静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟 被引量：5

1

作者 郭红霞 陈雨生 +2 位作者 周辉 贺朝会 李永宏 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2003年第6期508-512,共5页

采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LE... 采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7 73×10-14C。 展开更多

关键词 静态随机存储器 单粒子翻转 seu SRAM 电荷漏斗模型 加速器

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基于Scrubbing的空间SRAM型FPGA抗单粒子翻转系统设计 被引量：12

2

作者 马寅 安军社 +1 位作者 王连国 孙伟 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期270-276,共7页

基于SRAM工艺的FPGA在空间环境下容易受到单粒子翻转(Single Event Upsets,SEU)的影响而导致信息丢失或功能中断.在详细讨论三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)和刷新(Scrubbing)的重要原理及实现细节的基础上,实现了一种高可靠性... 基于SRAM工艺的FPGA在空间环境下容易受到单粒子翻转(Single Event Upsets,SEU)的影响而导致信息丢失或功能中断.在详细讨论三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)和刷新(Scrubbing)的重要原理及实现细节的基础上,实现了一种高可靠性、TMR+Scrubbing+Reload的容错系统设计,用反熔丝型FPGA对SRAM型FPGA的配置数据进行毫秒级周期刷新,同时对两个FPGA均做TMR处理.该容错设计已实际应用于航天器电子系统,可为高可靠性电子系统设计提供参考. 展开更多

关键词 单粒子翻转(seu) 三模冗余(TMR) 刷新(Scrubbing) FPGA容错

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MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟 被引量：4

3

作者 郭红霞 张义门 +5 位作者 陈雨生 周辉 肖伟坚 龚仁喜 贺朝会 龚建成 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期461-464,共4页

用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算 ,力图从理论上建立分析器件单粒子翻转的可靠手段 .通过输入不同粒子的线性能量传输值 ,得到了某一结构器件的翻转概率与线性能量传输值的关系曲线 .分析了不同结构参数的变化... 用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算 ,力图从理论上建立分析器件单粒子翻转的可靠手段 .通过输入不同粒子的线性能量传输值 ,得到了某一结构器件的翻转概率与线性能量传输值的关系曲线 .分析了不同结构参数的变化对单粒子翻转的影响 .模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合 。 展开更多

关键词 MOSFET 二维数值模拟 单粒子翻转 线性能量传输 电荷漏斗模型 seu

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面向航空环境的多时钟单粒子翻转故障注入方法 被引量：5

4

作者 薛茜男 李振 +2 位作者 姜承翔 王鹏 田毅 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第6期1504-1508,共5页

随着新型电子器件越来越多地被机载航电设备所采用,单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)故障已经成为影响航空飞行安全的重大隐患。首先,针对由于单粒子翻转故障的随机性,该文对不同时刻发生的单粒子翻转故障引入了多时钟控制,构建了SE... 随着新型电子器件越来越多地被机载航电设备所采用,单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)故障已经成为影响航空飞行安全的重大隐患。首先,针对由于单粒子翻转故障的随机性,该文对不同时刻发生的单粒子翻转故障引入了多时钟控制,构建了SEU故障注入测试系统。然后模拟真实情况下单粒子效应引发的多时间点故障,研究了单粒子效应对基于FPGA构成的时序电路的影响,并在线统计了被测模块的失效数据和失效率。实验结果表明,对于基于FPGA构建容错电路,采用多时钟沿三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)加固技术可比传统TMR技术提高约1.86倍的抗SEU性能;该多时钟SEU故障注入测试系统可以快速、准确、低成本地实现单粒子翻转故障测试,从而验证了SEU加固技术的有效性。 展开更多

关键词 机载电子器件 单粒子翻转(seu) 故障注入 抗辐射加固技术 FPGA

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面向独热编码的有限状态机抗单粒子翻转设计 被引量：7

5

作者 王鹏 邓智 范毓洋 《电讯技术》 北大核心 2022年第8期1178-1183,共6页

在空间高能粒子影响下,电路容易发生单粒子翻转,而在电路设计中处于核心地位的有限状态机一旦受到单粒子翻转影响,可能无法进行正常的状态转移,从而导致有限状态机失去数据控制功能。为此,面向独热编码的有限状态机进行了抗单粒子翻转设... 在空间高能粒子影响下,电路容易发生单粒子翻转,而在电路设计中处于核心地位的有限状态机一旦受到单粒子翻转影响,可能无法进行正常的状态转移,从而导致有限状态机失去数据控制功能。为此,面向独热编码的有限状态机进行了抗单粒子翻转设计,并以航空全双工交换以太网中的入队数据总线控制模块作为验证模型,通过故障注入验证了设计方法的正确性。最后对该设计进行了可靠性评估,结果表明相比于传统的三模冗余加固方法,该方法的失效概率降低了两个数量级,此外还能根据实际需求调整纠正位数。相比于编码方式,该方法采用的逻辑更简单,更便于设计人员的开发和使用,具有较强的实用性。 展开更多

关键词 有限状态机(FSM) 独热码 单粒子翻转(seu) 可靠性评估

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一种新型单粒子翻转加固SRAM单元 被引量：3

6

作者 刘鸿瑾 李天文 +3 位作者 稂时楠 张建锋 刘群 袁大威 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期941-948,共8页

随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢... 随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢复时间等方面对传统加固单元和新结构进行了对比与分析。结果表明新型SEU加固SRAM单元具有更高的临界电荷和更低的SEU恢复时间。由于其只有两个翻转敏感节点对,新结构抗SEU的能力优于ROCK,Quatrol和JUNG结构。新提出的结构以较小的面积和性能代价,显著提高SRAM单元抗SEU能力,可有效降低SRAM型存储器在深亚微米工艺节点的软错误率。 展开更多

关键词 单粒子翻转(seu) 静态随机存储器(SRAM) 抗辐照加固设计 多节点翻转 存储器

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基于TSV转接板的3D SRAM单粒子多位翻转效应 被引量：1

7

作者 王荣伟 范国芳 +1 位作者 李博 刘凡宇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期229-235,254,共8页

为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D封装SRAM模型,并选取6组相同线性能量传递(LET)值、不同能量的离子(^(11)B与^4He、^(28)Si与^(19)... 为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D封装SRAM模型,并选取6组相同线性能量传递(LET)值、不同能量的离子(^(11)B与^4He、^(28)Si与^(19)F、^(58)Ni与^(27)Si、^(86)Kr与^(40)Ca、^(107)Ag与^(74)Ge、^(181)Ta与^(132)Xe)进行蒙特卡洛仿真。结果表明,对于2层堆叠的TSV 3D封装SRAM,低能离子入射时,在Si路径下,下堆叠层SRAM多位翻转率比上堆叠层高,在TSV(Cu)路径下,下堆叠层SRAM多位翻转率比Si路径下更大;具有相同LET值的高能离子产生的影响较小。相比2D SRAM,在空间辐射环境中使用基于TSV转接板技术的3D封装SRAM时,需要进行更严格的评估。 展开更多

关键词 硅通孔(TSV)转接板 三维静态随机存储器(SRAM) 单粒子翻转(seu) 重离子 多位翻转(MBU) Geant4软件

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美国几架航天飞机所发生的SEU研究 被引量：8

8

作者 古士芬 臧振群 +1 位作者 师立勤 吴中华 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期253-260,共8页

本文对1991年美国发射的5架不同倾角不同高度的低地球轨道航天飞机所遇到的单粒子翻转事件进行了考查和研究．结果证实在极光区和南大西洋异常区仍可能发生大量单粒子事件，大大地影响到航天器的安全，对此文中给出了一些结论和建议．

关键词 航天器异常 航天飞机 单粒子翻转事件 seu

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一种SEU实验数据的处理方法 被引量：6

9

作者 黄建国 韩建伟 +6 位作者 林云龙 黄治 路秀琴 张新 符长波 郭继宇 赵葵 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期268-274,共7页

对SEU数据—特别是看似不理想,但却包含了丰富的物理信息的所谓“坏数据”—的处理方法进行了分析讨论,并具体针对IDT7164器件的SEU数据进行了处理,从中得到了死层厚度、灵敏体积厚度、能量阈值等进行单粒子翻转预测所需要的关键参数,... 对SEU数据—特别是看似不理想,但却包含了丰富的物理信息的所谓“坏数据”—的处理方法进行了分析讨论,并具体针对IDT7164器件的SEU数据进行了处理,从中得到了死层厚度、灵敏体积厚度、能量阈值等进行单粒子翻转预测所需要的关键参数,并就如何根据国内加速器的实际情况开展有针对性的单粒子效应模拟试验提出了一些初步想法. 展开更多

关键词 单粒子翻转 灵敏体积 seu数据 空间环境效应 数据处理方法 卫星 单粒子效应

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基因循环存储模块的SEU自检 被引量：4

10

作者 李丹阳 蔡金燕 +1 位作者 孟亚峰 朱赛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期312-318,共7页

胚胎电子细胞的基因循环存储模块在辐射空间容易受到单粒子翻转(SEU)影响,由于缺乏有效的自检手段,严重制约了胚胎电子阵列在深空等辐射环境中的应用。本文设计了一种新型的具有SEU自修复能力的触发器单元,并结合汉明纠错码,设计了一种... 胚胎电子细胞的基因循环存储模块在辐射空间容易受到单粒子翻转(SEU)影响,由于缺乏有效的自检手段,严重制约了胚胎电子阵列在深空等辐射环境中的应用。本文设计了一种新型的具有SEU自修复能力的触发器单元,并结合汉明纠错码,设计了一种新型的具有SEU自检和自修复能力的基因循环存储模块,可以在维持胚胎电子细胞阵列正常工作的情况下,实时有效的检测并修复1 bit SEU。以2 bit进位加法器为例,通过仿真实验,验证了胚胎电子细胞的SEU自检和自修复能力。 展开更多

关键词 胚胎电子细胞 基因循环存储模块 单粒子翻转(seu) 汉明码 自修复

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一种SEU硬核检测电路的设计与实现 被引量：1

11

作者 崔鹏 陈利光 +2 位作者 来金梅 周灏 鲍丽春 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第20期252-254,267,共4页

现有的现场可编程门阵列(FPGA)芯片在进行单粒子翻转(SEU)检错时,只能针对FPGA配置单元进行周期性重复擦写而不能连续检错纠错。为此,设计一种能连续检测SEU错误并实时输出检错信息的硬核检测电路。该设计改进传统FPGA芯片的数据帧存储... 现有的现场可编程门阵列(FPGA)芯片在进行单粒子翻转(SEU)检错时,只能针对FPGA配置单元进行周期性重复擦写而不能连续检错纠错。为此,设计一种能连续检测SEU错误并实时输出检错信息的硬核检测电路。该设计改进传统FPGA芯片的数据帧存储结构,能对芯片进行连续回读循环冗余校验(CRC)。在FDP3P7芯片上的流片实现结果表明,该电路能在50 MHz工作频率下连续对芯片进行回读CRC校验,并正确输出SEU帧检错信息。 展开更多

关键词 现场可编程门阵列 单粒子翻转 循环冗余校验 seu检测 片上可编程系统

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基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真 被引量：1

12

作者 国硕 毕津顺 +1 位作者 罗家俊 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期592-595,625,共5页

在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷。这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应。蒙特卡洛工具——Geant4能够针对上述物理过程进行计算机数值模... 在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷。这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应。蒙特卡洛工具——Geant4能够针对上述物理过程进行计算机数值模拟,可以用于抗辐射器件的性能评估与优化。几何描述标示语言(GDML)能够在Geant4环境下对器件模型进行描述。通过使用GDML建立三维的器件结构模型,并使用Geant4进行不同能量质子入射三维器件模型的仿真。实验结果表明,在三维器件仿真中低能质子要比高能质子更容易引起器件的单粒子翻转效应。 展开更多

关键词 半导体器件 单粒子翻转(seu)效应 三维模型 GEANT4 线性能量转移(LET)

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FT51:一种容软错误高可靠微控制器 被引量：14

13

作者 龚锐 陈微 +2 位作者 刘芳 戴葵 王志英 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第10期1662-1673,共12页

文中给出一种容软错误高可靠微控制器FT51．首先它具有基于异步电路的时空三模冗余结构，采用此结构可以对时序逻辑单事件翻转（SEU）和组合逻辑单事件瞬态（SET）进行防护．所有的片内存储器采用Hamming编码进行防护．针对现有控制流... 文中给出一种容软错误高可靠微控制器FT51．首先它具有基于异步电路的时空三模冗余结构，采用此结构可以对时序逻辑单事件翻转（SEU）和组合逻辑单事件瞬态（SET）进行防护．所有的片内存储器采用Hamming编码进行防护．针对现有控制流检测的不足，该设计采用了软硬件结合的控制流检测与恢复机制．FT51在HJTC0．25μm工艺下进行了实现，与未经加固的版本相比，其额外的面积开销为80．6％，额外的性能开销为19％～133％．文中还提出了一种微处理器可靠性评估框架，在此框架下通过模拟和理论推导证明：典型情况下FT51的故障检出和屏蔽率为99．73％． 展开更多

关键词 微控制器 软错误 单事件翻转 单事件瞬态 时空三模冗余 控制流检测

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一种双模互锁的容软错误静态锁存器 被引量：6

14

作者 梁华国 黄正峰 +1 位作者 王伟 詹文法 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期2020-2024,2061,共6页

针对太空环境下粒子辐射引发的软错误已经成为芯片失效的主导原因，提出一种容软错误锁存器结构——DIL—SET。该结构在内部构建基于C单元的双模互锁结构，针对单事件翻转进行防护。ISCAS-89标准电路在UMC0．18um工艺下的实验表明，使用... 针对太空环境下粒子辐射引发的软错误已经成为芯片失效的主导原因，提出一种容软错误锁存器结构——DIL—SET。该结构在内部构建基于C单元的双模互锁结构，针对单事件翻转进行防护。ISCAS-89标准电路在UMC0．18um工艺下的实验表明，使用DIL—SET代替未经加固的静态锁存器，面积开销增加4．99％～53．47％，软错误率平均下降99％以上。 展开更多

关键词 软错误 双模互锁 单事件翻转 C单元

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基于FPGA的ASIC芯片抗辐射性能评估系统 被引量：3

15

作者 刘海静 王正 +1 位作者 单毅 董业民 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期249-254,共6页

针对航天电子控制系统对集成电路的抗辐射需求,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的全新架构的专用集成电路(ASIC)抗辐射性能评估系统。该系统基于FPGA高性能、高速度、高灵活性和大容量的特性,不仅具备传统芯片评估系统的能力,还... 针对航天电子控制系统对集成电路的抗辐射需求,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的全新架构的专用集成电路(ASIC)抗辐射性能评估系统。该系统基于FPGA高性能、高速度、高灵活性和大容量的特性,不仅具备传统芯片评估系统的能力,还具备精确判定失效事件发生时刻、被测ASIC时序、内部状态及大致的内部路径位置的能力。对该系统进行单粒子翻转(SEU)辐射试验,试验结果表明,在81.4 MeV·cm^(2)·mg^(-1)的线性能量转移阈值下,该系统能自动判别没有发生SEU事件。目前,该系统已成功应用于自研高可靠性ASIC芯片抗辐射性能的评估。 展开更多

关键词 专用集成电路(ASIC) 抗辐射 现场可编程门阵列(FPGA) 单粒子翻转(seu) 性能评估

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基于信号跳变时间可调整的容错路由器

16

作者 张颖 江建慧 +1 位作者 李华伟 李晓维 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期305-311,共7页

设计了一种基于信号跳变时间可调整(STTA)的片上网路容错路由器.首先,这种路由器能够准确预测总线的串扰故障,并通过错开信号跳变的方法容忍总线的串扰故障.然后,为了容忍寄存器上的单事件翻转(SEU),路由器中所有的寄存器被替换成双内... 设计了一种基于信号跳变时间可调整(STTA)的片上网路容错路由器.首先,这种路由器能够准确预测总线的串扰故障,并通过错开信号跳变的方法容忍总线的串扰故障.然后,为了容忍寄存器上的单事件翻转(SEU),路由器中所有的寄存器被替换成双内锁单元(DICE).结果表明:基于STTA的路由器仅需在普通路由器上增加46%的面积开销和70%的功耗开销,就能容忍总线上串扰导致的故障和寄存器上的SEU.与基于TS-HC-TMR和SCAC-TMR方法的容错路由器相比,基于STTA的路由器至少减少了93%的面积和55%的功耗开销,有效地解决了容错路由器开销过大的问题. 展开更多

关键词 容错路由器 信号跳变时间可调整(STTA) 总线串扰效应 单事件翻转(seu) 双内锁单元(DICE)

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低开销的软错误免疫寄存器设计

17

作者 孙岩 高昌垒 +1 位作者 李少青 张民选 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期12-18,共7页

随着工艺尺寸的逐渐缩小,集成电路中由放射性粒子引起的软错误不断增加,在设计时必须考虑由软错误引起的可靠性问题。使用软错误免疫寄存器对电路敏感部分选择性加固是降低逻辑电路软错误率简单有效的方法。总结了常用的软错误免疫寄存... 随着工艺尺寸的逐渐缩小,集成电路中由放射性粒子引起的软错误不断增加,在设计时必须考虑由软错误引起的可靠性问题。使用软错误免疫寄存器对电路敏感部分选择性加固是降低逻辑电路软错误率简单有效的方法。总结了常用的软错误免疫寄存器结构,并使用可靠性分析方法对8种寄存器进行量化研究和比较,得出双模时空冗余寄存器具有更高的可靠度;针对现有可靠寄存器开销较大的缺点,设计了一种基于时钟延时的动态主级时空双模冗余寄存器——DMTS-DR,不仅能很好地免疫自身的SEU,还能对前级组合逻辑的SET进行有效屏蔽。与其它可靠寄存器相比,DMTS-DR的面积和延时开销都有大幅降低,在可靠性、面积和速度间实现了较好的折中。 展开更多

关键词 寄存器 软错误 单事件翻转 单事件瞬态 时空冗余

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DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证 被引量：5

18

作者 张丹丹 杨海钢 +3 位作者 李威 黄志洪 高丽江 李天文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期495-500,共6页

分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D... 分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D触发器抗单粒子翻转的性能,与其他传统类型电路结构的D触发器进行了抗单粒子翻转性能比较,并通过电路仿真和辐照实验进行了验证。仿真结果表明,TMR&DICE型D触发器的抗单粒子翻转性能明显优于传统的普通D触发器、TMR型D触发器和DICE型D触发器。辐照实验结果表明,TMR&DICE型D触发器具有最小的翻转截面。 展开更多

关键词 抗单粒子翻转(seu) 三模冗余(TMR) 双互锁存储单元(DICE) 触发器 辐照实验

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基于内建自测的软错误与老化在线检测 被引量：1

19

作者 杨叔寅 秦晨飞 +1 位作者 黄正峰 梁华国 《计算机工程》 CAS CSCD 2012年第8期235-238,共4页

负偏置温度不稳定性为主的老化会造成时序违规故障及软错误故障。为此,提出软错误与老化在线检测器(SEAOS)。在器件正常工作的情况下,在线检测上述2种故障。复用并发内建逻辑块观察器,使得硬件开销不超过30%。实验结果表明,在0.18μm工... 负偏置温度不稳定性为主的老化会造成时序违规故障及软错误故障。为此,提出软错误与老化在线检测器(SEAOS)。在器件正常工作的情况下,在线检测上述2种故障。复用并发内建逻辑块观察器,使得硬件开销不超过30%。实验结果表明,在0.18μm工艺尺寸下,与经典检测结构相比,SEAOS有较好的检测能力,且硬件开销较少。 展开更多

关键词 软错误与老化在线检测器 老化 单事件翻转故障 复用 负偏置温度不稳定性 内建逻辑块观察器

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SRAM型FPGA中SEM IP核的验证与自动注错方法 被引量：1

20

作者 张皓 裴玉奎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期223-228,240,共7页

星载设备长时间工作在空间环境中,宇宙中的带电粒子会造成器件功能异常,产生存储器软错误,严重时会损坏硬件电路。为模拟辐照环境对器件的影响,利用Xilinx公司的软错误缓解(SEM)控制器IP核,搭建了基于Xilinx Kintex-7的验证与测试平台,... 星载设备长时间工作在空间环境中,宇宙中的带电粒子会造成器件功能异常,产生存储器软错误,严重时会损坏硬件电路。为模拟辐照环境对器件的影响,利用Xilinx公司的软错误缓解(SEM)控制器IP核,搭建了基于Xilinx Kintex-7的验证与测试平台,完成对SEM IP核的功能验证。为提高测试效率,设计了基于上述平台的自动注错方法。经过验证,该方法能够达到预期的帧地址覆盖率。实验结果表明,SEM IP核具备软错误注入与缓解功能,自动注错方法有利于此IP核的实际应用。 展开更多

关键词 单粒子翻转(seu)效应 静态随机存储器(SRAM) 现场可编程门阵列(FPGA) 软错误缓解(SEM)控制器IP核 自动注错

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