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一种高可靠大功率单刀三掷开关模块设计被引量：2: 1; 作者王璐胡永军 +1 位作者马建军汤寅《电子与封装》 2018年第11期22-24,43,共4页; 利用三维电磁仿真工具,选取自主开发的大功率PIN二极管芯片,结合不同结构的管壳进行了仿真,同时考虑了管壳的气密性、腔体内部多余物的控制和引线的牢度等可靠性问题,设计出一种串联式高可靠大功率单刀三掷开关模块。该模块工作频率小于... 展开更多; 关键词大功率单刀三掷高可靠; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关: 2; 作者章军云齐志央 +5 位作者凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期357-362,共6页; 研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开... 展开更多; 关键词铝镓砷砷化镓异质结 PIN二极管毫米波单刀三掷开关; 在线阅读下载PDF 职称材料

带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计: 3; 作者杨柳《通信电源技术》 2023年第5期23-26,共4页; 设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱... 展开更多; 关键词微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(E/D)高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高功率低谐波单刀三掷开关组合设计被引量：1: 4; 作者林维涛石强《现代雷达》 CSCD 北大核心 2020年第3期68-72,共5页; 基于PIN二极管开关工作原理,提出了一种双波段高功率低谐波单刀三掷开关组合的设计方法。开关组合集成电源变换、控制电路与两个单刀三掷开关,可实现对六个通道的控制。通过增加滤波电路的方式,使得每个通道具有低谐波特性。该开关组合... 展开更多; 关键词高功率低谐波单刀三掷开关组合; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种VHF波段2000W单刀三掷开关的设计被引量：3: 5; 作者向虎黄建峰 +1 位作者梁庆山易真《雷达与对抗》 2012年第3期36-39,共4页; 介绍了大功率PIN开关的设计原理。采用这一原理设计了VHF波段大功率单刀三掷开关。开关在小信号下插入损耗小于0.3 dB,施加脉冲功率2000 W时插入损耗小于0.6 dB。; 关键词 VHF波段单刀三掷开关大功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于GaAs pin工艺的开关滤波器组芯片被引量：6: 6; 作者世娟白志中《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期570-574,605,共6页; 基于GaAs pin工艺,研制了频率覆盖9.9~14.2GHz的三通道开关滤波器组单片微波集成电路（MMIC）芯片。开关滤波器组由输入/输出pin单刀三掷开关、带通滤波器组和pin开关偏置电路组合而成,集成在面积为4mm×4mm的GaAs衬底芯片上。每个... 展开更多; 关键词单刀三掷开关带通滤波器开关滤波器组 GAAS pin工艺耦合系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高可靠大功率单刀三掷开关模块设计被引量：2: 1; 作者王璐胡永军马建军汤寅; 机构中国电子科技集团公司第五十五研究所; 出处《电子与封装》 2018年第11期22-24,43,共4页; 文摘利用三维电磁仿真工具,选取自主开发的大功率PIN二极管芯片,结合不同结构的管壳进行了仿真,同时考虑了管壳的气密性、腔体内部多余物的控制和引线的牢度等可靠性问题,设计出一种串联式高可靠大功率单刀三掷开关模块。该模块工作频率小于1 GHz,在150 W连续波输入功率下,带内插损小于0.12 d B,隔离度大于25 d B。; 关键词大功率单刀三掷高可靠; Keywords high power SP3T high reliability; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关: 2; 作者章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜; 机构南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期357-362,共6页; 文摘研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。; 关键词铝镓砷砷化镓异质结 PIN二极管毫米波单刀三掷开关; Keywords AlGaAs GaAs heterojunction PIN diode millimeter-wave SP3T switch; 分类号 TN312.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计: 3; 作者杨柳; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《通信电源技术》 2023年第5期23-26,共4页; 文摘设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱动电路采用直接耦合场效应晶体管逻辑(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic,DCFL)式逻辑电路,具有结构简单、功耗低的优点。版图经过合理布局后,芯片尺寸为1.5 mm×2 mm。测试结果表明:在DC-18 GHz频段内,芯片插入损耗小于3.5 dB,隔离度大于50 dB。芯片采用5 V/0 V逻辑控制,开关速度小于8 ns,1 dB压缩输入功率23 dBm。; 关键词微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(E/D)高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL); Keywords Monolithic Microwave Integrated Circuit(MMIC) Enhanced/Depleted(E/D)Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor(PHEMT) Single-Pole Three-Throw(SP3T)switch digital driver Direct Coupled Field Effect Transistor Logic(DCFL); 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高功率低谐波单刀三掷开关组合设计被引量：1: 4; 作者林维涛石强; 机构天线与微波技术重点实验室南京电子技术研究所成都泰格微波技术股份有限公司; 出处《现代雷达》 CSCD 北大核心 2020年第3期68-72,共5页; 文摘基于PIN二极管开关工作原理,提出了一种双波段高功率低谐波单刀三掷开关组合的设计方法。开关组合集成电源变换、控制电路与两个单刀三掷开关,可实现对六个通道的控制。通过增加滤波电路的方式,使得每个通道具有低谐波特性。该开关组合在所设计的频率范围内,性能指标优良,VSWR小于1.3,低波段插入损耗小于0.4 dB,高波段插入损耗小于0.85 dB,承受功率均达到4 kW,10%占空比,具有良好的二次谐波及三次谐波特性。; 关键词高功率低谐波单刀三掷开关组合; Keywords high power low harmonic SP3T switch group; 分类号 TM564 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种VHF波段2000W单刀三掷开关的设计被引量：3: 5; 作者向虎黄建峰梁庆山易真; 机构南京国博电子有限公司中国航天科工集团第八五一一研究所; 出处《雷达与对抗》 2012年第3期36-39,共4页; 文摘介绍了大功率PIN开关的设计原理。采用这一原理设计了VHF波段大功率单刀三掷开关。开关在小信号下插入损耗小于0.3 dB,施加脉冲功率2000 W时插入损耗小于0.6 dB。; 关键词 VHF波段单刀三掷开关大功率; Keywords VHF-band single-pole triple-throw switch high power; 分类号 TN312.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于GaAs pin工艺的开关滤波器组芯片被引量：6: 6; 作者世娟白志中; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所空军军械通用装备军事代表局; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期570-574,605,共6页; 文摘基于GaAs pin工艺,研制了频率覆盖9.9~14.2GHz的三通道开关滤波器组单片微波集成电路（MMIC）芯片。开关滤波器组由输入/输出pin单刀三掷开关、带通滤波器组和pin开关偏置电路组合而成,集成在面积为4mm×4mm的GaAs衬底芯片上。每个支路的pin开关都采用串-并混合结构,控制电压-5V时开关导通,＋5V时开关截止。带通滤波器均采用分布参数梳状线结构,开路端加载金属-绝缘体-金属（MIM）电容减小了滤波器的尺寸。经探针台在片测试,结果表明,开关滤波器组MMIC芯片的三个通道中心插损为3.5~4.0dB,1dB相对带宽为16%~19%,35dB与1dB矩形系数比为1.9~2.2。; 关键词单刀三掷开关带通滤波器开关滤波器组 GAAS pin工艺耦合系数; Keywords single pole triple throw switch bandpass filter switched filter bank GaAs pin tech- nology coupling coefficient; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种高可靠大功率单刀三掷开关模块设计	王璐胡永军马建军汤寅	《电子与封装》	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关	章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计	杨柳	《通信电源技术》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种高功率低谐波单刀三掷开关组合设计	林维涛石强	《现代雷达》 CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种VHF波段2000W单刀三掷开关的设计	向虎黄建峰梁庆山易真	《雷达与对抗》	2012	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于GaAs pin工艺的开关滤波器组芯片	世娟白志中	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	6	在线阅读下载PDF 职称材料