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半水基凝胶注模工艺制备变密度氮化硅陶瓷研究
1
作者
李宝伟
陈大明
+3 位作者
仝建峰
王岭
黄浩
刘晓光
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第S1期111-114,共4页
本文以淀粉为模板剂,研究了半水基注模凝胶技术制备变密度氮化硅陶瓷材料的方法。结果表明:氮化硅陶瓷材料的密度随淀粉含量的增加,而逐渐降低;氮化硅陶瓷材料的介电常数随密度的降低而逐渐降低。利用此方法成功制备出密度1.38 g/cm3,...
本文以淀粉为模板剂,研究了半水基注模凝胶技术制备变密度氮化硅陶瓷材料的方法。结果表明:氮化硅陶瓷材料的密度随淀粉含量的增加,而逐渐降低;氮化硅陶瓷材料的介电常数随密度的降低而逐渐降低。利用此方法成功制备出密度1.38 g/cm3,介电常数2.6的低密度氮化硅陶瓷材料。
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关键词
半水基注模凝胶
变密度氮化硅
介电常数
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职称材料
题名
半水基凝胶注模工艺制备变密度氮化硅陶瓷研究
1
作者
李宝伟
陈大明
仝建峰
王岭
黄浩
刘晓光
机构
北京航空材料研究院先进复合材料国防科技重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第S1期111-114,共4页
基金
国防预研基金项目
文摘
本文以淀粉为模板剂,研究了半水基注模凝胶技术制备变密度氮化硅陶瓷材料的方法。结果表明:氮化硅陶瓷材料的密度随淀粉含量的增加,而逐渐降低;氮化硅陶瓷材料的介电常数随密度的降低而逐渐降低。利用此方法成功制备出密度1.38 g/cm3,介电常数2.6的低密度氮化硅陶瓷材料。
关键词
半水基注模凝胶
变密度氮化硅
介电常数
Keywords
half aqueous gel-casting
density-controlled Si3N4
dielectric constant
分类号
TQ174.1 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半水基凝胶注模工艺制备变密度氮化硅陶瓷研究
李宝伟
陈大明
仝建峰
王岭
黄浩
刘晓光
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
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