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p-GaN与Ni/Pt欧姆接触的研究
被引量：
1
1
作者
成彩晶
张向锋
丁嘉欣
《红外》
CAS
2008年第3期16-19,共4页
本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究。I-V变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度。在148K～3...
本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究。I-V变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度。在148K～323K范围内,单位接触电阻R_c随测试温度T的升高趋于呈指数下降,表明Ni/Pt与p-GaN欧姆接触的电流传输机制遵循热电子发射。
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关键词
欧姆
接触
单位接触电阻
I-V曲线
变温测试
电流传输机制
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职称材料
题名
p-GaN与Ni/Pt欧姆接触的研究
被引量：
1
1
作者
成彩晶
张向锋
丁嘉欣
机构
中国空空导弹研究院光电所
出处
《红外》
CAS
2008年第3期16-19,共4页
文摘
本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究。I-V变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度。在148K～323K范围内,单位接触电阻R_c随测试温度T的升高趋于呈指数下降,表明Ni/Pt与p-GaN欧姆接触的电流传输机制遵循热电子发射。
关键词
欧姆
接触
单位接触电阻
I-V曲线
变温测试
电流传输机制
Keywords
Ohmic contact
specific contact resistance
I-V curves
various temperature measurement
current transmission mechanism
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p-GaN与Ni/Pt欧姆接触的研究
成彩晶
张向锋
丁嘉欣
《红外》
CAS
2008
1
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