半绝缘砷化镓的PL谱及其质量表征 被引量：1

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作者 张荣桂 李安平 《半导体情报》 1993年第3期37-40,共4页

对多批不同束源的LEC SI-GaAs进行了15K及变温、变激发光强的光致发光PL测量,并对不同PL峰值能量下PL强度随样品位置的变化进行了一维线性扫描和二维空间扫描。对三个能谱区的分析和讨论表明,PL测量可作为高性能微波GaAs FET及GaAs IC... 对多批不同束源的LEC SI-GaAs进行了15K及变温、变激发光强的光致发光PL测量,并对不同PL峰值能量下PL强度随样品位置的变化进行了一维线性扫描和二维空间扫描。对三个能谱区的分析和讨论表明,PL测量可作为高性能微波GaAs FET及GaAs IC用衬底的无损评价方法。 展开更多

关键词 半绝缘砷化镓 杂质和缺陷 光致发光

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重频光脉冲对半绝缘GaAs光导开关损伤分析 被引量：2

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作者 向珊 戴慧莹 施卫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期74-77,共4页

通过波长为1 064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低重频(<1 kHz)和高重频的激光脉冲对GaAs光电导开关芯片的损伤阈值,分析了不同重复频率的激光脉冲引起... 通过波长为1 064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低重频(<1 kHz)和高重频的激光脉冲对GaAs光电导开关芯片的损伤阈值,分析了不同重复频率的激光脉冲引起光导开关芯片材料光损伤的主要原因,并探讨了损伤机理。研究表明,在重复频率激光作用下GaAs光导开关芯片材料的破坏阈值比在单脉冲作用下低,且不同重复频率的激光辐照下材料表面的温升速率不同。当激励光脉冲重复频率较低(<1 kHz)时,芯片内的温升效应不显著,此时光损伤与重复频率无明显依赖关系,主要损伤机制为微损伤累积;而当重复频率较高时,开关材料内热积累引起的损伤占主要地位。 展开更多

关键词 半绝缘砷化镓 重复频率 损伤阈值 电阻率 微损伤累积

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半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜制备与检测

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作者 杜维嘉 翟章印 +1 位作者 吉帅 藏婷玉 《大学物理》 北大核心 2017年第6期78-81,共4页

稳定的欧姆接触对半导体器件的正常工作起到至关重要的作用.目前市场上主要采用金/金锗镍合金作为n型GaAs的电极材料,工艺复杂,成本高昂.本文研究了一种新型的、廉价的适用于半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜及其制备过... 稳定的欧姆接触对半导体器件的正常工作起到至关重要的作用.目前市场上主要采用金/金锗镍合金作为n型GaAs的电极材料,工艺复杂,成本高昂.本文研究了一种新型的、廉价的适用于半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料Ag/Co掺杂的非晶碳膜及其制备过程,以便于读者对半导体器件的制备工艺和流程有所了解. 展开更多

关键词 半绝缘砷化镓 欧姆接触 光电导

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热处理对非掺杂半绝缘LEC GaAs电特性的影响

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作者 刘力锋 杨瑞霞 郭惠 《河北工业大学学报》 CAS 2001年第5期35-38,共4页

对非掺杂（ＮＤ）半绝缘（ＳＩ）液封直拉（ＬＥＣ）ＧａＡｓ单晶在 ９５０℃下进行了不同 Ａｓ压的热处理，研究了热处理对材料电特性的影响．发现在９５０℃温度和低Ａｓ压条件下 进行１４ｈ热处理，可在样品中引入本征受主缺陷，并... 对非掺杂（ＮＤ）半绝缘（ＳＩ）液封直拉（ＬＥＣ）ＧａＡｓ单晶在 ９５０℃下进行了不同 Ａｓ压的热处理，研究了热处理对材料电特性的影响．发现在９５０℃温度和低Ａｓ压条件下 进行１４ｈ热处理，可在样品中引入本征受主缺陷，并导致体霍尔迁移率大幅下降和体电阻 率明显增加．这些受主缺陷的产生是由于高温和低 ＡＳ压条件下 ＧａＡｓ晶体中发生 Ａｓ间隙 原子的外扩散．提高热处理过程中的Ａｓ气压，可抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化． 展开更多

关键词 本征受主缺陷 砷压 热处理 电特性 非掺杂半绝缘液植拉砷化镓 NDSILECGaAS 单晶 霍尔迁移率

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Mn注入GaAs半导体的电特性研究

5

作者 王鹏 杨瑞霞 +1 位作者 刘芳芳 李俊林 《河北工业大学学报》 CAS 2003年第6期31-34,共4页

用离子注入的方法把Mn注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs中,用霍尔以及电化学C-V方法研究了热处理温度对样品电特性的影响.发现在650-850℃温度范围内,随着退火温度的升高,样品的方块载流子浓度呈下降趋势,而载流子迁移率呈明显上升的趋势.... 用离子注入的方法把Mn注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs中,用霍尔以及电化学C-V方法研究了热处理温度对样品电特性的影响.发现在650-850℃温度范围内,随着退火温度的升高,样品的方块载流子浓度呈下降趋势,而载流子迁移率呈明显上升的趋势.这是由于在退火过程中,随着退火温度的升高,有更多的Mn参与MnAs或MnCa相的形成,使得以受主形式存在的Mn减少,并且晶格缺陷得到恢复所致.同时进行了Mn、C双注入实验,分析了C对样品电特性的影响. 展开更多

关键词 半绝缘砷化镓 方块载流子浓度 迁移率 晶格缺陷 热处理 锰 离子注入 GaAs半导体 电特性

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工业和信息化部最新发布77项电子行业标准

6

《信息技术与标准化》 2015年第5期75-79,共5页

关键词 包装 检验规则 半绝缘砷化镓 硅单晶抛光片 设备资源共享 数字电视机 聚四氟乙烯 含氟高聚物 危险化学品气瓶 线阵列扬声器系统 等离子体显示器件 测试方法 测量方法 通信电缆 通讯电缆 同轴 电子行业 工业和信息化部

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热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究 被引量：6

7

作者 刘力锋 杨瑞霞 郭惠 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期30-33,共4页

对非掺杂 (ND)半绝缘 (SI)液封直拉 (LEC)GaAs单晶在 5 0 0～ 1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火 ,研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响 。

关键词 半绝缘砷化镓 热处理 淬火 EL2浓度 砷沉淀

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SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究 被引量：1

8

作者 谢自力 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期10-12,17,共4页

研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。

关键词 深能级陷阱 退火特性 半绝缘砷化镓 热处理 光致电流瞬态谱

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离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究

9

作者 王娜 王丽华 +2 位作者 孙卫忠 郝秋艳 刘彩池 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期42-44,67,共4页

用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。... 用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流子浓度均成M型分布。离子注入及退火工艺并没有改变大直径GaAs电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。 展开更多

关键词 半绝缘砷化镓 离子注入 电特性 快速热退火

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轻掺铬SI-GaAs单晶的研制

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作者 谢自力 夏德谦 +1 位作者 陈宏毅 朱志明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期161-164,共4页

本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用中取得了较好结果。

关键词 掺铬 半绝缘砷化镓 单晶制备

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微波器件及IC用SI－GaAs材料现状及展望

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作者 刘鹏 《山东电子》 1996年第2期35-38,共4页

本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状及应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外相比所存在的差距作了分析，提出今... 本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状及应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外相比所存在的差距作了分析，提出今后发展的方向。 展开更多

关键词 微波器件 集成电路 半绝缘砷化镓 半导体材料

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