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基于GaN全桥LLC谐振变换器交错并联系统的损耗分析
被引量：
2
1
作者
高圣伟
贺琛
+1 位作者
刘赫
董晨名
《天津工业大学学报》
CAS
北大核心
2021年第2期52-63,共12页
为提高全桥LLC谐振变换器交错并联(FBLLC-SP)系统的效率,且使其理论损耗与实际运行损耗更贴近,对比Cascode型GaN HEMT向系统引入单体增强型GaN HEMT,并将其寄生参数引入到损耗模型中,建立了一种适用于单移相(SPS)开环控制和三移相(TPS)...
为提高全桥LLC谐振变换器交错并联(FBLLC-SP)系统的效率,且使其理论损耗与实际运行损耗更贴近,对比Cascode型GaN HEMT向系统引入单体增强型GaN HEMT,并将其寄生参数引入到损耗模型中,建立了一种适用于单移相(SPS)开环控制和三移相(TPS)双闭环控制的FBLLC-SP系统精准损耗模型;给出最佳死区时间计算方法,并分析了FBLLC-SP系统在单移相(SPS)开环控制下的理论损耗,提出了不同模态GaN HEMT的暂态损耗和各种通态损耗的精准计算方法;搭建了FBLLC-SP系统损耗模型仿真系统。实验结果表明:本文损耗模型的损耗值比系统实际运行损耗最多高约0.6%,说明本文建立的精细化损耗模型可用于分析系统的实际运行损耗。
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关键词
单体增强型gan
HEMT
交错并联全桥LLC谐振变换器
寄生参数
单移相控制
三移相控制
损耗分析
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职称材料
题名
基于GaN全桥LLC谐振变换器交错并联系统的损耗分析
被引量：
2
1
作者
高圣伟
贺琛
刘赫
董晨名
机构
天津工业大学天津市电工电能新技术重点实验室
天津金沃能源科技股份有限公司
出处
《天津工业大学学报》
CAS
北大核心
2021年第2期52-63,共12页
基金
国家自然科学基金资助项目(51807139)
天津市科技计划资助项目(20YDTPJC01520)
天津市研究生科研创新项目(2019YJSS026)。
文摘
为提高全桥LLC谐振变换器交错并联(FBLLC-SP)系统的效率,且使其理论损耗与实际运行损耗更贴近,对比Cascode型GaN HEMT向系统引入单体增强型GaN HEMT,并将其寄生参数引入到损耗模型中,建立了一种适用于单移相(SPS)开环控制和三移相(TPS)双闭环控制的FBLLC-SP系统精准损耗模型;给出最佳死区时间计算方法,并分析了FBLLC-SP系统在单移相(SPS)开环控制下的理论损耗,提出了不同模态GaN HEMT的暂态损耗和各种通态损耗的精准计算方法;搭建了FBLLC-SP系统损耗模型仿真系统。实验结果表明:本文损耗模型的损耗值比系统实际运行损耗最多高约0.6%,说明本文建立的精细化损耗模型可用于分析系统的实际运行损耗。
关键词
单体增强型gan
HEMT
交错并联全桥LLC谐振变换器
寄生参数
单移相控制
三移相控制
损耗分析
Keywords
monomer enhanced
gan
HEMT
staggered parallel full-bridge LLC resonant converter
parasitic parameter
single phase shift(SPS)control
three phase shift(TPS)control
loss analysis
分类号
TM46.1 [电气工程—电器]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GaN全桥LLC谐振变换器交错并联系统的损耗分析
高圣伟
贺琛
刘赫
董晨名
《天津工业大学学报》
CAS
北大核心
2021
2
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