期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
滑模控制的时滞分数阶金融系统混沌同步 被引量:27
1
作者 朱涛 张广军 +1 位作者 姚宏 李睿 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2014年第6期626-629,共4页
以非同等阶次的时滞分数阶金融系统为研究对象,研究以单一滑模控制器控制时滞分数阶金融系统实现混沌同步.通过计算Lyapunov指数的方式,分析时滞分数阶金融系统在指定参数条件下的动力学行为,提出单一控制器控制方法,并通过理论证明和... 以非同等阶次的时滞分数阶金融系统为研究对象,研究以单一滑模控制器控制时滞分数阶金融系统实现混沌同步.通过计算Lyapunov指数的方式,分析时滞分数阶金融系统在指定参数条件下的动力学行为,提出单一控制器控制方法,并通过理论证明和仿真实验验证该方法可行,分析系统在出现外部扰动时控制方法的抗干扰能力.结果表明,所提出的单一积分滑模控制方法能够控制时滞分数阶动力系统实现混沌同步,鲁棒性佳. 展开更多
关键词 混沌 时滞分数阶 非同等阶次 单一控制器 外部扰动 滑模控制
在线阅读 下载PDF
Design of 32 kbit one-time programmable memory for microcontroller units 被引量:1
2
作者 JEON Hwang-gon CHOI In-hwa +1 位作者 HA Pan-bong KIM Young-hee 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2012年第12期3475-3483,共9页
A 32 kbit OTP(one-time programmable)memory for MCUs(micro-controller units)used in remote controllers was designed.This OTP memory is used for program and data storage.It is required to apply 5.5V to BL(bit-line)and 1... A 32 kbit OTP(one-time programmable)memory for MCUs(micro-controller units)used in remote controllers was designed.This OTP memory is used for program and data storage.It is required to apply 5.5V to BL(bit-line)and 11V to WL(word-line)for a OTP cell of 0.35μm ETOX(EEPROM tunnel oxide)type by MagnaChip.We use 5V transistors on column data paths to reduce the area of column data paths since they require small areas.In addition,we secure device reliability by using HV(high-voltage)transistors in the WL driver.Furthermore,we change from a static logic to a dynamic logic used for the WL driver in the core circuit.Also,we optimize the WD(write data)switch circuit.Thus,we can implement them with a small-area design.In addition,we implement the address predecoder with a small-area logic circuit.The area of the designed 32 kbit OTP with 5V and HV devices is 674.725μm×258.75μm(=0.1745mm2)and is 56.3% smaller than that using 3.3V devices. 展开更多
关键词 one-time programmable memory micro controller unit EEPROM tunnel oxide small-area
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部