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遗传算法在单电子器件Ⅰ-V特性的半经典拟合中的应用
1
作者
何红波
周继承
+1 位作者
胡慧芳
李义兵
《量子电子学报》
CAS
CSCD
2000年第1期75-80,共6页
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上，采用遗传算法通过对主方程的数值求解，对Ａｕ纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合．我们发现该算法的拟会结果效果很好．
关键词
单电子器件
遗传算法
半经典拟合
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职称材料
题名
遗传算法在单电子器件Ⅰ-V特性的半经典拟合中的应用
1
作者
何红波
周继承
胡慧芳
李义兵
机构
长沙铁道学院材料研究所
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
2000年第1期75-80,共6页
基金
国家自然科学基金!69890227
69971007
霍英东基金
文摘
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上，采用遗传算法通过对主方程的数值求解，对Ａｕ纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合．我们发现该算法的拟会结果效果很好．
关键词
单电子器件
遗传算法
半经典拟合
Keywords
single electron transistor, master equation, genetic algorithm
分类号
TN602 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
遗传算法在单电子器件Ⅰ-V特性的半经典拟合中的应用
何红波
周继承
胡慧芳
李义兵
《量子电子学报》
CAS
CSCD
2000
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