检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

LPCVD半绝缘多晶硅的性质和应用研究: 1; 作者翟冬青李洪鑫李彦波《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1984年第2期62-70,共9页; 成功地用LPCVD技术制取了优质SIPOS膜。SIPOS膜的生长速率与生长过程中的N_2O/S_iH-4流量比密切相关,SIPOS膜的众多性质中起决定性作用的是其内的氧原子浓度,而膜中氧原子浓度的高低也取决于生长过程中的N_2O/S_iH_4流量比。MO(SI)S结构... 展开更多; 关键词钝化效果半绝缘多晶硅流量比 LPCVD 氧原子晶粒间界晶界面缺陷半导体表面硅衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验: 2; 作者吕卫民胡冬 +1 位作者谢劲松翁璐《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1515-1518,共4页; 在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同... 展开更多; 关键词铝迁移功率型半导体晶体管平面工艺掺氧半绝缘多晶硅实验研究; 在线阅读下载PDF 职称材料

LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究被引量：3: 3; 作者刘红侠郝跃朱秉升《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期309-311,共3页; SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .; 关键词掺氧半绝缘多晶硅 LPCVD 薄膜淀积; 在线阅读下载PDF 职称材料

SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响被引量：2: 4; 作者石青宏厉策 +1 位作者王军何慧强《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期37-39,共3页; 通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。; 关键词 SIPOS 纵向结构晶体管电压特性半绝缘多晶硅掺氧多晶硅膜结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LPCVD半绝缘多晶硅的性质和应用研究: 1; 作者翟冬青李洪鑫李彦波; 机构河北大学电子系; 出处《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1984年第2期62-70,共9页; 文摘成功地用LPCVD技术制取了优质SIPOS膜。SIPOS膜的生长速率与生长过程中的N_2O/S_iH-4流量比密切相关,SIPOS膜的众多性质中起决定性作用的是其内的氧原子浓度,而膜中氧原子浓度的高低也取决于生长过程中的N_2O/S_iH_4流量比。MO(SI)S结构的C—V特性测量及实际应用试验表明,SIPOS膜具有优良的钝化性质和钝化效果。; 关键词钝化效果半绝缘多晶硅流量比 LPCVD 氧原子晶粒间界晶界面缺陷半导体表面硅衬底; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验: 2; 作者吕卫民胡冬谢劲松翁璐; 机构北京航空航天大学可靠性与系统工程学院海军装备部军械保障部; 出处《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1515-1518,共4页; 基金总装预研基金资助项目(9140A27020210JB1404); 文摘在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导.; 关键词铝迁移功率型半导体晶体管平面工艺掺氧半绝缘多晶硅实验研究; Keywords aluminum migration power silicon transistor planar process semi-insulating polycrystalline silicon（SIPOS） experimental study; 分类号 TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究被引量：3: 3; 作者刘红侠郝跃朱秉升; 机构西安电子科技大学微电子所西安交通大学电子工程系; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期309-311,共3页; 基金 "八五"国家科技攻关资助项目!(8570 30 1 0 6); 文摘 SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .; 关键词掺氧半绝缘多晶硅 LPCVD 薄膜淀积; Keywords SIPOS LPCVD oxygen content; 分类号 TN305.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响被引量：2: 4; 作者石青宏厉策王军何慧强; 机构深爱半导体有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期37-39,共3页; 文摘通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。; 关键词 SIPOS 纵向结构晶体管电压特性半绝缘多晶硅掺氧多晶硅膜结构; Keywords SIPOS oxygen-doped polycrystalline-silicon transistor; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料