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高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究: 1; 作者毛开礼胡彦飞 +2 位作者王英民李斌赵高扬《电子工艺技术》 2017年第2期63-66,88,共5页; 高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响。... 展开更多; 关键词石墨烯高纯半绝缘SiC单晶衬底大面积; 在线阅读下载PDF 职称材料

国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制被引量：2: 2; 作者陈昊商庆杰 +3 位作者郝建民齐国虎霍玉柱杨克武《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1007-1010,共4页; 以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料。外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250μm,饱和电流密... 展开更多; 关键词 4H-SIC 半绝缘衬底金属肖特基场效应晶体管外延微波功率器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

G波段AlN/GaN HEMT外延材料被引量：1: 3; 作者李传皓彭大青 +4 位作者李忠辉张东国杨乾坤吴少兵孙岩《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第3期F0003-F0003,共1页; 南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性... 展开更多; 关键词外延材料势垒层扩散长度异质结界面 HEMT 表面平整 MOCVD 半绝缘衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

提高SiC MESFET功率增益的研究被引量：3: 4; 作者娄辰潘宏菽《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期333-336,共4页; 在高纯半绝缘衬底上采用国产的外延技术和自己开发的器件设计及工艺技术,研制出在S波段连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,比研制初期的3～5 dB的功率增益得到了较大幅度的提高,初步显现了Si... 展开更多; 关键词碳化硅微波功率器件金属-半导体场效应晶体管半绝缘衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs、GaP、InP等Ⅲ—Ⅴ族化合物的最新动向: 5; 作者藤田庆一郎芦云蓉《微纳电子技术》 1978年第3期80-86,共7页; 化合物半导体,虽然发展缓慢,然而正在从工业研究阶段走向生产阶段。但是要达到目前硅那样的发展程度,仍存在不少技术上的问题。就现阶段来说,技术上期待解决的问题有:(1)增大体积降低成本;(2)实现低位错密度;(3)控制半绝缘晶体的杂质。... 展开更多; 关键词单晶生长离解压发光效率 INP GAP 位错密度杂质浓度 GAAS 衬底材料晶体生长半绝缘衬底化合物半导体载流子浓度载流子密度晶格缺陷晶体缺陷; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究: 1; 作者毛开礼胡彦飞王英民李斌赵高扬; 机构中国电子科技集团公司第二研究所西安理工大学材料科学与工程学院西安电子科技大学微电子学院; 出处《电子工艺技术》 2017年第2期63-66,88,共5页; 基金国家自然科学基金项目(项目编号:61404117) 国家高技术研究发展计划863重大专项资助项目(项目编号:2014AA041401); 文摘高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响。通过激光拉曼光谱、原子力显微镜、场发射扫面电镜等分析,测试了石墨烯材料的大小、形态,为后续工艺的改进提供参考。在1 650℃、500 Pa压力下生长2 h制备的外延石墨烯,具有更高品质和表面连续性,拉曼光谱中2D峰的半高宽(FWHM)约为34 cm^(-1),能够用单峰洛伦兹拟合,预示着单层石墨烯的形成。; 关键词石墨烯高纯半绝缘SiC单晶衬底大面积; Keywords Graphene High purity semi-insulating SiC substrate Large area; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制被引量：2: 2; 作者陈昊商庆杰郝建民齐国虎霍玉柱杨克武; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所中国电子科技集团公司第四十六研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1007-1010,共4页; 文摘以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料。外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V。比例占总数的70%以上。初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础。; 关键词 4H-SIC 半绝缘衬底金属肖特基场效应晶体管外延微波功率器件; Keywords 4H-SiC SI substrate MESFET epitaxy microwave power device; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名G波段AlN/GaN HEMT外延材料被引量：1: 3; 作者李传皓彭大青李忠辉张东国杨乾坤吴少兵孙岩; 机构微波毫米波单片和集成电路重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第3期F0003-F0003,共1页; 文摘南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性能AlN/GaN HEMT外延材料。图1为AFM 5μm×5μm范围下的表面形貌,势垒层表面平整,原子台阶明显,RMS=0.3 nm,且无明显缺陷。; 关键词外延材料势垒层扩散长度异质结界面 HEMT 表面平整 MOCVD 半绝缘衬底; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名提高SiC MESFET功率增益的研究被引量：3: 4; 作者娄辰潘宏菽; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期333-336,共4页; 文摘在高纯半绝缘衬底上采用国产的外延技术和自己开发的器件设计及工艺技术,研制出在S波段连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,比研制初期的3～5 dB的功率增益得到了较大幅度的提高,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。采用亚微米光刻和低欧姆接触形成及减小附加寄生参量,使器件在更大功率输出的情况下,功率增益和功率附加效率得到了明显提升,证明采取的措施是有效的。; 关键词碳化硅微波功率器件金属-半导体场效应晶体管半绝缘衬底; Keywords SiC microwave power device MESFET semi-insulating substrate; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs、GaP、InP等Ⅲ—Ⅴ族化合物的最新动向: 5; 作者藤田庆一郎芦云蓉; 出处《微纳电子技术》 1978年第3期80-86,共7页; 文摘化合物半导体,虽然发展缓慢,然而正在从工业研究阶段走向生产阶段。但是要达到目前硅那样的发展程度,仍存在不少技术上的问题。就现阶段来说,技术上期待解决的问题有:(1)增大体积降低成本;(2)实现低位错密度;(3)控制半绝缘晶体的杂质。兹分述如下: (1)增大体积降低成本,这不仅关系到大块体单晶本身,而且也关系到降低外延生长工艺和器件工艺的成本问题,所以对其要求是强烈的。硅作为化合物半导体的先行者,现在其直径已是3～4英寸,甚至还要超过4英寸,而GaAs和InP仅有2英寸左右,根据硅的经验,要使它们突破2英寸大关,就必须实现无位错化。; 关键词单晶生长离解压发光效率 INP GAP 位错密度杂质浓度 GAAS 衬底材料晶体生长半绝缘衬底化合物半导体载流子浓度载流子密度晶格缺陷晶体缺陷; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究	毛开礼胡彦飞王英民李斌赵高扬	《电子工艺技术》	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制	陈昊商庆杰郝建民齐国虎霍玉柱杨克武	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	G波段AlN/GaN HEMT外延材料	李传皓彭大青李忠辉张东国杨乾坤吴少兵孙岩	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	提高SiC MESFET功率增益的研究	娄辰潘宏菽	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaAs、GaP、InP等Ⅲ—Ⅴ族化合物的最新动向	藤田庆一郎芦云蓉	《微纳电子技术》	1978	0	在线阅读下载PDF 职称材料