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离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究
被引量：
2
1
作者
宋书林
陈诺夫
+3 位作者
尹志岗
柴春林
杨少延
刘志凯
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1308-1310,共3页
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力...
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.
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关键词
半绝缘性砷化镓
磁性
半
导体
铁磁性转变温度
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职称材料
题名
离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究
被引量：
2
1
作者
宋书林
陈诺夫
尹志岗
柴春林
杨少延
刘志凯
机构
中国科学院半导体所
中国科学院力学研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1308-1310,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60176001)
国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
文摘
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.
关键词
半绝缘性砷化镓
磁性
半
导体
铁磁性转变温度
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究
宋书林
陈诺夫
尹志岗
柴春林
杨少延
刘志凯
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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