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遗传算法在单电子器件Ⅰ-V特性的半经典拟合中的应用
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作者 何红波 周继承 +1 位作者 胡慧芳 李义兵 《量子电子学报》 CAS CSCD 2000年第1期75-80,共6页
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,采用遗传算法通过对主方程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合.我们发现该算法的拟会结果效果很好.
关键词 单电子器件 遗传算法 半经典拟合
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