单刀双掷开关MMIC进行测试。测试结果表明,回波损耗大于15 d B,插损小于2.8 d B,隔离度大于28 d B。最后对芯片进行温度循环试验和恒定加速度试验,验证了这款基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC的可靠性。展开更多
文摘设计并实现了5mm（U频段）单刀双掷（Single Pole Double Throw，SPDT）开关模块。该开关模块采用鳍线并联PIN二极管电路结构形式，通过采用一种全新的高隔离度措施，获得高隔离、低插损开关特性。经加工测试，开关模块在50～56GHz频带内隔离度大于50dB，插损小于2．3dB。该模块已应用于5mm射频组件中。
文摘基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC^26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关。首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然后对比了不同倒装情况对芯片性能的影响进而提出对倒装无源元器件和GaAs PHEMT开关建模的概念,利用建模软件提取了相应的模型;对倒装单刀双掷开关MMIC的设计进行了详细阐述;对制备的倒装单刀双掷开关MMIC进行测试。测试结果表明,回波损耗大于15 d B,插损小于2.8 d B,隔离度大于28 d B。最后对芯片进行温度循环试验和恒定加速度试验,验证了这款基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC的可靠性。
