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题名6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术
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作者
周春锋
兰天平
边义午
曹志颖
罗惠英
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第5期383-389,共7页
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文摘
为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采用垂直梯度凝固(VGF)法生长晶体肩部,采用垂直布里奇曼(VB)法生长晶体等径部分。在对VGF和VB晶体生长法进行理论分析的基础上,采取优化支撑结构、增加VGF晶体生长降温速率、优化VB晶体生长速度等措施提高6英寸GaAs晶体生长的成晶率至48%以上。基于半绝缘GaAs补偿理论,采取过量碳粉掺杂和El2的控制等措施,提高晶体电阻率至大于4×10^7Ω·cm,降低电阻率不均匀性至小于25%。通过优化生长界面,使GaAs单晶的位错密度降低至小于104 cm^-2。
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关键词
GAAS
半绝缘单晶
单晶生长
垂直梯度凝固(VGF)法
垂直布里奇曼(VB)法
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Keywords
GaAs
semi-insulating single crystal
single crystal growth
vertical gradient freeze(VGF)method
vertical Bridgeman(VB)method
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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