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低噪声高单位增益带宽双极型运放设计
被引量:
2
1
作者
倪雪梅
成立
+3 位作者
杨宁
严鸣
凌新
周洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期388-392,共5页
设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pn...
设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽。对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验。结果表明,当电源电压为2.5 V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80 dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203 MHz,在10 kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2 nV/Hz^(1/Hz),因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中。
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关键词
锗硅
双极型晶体管
三级级联运算放大器
低噪声
高
单位增益带宽
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职称材料
一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器
被引量:
5
2
作者
朱小珍
柴常春
朱樟明
《现代电子技术》
2006年第3期68-71,共4页
设计并讨论了一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器。由于折叠共源共栅结构电路具有相对高的单位增益带宽以及开关电容共模反馈电路稳定性好、对运放频率特性影响小等优点,故设计的放大器采用了折叠共源共栅结构以及开关电容共模反...
设计并讨论了一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器。由于折叠共源共栅结构电路具有相对高的单位增益带宽以及开关电容共模反馈电路稳定性好、对运放频率特性影响小等优点,故设计的放大器采用了折叠共源共栅结构以及开关电容共模反馈电路技术,并达到了高单位增益带宽的设计目的。基于TSMC0·25μmCMOS工艺,仿真结果表明,在2·5V的单电源电压下,运算放大器的直流开环增益为70dB,单位增益带宽为500MHz。
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关键词
单位增益带宽
折叠共源共栅
开关电容共模反馈
全差分
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职称材料
高增益四级运放频率补偿技术
被引量:
1
3
作者
陆燕锋
何乐年
+1 位作者
陈俊晓
王煊
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期2137-2141,共5页
为改善四级运放不易稳定和单位增益带宽较窄的特性,提出一种新的四级运放频率补偿技术.采用多路嵌套式密勒补偿技术,实现左半平面零点和右半平面零点分离,并通过额外增加一条前馈通路产生左半平面零点,抵消了一个极点,简化了四级运放的...
为改善四级运放不易稳定和单位增益带宽较窄的特性,提出一种新的四级运放频率补偿技术.采用多路嵌套式密勒补偿技术,实现左半平面零点和右半平面零点分离,并通过额外增加一条前馈通路产生左半平面零点,抵消了一个极点,简化了四级运放的频率补偿问题.通过将次极点向高频的推移以及次极点和单位增益带宽比例大小的合理设计,不仅保证了运放的稳定,同时增大了运放的单位增益带宽.经台积电(TSMC)0.25μm互补金属氧化物半导体(CMOS)混合信号工艺仿真和流片测试结果显示,该四级运放仅消耗0.842mW功耗,0.150mm2的芯片面积,在3.6V电源电压下具有60.15°的相位裕度,2.42MHz的单位增益带宽,大于150dB的直流增益.
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关键词
多路嵌套密勒补偿
零极点抵消
单位增益带宽
相位裕度
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职称材料
一种轨对轨两级CMOS运算放大器的设计
4
作者
赵武
马云飞
+2 位作者
王召
程卫东
张志勇
《西北大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期960-963,共4页
目的设计一个具有轨对轨输入和输出摆幅的两级CMOS运算放大器。方法输入级采用两对单一类型的n沟道差分对管作为输入管,用两个相同的n沟道源跟随器来完成输入电平的直流电平转移,实现了轨对轨的输入摆幅;输出级采用前馈甲乙类控制的轨...
目的设计一个具有轨对轨输入和输出摆幅的两级CMOS运算放大器。方法输入级采用两对单一类型的n沟道差分对管作为输入管,用两个相同的n沟道源跟随器来完成输入电平的直流电平转移,实现了轨对轨的输入摆幅;输出级采用前馈甲乙类控制的轨对轨输出级,保证了轨对轨的输出摆幅和较强的驱动能力。结果用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该放大器进行了仿真,开环电压增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到了113.57dB,11.9MHz和53,°输入级跨导的变化在±5%内。结论所设计运算放大器其输入和输出摆幅为轨对轨,满足设计所提要求。
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关键词
轨对轨
AB类
单位增益带宽
相位裕度
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职称材料
一种极低功耗运算放大器的设计与仿真
5
作者
骆丽
蔡晓伟
宫琦
《北京交通大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期72-75,共4页
为了满足低电压低功耗的应用需求,本文利用MOSFET在亚阈区的超低功耗特性,实现了一种带共模反馈的亚阈运算放大器.该亚阈运算放大器结构简单,采用TSMC 0.18μm工艺实现,且工作于1.2 V电源电压下.通过Synopsys Hspice仿真,结果表明,该电...
为了满足低电压低功耗的应用需求,本文利用MOSFET在亚阈区的超低功耗特性,实现了一种带共模反馈的亚阈运算放大器.该亚阈运算放大器结构简单,采用TSMC 0.18μm工艺实现,且工作于1.2 V电源电压下.通过Synopsys Hspice仿真,结果表明,该电路在输出负载为0.5pF时直流增益为70.97 dB、单位增益带宽6.346 MHz、相位裕度85.76°、正负压摆率分别为3.58V/μs和-3.58 V/μs,功耗仅为4.80μW.
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关键词
极低功耗
亚阈
运算放大器
直流
增益
单位增益带宽
相位裕度
压摆率
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职称材料
题名
低噪声高单位增益带宽双极型运放设计
被引量:
2
1
作者
倪雪梅
成立
杨宁
严鸣
凌新
周洋
机构
江苏大学电气与信息工程学院
镇江市
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期388-392,共5页
基金
国家"863"计划项目(2006AA10Z258)
文摘
设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽。对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验。结果表明,当电源电压为2.5 V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80 dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203 MHz,在10 kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2 nV/Hz^(1/Hz),因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中。
关键词
锗硅
双极型晶体管
三级级联运算放大器
低噪声
高
单位增益带宽
Keywords
SiGe
BJT
three stage operational amplifier
low-noise
high unity-gain-bandwidth
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
TN72 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器
被引量:
5
2
作者
朱小珍
柴常春
朱樟明
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《现代电子技术》
2006年第3期68-71,共4页
基金
国家自然科学基金(60476046)
国家部委基金(51408010205DZ0164)
文摘
设计并讨论了一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器。由于折叠共源共栅结构电路具有相对高的单位增益带宽以及开关电容共模反馈电路稳定性好、对运放频率特性影响小等优点,故设计的放大器采用了折叠共源共栅结构以及开关电容共模反馈电路技术,并达到了高单位增益带宽的设计目的。基于TSMC0·25μmCMOS工艺,仿真结果表明,在2·5V的单电源电压下,运算放大器的直流开环增益为70dB,单位增益带宽为500MHz。
关键词
单位增益带宽
折叠共源共栅
开关电容共模反馈
全差分
Keywords
unity - gain bandwidth
folded - cascode
switched - capacitor CMFB
fully differential
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高增益四级运放频率补偿技术
被引量:
1
3
作者
陆燕锋
何乐年
陈俊晓
王煊
机构
浙江大学超大规模集成电路设计所
出处
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期2137-2141,共5页
文摘
为改善四级运放不易稳定和单位增益带宽较窄的特性,提出一种新的四级运放频率补偿技术.采用多路嵌套式密勒补偿技术,实现左半平面零点和右半平面零点分离,并通过额外增加一条前馈通路产生左半平面零点,抵消了一个极点,简化了四级运放的频率补偿问题.通过将次极点向高频的推移以及次极点和单位增益带宽比例大小的合理设计,不仅保证了运放的稳定,同时增大了运放的单位增益带宽.经台积电(TSMC)0.25μm互补金属氧化物半导体(CMOS)混合信号工艺仿真和流片测试结果显示,该四级运放仅消耗0.842mW功耗,0.150mm2的芯片面积,在3.6V电源电压下具有60.15°的相位裕度,2.42MHz的单位增益带宽,大于150dB的直流增益.
关键词
多路嵌套密勒补偿
零极点抵消
单位增益带宽
相位裕度
Keywords
multipath nested Miller compensation
zero-pole cancellation
unity-gain bandwidth
phase margin
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
一种轨对轨两级CMOS运算放大器的设计
4
作者
赵武
马云飞
王召
程卫东
张志勇
机构
西北大学信息科学与技术学院
西安微电子技术研究所
出处
《西北大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期960-963,共4页
基金
教育部"春晖"计划基金资助项目(Z2005-1-61001)
文摘
目的设计一个具有轨对轨输入和输出摆幅的两级CMOS运算放大器。方法输入级采用两对单一类型的n沟道差分对管作为输入管,用两个相同的n沟道源跟随器来完成输入电平的直流电平转移,实现了轨对轨的输入摆幅;输出级采用前馈甲乙类控制的轨对轨输出级,保证了轨对轨的输出摆幅和较强的驱动能力。结果用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该放大器进行了仿真,开环电压增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到了113.57dB,11.9MHz和53,°输入级跨导的变化在±5%内。结论所设计运算放大器其输入和输出摆幅为轨对轨,满足设计所提要求。
关键词
轨对轨
AB类
单位增益带宽
相位裕度
Keywords
rail-to-rail
elass-AB
unity-gain bandwidth
phase margin
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种极低功耗运算放大器的设计与仿真
5
作者
骆丽
蔡晓伟
宫琦
机构
北京交通大学电子信息工程学院
出处
《北京交通大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期72-75,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60976024)
文摘
为了满足低电压低功耗的应用需求,本文利用MOSFET在亚阈区的超低功耗特性,实现了一种带共模反馈的亚阈运算放大器.该亚阈运算放大器结构简单,采用TSMC 0.18μm工艺实现,且工作于1.2 V电源电压下.通过Synopsys Hspice仿真,结果表明,该电路在输出负载为0.5pF时直流增益为70.97 dB、单位增益带宽6.346 MHz、相位裕度85.76°、正负压摆率分别为3.58V/μs和-3.58 V/μs,功耗仅为4.80μW.
关键词
极低功耗
亚阈
运算放大器
直流
增益
单位增益带宽
相位裕度
压摆率
Keywords
ultra-low power
sub-threshold
operation amplifier
DC gain
unity gain bandwidth
phase margin
slew rate
分类号
TN495 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低噪声高单位增益带宽双极型运放设计
倪雪梅
成立
杨宁
严鸣
凌新
周洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
在线阅读
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职称材料
2
一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器
朱小珍
柴常春
朱樟明
《现代电子技术》
2006
5
在线阅读
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职称材料
3
高增益四级运放频率补偿技术
陆燕锋
何乐年
陈俊晓
王煊
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
一种轨对轨两级CMOS运算放大器的设计
赵武
马云飞
王召
程卫东
张志勇
《西北大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
一种极低功耗运算放大器的设计与仿真
骆丽
蔡晓伟
宫琦
《北京交通大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
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