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4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT
被引量：
3
1
作者
任春江
李忠辉
+4 位作者
焦刚
董逊
李肖
陈堂胜
李拂晓
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期320-324,共5页
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/...
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。
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关键词
氮化镓
高电子迁移率晶体管
二维电子气
单位截止频率
最高振荡
频率
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职称材料
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制
被引量：
3
2
作者
邵刚
刘新宇
+4 位作者
和致经
刘键
魏珂
陈晓娟
吴德馨
《电子器件》
CAS
2004年第3期381-384,共4页
基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f...
基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。
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关键词
ALGAN/GAN
HEMT
微波功率
单位截止频率
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职称材料
题名
4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT
被引量：
3
1
作者
任春江
李忠辉
焦刚
董逊
李肖
陈堂胜
李拂晓
机构
单片集成电路与模块国家级重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期320-324,共5页
文摘
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。
关键词
氮化镓
高电子迁移率晶体管
二维电子气
单位截止频率
最高振荡
频率
Keywords
GaN
HEMT
2DEG
unit current gain frequency
maximum oscillation frequency
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制
被引量：
3
2
作者
邵刚
刘新宇
和致经
刘键
魏珂
陈晓娟
吴德馨
机构
中国科学院微电子研究所四室
出处
《电子器件》
CAS
2004年第3期381-384,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划资助项目 ( 2 0 0 2 CB3 1 1 90 3 )
中国科学院重点创新资助项目 ( KGCX2 -SW-1 0 7)
文摘
基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。
关键词
ALGAN/GAN
HEMT
微波功率
单位截止频率
Keywords
AlGaN/GaN
heterostructure field effect transistors(HEMTs)
microwave power
unit cutoff frequency
分类号
TN325 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT
任春江
李忠辉
焦刚
董逊
李肖
陈堂胜
李拂晓
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
在线阅读
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职称材料
2
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制
邵刚
刘新宇
和致经
刘键
魏珂
陈晓娟
吴德馨
《电子器件》
CAS
2004
3
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职称材料
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