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用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究被引量：4: 1; 作者张显斌施卫 +2 位作者李琦陈二柱赵卫《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期815-818,共4页; 　报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1064nmNd:YAG激光触发开关,在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性... 展开更多; 关键词光电导开关半绝缘gaas EL2能级非本征吸收红外激光脉冲脉冲激光器光电导体激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的研究被引量：3: 2; 作者张显斌李琦 +1 位作者施卫赵卫《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1081-1085,共5页; 报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果在触发光能为 1 .9mJ ,偏置电压分别为 3kV和 5kV条件下 ,光电导开关分别工作于线性和非线性模式 ,结果表明半绝缘GaAs光电导开关可以吸收 1 0 64nm波... 展开更多; 关键词激光脉冲触发光电导开关半绝缘gaas EL2能级砷化镓半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析被引量：2: 3; 作者李琦张显斌施卫《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1086-1089,共4页; 报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 3mm的横向半绝缘GaAs光导开关的实验结果对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析 ,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异。; 关键词光电导开关半绝缘gaas器件超快线性时间响应砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

半绝缘GaAs光电导开关线性传输特性的研究被引量：1: 4; 作者施卫徐鸣《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期39-40,42,共3页; 实验研究了具有微带同轴联结方式的横向GaAs光电导开关 (触发光源用波长 10 6 4nm、脉宽 15ns的Nd :YAG激光器 ,电极间隙为 2 .8和 4mm)在线性工作模式下的瞬态电压传输效率 (它在开关偏置电压一定时随触发光能量的增加而提高 ,最高可达... 展开更多; 关键词半绝缘gaas光电导开关线性传输特性电压传输特性等效电路模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

半绝缘GaAs倍频效应的研究: 5; 作者刘秀环陈占国 +1 位作者贾刚时宝《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期378-381,共4页; 理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播。首次从光电流随基频光偏振方向的变化这一角度验证了波长为1.3μm的基... 展开更多; 关键词半绝缘gaas 双光子响应倍频吸收; 在线阅读下载PDF 职称材料

半绝缘GaAs光电导天线辐射THz电磁波展宽特性分析: 6; 作者贾婉丽施卫《西安理工大学学报》 CAS 2007年第3期265-268,共4页; 介绍了自洽式多粒子蒙特卡罗方法模拟半绝缘GaAs光电导天线辐射THz电磁时域波形。模型中采用光能、脉宽可调飞秒激光器作为触发光源,模拟的THz电磁波形与实验基本吻合。通过载流子在光电导体内的动态输运特性,分析了辐射THz电磁波场比... 展开更多; 关键词蒙特卡罗模拟半绝缘gaas 光电导偶极天线太赫兹辐射电流瞬变模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

沿面闪络和丝状电流对光电导开关的损伤机理被引量：3: 7; 作者马湘蓉施卫 +1 位作者薛红纪卫莉《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第10期129-135,共7页; 通过对电极间隙为3mm和8mm半绝缘GaAs光电导开关损伤实验研究发现,引起开关损伤的主要机制是沿面闪络和丝状电流。沿面闪络是在高偏置电压条件下GaAs材料在热传导过程中表现的熔化?再结晶现象,对开关造成了致命性损伤;而丝状电流是开关... 展开更多; 关键词半绝缘gaas光电导开关沿面闪络丝状电流损伤; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究被引量：4: 1; 作者张显斌施卫李琦陈二柱赵卫; 机构西安理工大学应用物理系中国科学院瞬态光学技术国家重点实验室; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期815-818,共4页; 基金国家自然科学基金资助课题(50077017) 陕西省教育厅产业化培育项目资助课题(01JK25); 文摘　报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1064nmNd:YAG激光触发开关,在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验,得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明,半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。; 关键词光电导开关半绝缘gaas EL2能级非本征吸收红外激光脉冲脉冲激光器光电导体激光器; Keywords photoconductive switch semiinsulating gaas EL2 deep level nonintrinsic absorption; 分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的研究被引量：3: 2; 作者张显斌李琦施卫赵卫; 机构西安理工大学中国科学院瞬态光学技术国家重点实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1081-1085,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目 (No.5 0 0 770 1 7); 文摘报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果在触发光能为 1 .9mJ ,偏置电压分别为 3kV和 5kV条件下 ,光电导开关分别工作于线性和非线性模式 ,结果表明半绝缘GaAs光电导开关可以吸收 1 0 64nm波长的激光脉冲讨论了半绝缘GaAs材料对 1 0 64nm激光脉冲的非本征吸收机制 ,指出GaAs材料禁带内的EL2深能级和双光子吸收对半绝缘GaAs吸收 1 0; 关键词激光脉冲触发光电导开关半绝缘gaas EL2能级砷化镓半导体材料; Keywords Ptotoconductive switch Semi insulating gaas EL2 deep level; 分类号 TN24 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析被引量：2: 3; 作者李琦张显斌施卫; 机构西安理工大学自动化学院; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1086-1089,共4页; 基金国家自然科学基金 (No.5 0 0 770 1 7) +1 种基金瞬态光学技术国家重点实验室开放基金 (No .YAK2 0 0 0 2 )资助项目; 文摘报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 3mm的横向半绝缘GaAs光导开关的实验结果对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析 ,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异。; 关键词光电导开关半绝缘gaas器件超快线性时间响应砷化镓; Keywords Photoconductive switch gaas switches Ultr linear time response; 分类号 TN24 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半绝缘GaAs光电导开关线性传输特性的研究被引量：1: 4; 作者施卫徐鸣; 机构西安理工大学应用物理系; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期39-40,42,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目 (5 0 0 770 17) 陕西省教育厅产业化培育项目 (No .0 1JK2 5 ); 文摘实验研究了具有微带同轴联结方式的横向GaAs光电导开关 (触发光源用波长 10 6 4nm、脉宽 15ns的Nd :YAG激光器 ,电极间隙为 2 .8和 4mm)在线性工作模式下的瞬态电压传输效率 (它在开关偏置电压一定时随触发光能量的增加而提高 ,最高可达 93% ) ,并观察到了输出电压波形的双极性现象 ,还用等效电路模型分析了开关的电压传输特性 ,理论与实验结果相吻合。; 关键词半绝缘gaas光电导开关线性传输特性电压传输特性等效电路模型; Keywords photoconductive semiconductor switches transmission line voltage efficiency of transmission; 分类号 TN365 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半绝缘GaAs倍频效应的研究: 5; 作者刘秀环陈占国贾刚时宝; 机构吉林大学电子科学与工程学院; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期378-381,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60476027); 文摘理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播。首次从光电流随基频光偏振方向的变化这一角度验证了波长为1.3μm的基频光沿GaAs晶体的[001]方向入射时的倍频吸收各向异性理论;实验测得了样品的光电流随外加偏压的非线性变化关系,实验中没有观察到光电流随外加偏压的增加而饱和的现象,进一步证明了GaAs样品中产生了倍频吸收。; 关键词半绝缘gaas 双光子响应倍频吸收; Keywords Semi-insulating gaas Two-photon response Double-frequency absorption; 分类号 O437 [机械工程—光学工程] O472 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半绝缘GaAs光电导天线辐射THz电磁波展宽特性分析: 6; 作者贾婉丽施卫; 机构西安理工大学理学院; 出处《西安理工大学学报》 CAS 2007年第3期265-268,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(10390160 10376025和50477011) 国家重大基础研究前期专项基金资助项目(2004CCA04500G); 文摘介绍了自洽式多粒子蒙特卡罗方法模拟半绝缘GaAs光电导天线辐射THz电磁时域波形。模型中采用光能、脉宽可调飞秒激光器作为触发光源,模拟的THz电磁波形与实验基本吻合。通过载流子在光电导体内的动态输运特性,分析了辐射THz电磁波场比触发光脉冲展宽的物理机制在于:光生载流子在外电场作用下,从初始状态到速度达到稳态要经历一个动量和能量弛豫过程,而正是由于载流子动量和能量的弛豫过程导致光电导天线辐射的太赫兹波展宽。高光能、低偏置电场下,空间电荷电场是造成光电导天线辐射的THz波呈现双极性的主要原因。; 关键词蒙特卡罗模拟半绝缘gaas 光电导偶极天线太赫兹辐射电流瞬变模型; Keywords Monte Carlo simulation semi-insulating gaas photoconductive dipole antenna Terahertz radiation current surge model; 分类号 TN201 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名沿面闪络和丝状电流对光电导开关的损伤机理被引量：3: 7; 作者马湘蓉施卫薛红纪卫莉; 机构西安理工大学数理学院渭南师范学院物理与电子工程系; 出处《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第10期129-135,共7页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)(2007CB310406) 国家自然科学基金(50837005 10876026)资助项目; 文摘通过对电极间隙为3mm和8mm半绝缘GaAs光电导开关损伤实验研究发现,引起开关损伤的主要机制是沿面闪络和丝状电流。沿面闪络是在高偏置电压条件下GaAs材料在热传导过程中表现的熔化?再结晶现象,对开关造成了致命性损伤;而丝状电流是开关在非线性工作模式下由于存在负微分电导效应(NDC),形成的高浓度电子?空穴等离子体通道,芯片内产热和冷却之间达到了动态平衡,开关处于光控预击穿状态,存在可恢复性和不可恢复性两类损伤。; 关键词半绝缘gaas光电导开关沿面闪络丝状电流损伤; Keywords Semi-insulating（SI） gaas photoconductive switch surface flashover filamention injury; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究	张显斌施卫李琦陈二柱赵卫	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的研究	张显斌李琦施卫赵卫	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析	李琦张显斌施卫	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	半绝缘GaAs光电导开关线性传输特性的研究	施卫徐鸣	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	半绝缘GaAs倍频效应的研究	刘秀环陈占国贾刚时宝	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	半绝缘GaAs光电导天线辐射THz电磁波展宽特性分析	贾婉丽施卫	《西安理工大学学报》 CAS	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	沿面闪络和丝状电流对光电导开关的损伤机理	马湘蓉施卫薛红纪卫莉	《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料