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Cr含量对ZB型半金属铁磁体Cr_xZn_(1-x)Se磁电性能的影响
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作者 董健 董会宁 +1 位作者 张翠玲 刘俊 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1162-1168,共7页
使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,优化了闪锌矿结构的Cr_xZn_(1-x)Se(x=0.000,0.125,0.250和0.375)的2×2×2超胞的几何结构,计算了其自旋极化的态密度和能带结构、离子磁矩、电荷分布等磁电性能,详细分析了Cr含量对Cr_xZ... 使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,优化了闪锌矿结构的Cr_xZn_(1-x)Se(x=0.000,0.125,0.250和0.375)的2×2×2超胞的几何结构,计算了其自旋极化的态密度和能带结构、离子磁矩、电荷分布等磁电性能,详细分析了Cr含量对Cr_xZn_(1-x)Se磁电性能的影响.结果表明,Cr掺杂后ZB型ZnSe具有明显的半金属特性;当x=0.125,0.250和0.375时,Cr_xZn_(1-x)Se均有较宽的半金属带隙,从而可能具有较高的居里温度;当x=0.125时,Cr_xZn_(1-x)Se的半金属性最稳定;x=0.125,0.250和0.375时,Cr_xZn_(1-x)Se的超胞磁矩分别为整数磁矩4.0,8.0和12.0μ_B,而具有整数磁矩是半金属铁磁体非常重要的特征之一.Cr_xZn_(1-x)Se的半金属性和磁性主要来源于Cr离子的自旋极化,Cr离子的电子结构为Cr e_g^2↑e_g^1↓t_(2g)~3↑. 展开更多
关键词 半金属铁磁体 超胞磁矩 磁电性能 电子结构
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Cr掺杂半导体CdTe的半金属铁磁性研究
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作者 陈志远 高国营 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期119-120,123,共3页
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势(PWPP)方法和全势线性缀加平面波(FPLAPW)方法研究了Cr掺杂半导体CdTe的电子结构和磁性。通过对自旋极化的态密度、磁矩以及铁磁态和反铁磁态的总能量的分析,理论预测到Cr掺杂半导体CdTe是一个半... 采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势(PWPP)方法和全势线性缀加平面波(FPLAPW)方法研究了Cr掺杂半导体CdTe的电子结构和磁性。通过对自旋极化的态密度、磁矩以及铁磁态和反铁磁态的总能量的分析,理论预测到Cr掺杂半导体CdTe是一个半金属铁磁体,其在半导体自旋电子学中应该有一定的应用。 展开更多
关键词 半金属铁磁体 密度泛函理论 电子结构
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