PTCR型(Sr,Pb)TiO_3陶瓷材料的半导化研究 被引量：2

1

作者 王德君 桂治轮 李龙土 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第5期346-350,共5页

研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％... 研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％～０．５％之间，最低电阻率可达１０Ω·ｃｍ。借助复平面阻抗分析发现，无论是ＳｉＯ２添加剂还是半导化元素Ｙ都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。 展开更多

关键词 钛酸锶铅 正温度系数 热敏电阻 半导化 添加剂

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Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响 被引量：4

2

作者 孟凡明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第5期554-556,共3页

研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T ... 研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T a2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。 展开更多

关键词 TiO2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导化

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TiO_2材料的半导化机理探讨 被引量：6

3

作者 曲宝涵 马传利 杨爱萍 《郑州轻工业学院学报》 2000年第4期99-101,共3页

研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响，结果表明：TiO2材料在高温条件 下可产生间隙离子和氧空位；掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb 5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体，从而增加材料的导电粒子数目 ，改变TiO2材... 研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响，结果表明：TiO2材料在高温条件 下可产生间隙离子和氧空位；掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb 5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体，从而增加材料的导电粒子数目 ，改变TiO2材料的能带结构，降低材料的固有阻值，使TiO2材料半导化． 展开更多

关键词 二氧化钛 高温试验 导电材料 表面掺杂 半导化

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钙钛矿结构陶瓷N型半导化评述

4

作者 陈志雄 周方桥 +1 位作者 付刚 唐大海 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期44-47,共4页

从变价金属氧化物n型半导化的内在因素出发,分析了ABO_3型钙铁矿结构的特点,总结归纳结构因素对n型半导化影响的主要规律。综合分析了钙铁矿结构氧化物陶瓷半导化已有的一些较系统的实验研究结果,表明这些结果与本文得到的主要规律能够... 从变价金属氧化物n型半导化的内在因素出发,分析了ABO_3型钙铁矿结构的特点,总结归纳结构因素对n型半导化影响的主要规律。综合分析了钙铁矿结构氧化物陶瓷半导化已有的一些较系统的实验研究结果,表明这些结果与本文得到的主要规律能够相互印证。对钙钛矿结构氧化物半导体陶瓷中的电子导电机制,也作了进一步的阐明。 展开更多

关键词 钙钛矿结构 n型半导化 半导体陶瓷 结构陶瓷

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(1-x)BaTiO_3-xCaTiO_3陶瓷介电特性与La掺杂半导化研究 被引量：1

5

作者 刘红 王旭升 姚熹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期130-132,135,共4页

制备了(1-x)BaTiP_3-xCaTiO_3(x=0.0～1.0)陶瓷(BCT系)和La掺杂(1-x)BaTiO_3-xCaTiO_3(x= 0.2～0.3)陶瓷(BCTLa系)。研究了BCT系和BCTLa系陶瓷的微观形貌、结构和介电性能,验证了BCT系陶瓷在Ca组分x=0.24～0.90之间的复相结构。研究发现... 制备了(1-x)BaTiP_3-xCaTiO_3(x=0.0～1.0)陶瓷(BCT系)和La掺杂(1-x)BaTiO_3-xCaTiO_3(x= 0.2～0.3)陶瓷(BCTLa系)。研究了BCT系和BCTLa系陶瓷的微观形貌、结构和介电性能,验证了BCT系陶瓷在Ca组分x=0.24～0.90之间的复相结构。研究发现,BCTLa系陶瓷的性质与预期相差甚远,介电常数增长10倍以上,损耗急剧增大,电阻率锐减,较纯BaTiO_3下降5～6个数量级,绝缘性能变差,实现了半导化,并分析了半导化原因。 展开更多

关键词 复相陶瓷 钛酸钡 LA掺杂 介电特性 半导化

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半导化互补型敏感元件开发与应用 被引量：1

6

作者 林来金 林建斌 《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第3期240-242,共3页

讨论集正温、负温或临界热敏器件于一体的互补型敏感元件的特性分析，并研究其工艺的可行性，提出开发应用的价值及其前景．

关键词 互补型敏感元件 开发 应用 半导化 敏感元件

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La_2O_3和Nb_2O_5掺杂对SrTiO_3氧敏特性及半导化影响

7

作者 杜立 曹全喜 《电子科技》 2010年第8期47-49,共3页

研究Nb和La双施主掺杂对SrTiO3陶瓷氧敏性能及半导化的影响,采用固相法合成了La、Nb复合掺杂的钛酸锶Sr1-xLaxTi1-xNbxO3(x=0,0.001,0.01,0.03,0.05,0.1)钙钛矿复合系氧化物。研究不同的La,Nb掺杂量对氧敏材料灵敏度、电导率的影响,对... 研究Nb和La双施主掺杂对SrTiO3陶瓷氧敏性能及半导化的影响,采用固相法合成了La、Nb复合掺杂的钛酸锶Sr1-xLaxTi1-xNbxO3(x=0,0.001,0.01,0.03,0.05,0.1)钙钛矿复合系氧化物。研究不同的La,Nb掺杂量对氧敏材料灵敏度、电导率的影响,对合成氧敏元件在高温下的氧敏性能、电导性进行了测定。结果表明,双施主掺杂不仅可促进SrTiO3陶瓷半导化,而且对氧敏元件灵敏度有重要影响,x=0.3时呈现出理想的氧敏特性。 展开更多

关键词 SRTIO3 双施主掺杂 氧气传感器 半导化

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水热法合成BaTiO_3微粉及其半导化掺杂的研究

8

作者 李永祥 林云 +1 位作者 吴冲若 马爱芬 《电子器件》 CAS 1996年第1期34-36,共3页

本文讨论在水热法合成高纯超细钛酸钡微粉过程中，进行半导化掺杂钇、铌、镧、锑等的研究，结果表明：在以ＹＣｌ３和Ｌａ（ＣＨ３ＣＯ２）２为原料时，可获得掺杂的钛酸钡粉末，经烧结后可获得良好的ＰＩＣ效应。

关键词 晶体生长 水热法 半导体化 掺杂

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晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法

9

作者 文争 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期50-50,共1页

关键词 晶界层 表面层陶瓷电容器 半导化烧结方法

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砷化镓一维光子晶体加速度计理论性能研究

10

作者 曲帅 黄堃 程琳 《舰船电子工程》 2024年第2期188-192,共5页

该系统与以往的光学传感器不同,系统中将一种新的材料—砷化镓—应用于光学微机电系统(MEMS)传感器。基于GaAs的特性和波长调制分析的特点,设计了一个适用于高频率领域的光学MEMS传感器。此外,还使用了ANSYS的有限元分析(FEA)方法和严... 该系统与以往的光学传感器不同,系统中将一种新的材料—砷化镓—应用于光学微机电系统(MEMS)传感器。基于GaAs的特性和波长调制分析的特点,设计了一个适用于高频率领域的光学MEMS传感器。此外,还使用了ANSYS的有限元分析(FEA)方法和严谨的耦合波分析(RCWA)方法。与其他高频传感器的比较表明,所提出的传感器在测量范围广、灵敏度高、交轴轴灵敏度几乎为零等特性方面显示出优势。所提出的光学传感器的光学灵敏度为2.99276,机械灵敏度为0.54nm/g。第一共振频率为23658.6Hz,线性测量范围为±135g,传感系统的灵敏度为161.61nm/g,工作带宽为0~23.6kHz。 展开更多

关键词 应用光学 速度与加速度计量 半导体材料(砷化镓) 高灵敏度

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玻璃丝布的化学镀镍 被引量：5

11

作者 龙有前 肖鑫 +2 位作者 胡新亮 郭贤烙 张瑞欣 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期28-29,共2页

对玻璃丝布的化学镀镍工艺及配方进行了研究，分析并探讨了化学镀镍各工序及镀液组分对阻值的影响，确定了优选参数。对化学镀镍生产的高低阻带进行了高压试验，结果表明，玻璃丝布经化学镀镍处理后，达到高压电机对高低阻带的电阻要求... 对玻璃丝布的化学镀镍工艺及配方进行了研究，分析并探讨了化学镀镍各工序及镀液组分对阻值的影响，确定了优选参数。对化学镀镍生产的高低阻带进行了高压试验，结果表明，玻璃丝布经化学镀镍处理后，达到高压电机对高低阻带的电阻要求，即耐高压、抗电晕、防电腐蚀，且贮存性能优良，从而成功地取代原用玻璃丝布带浸涂半导体电阻漆的老工艺。 展开更多

关键词 化学镀镍 玻璃丝布带 半导体化 高低阻带 电阻值 电镀

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光催化自清洁表面增强拉曼光谱基底用于食品污染物可循环检测的研究进展 被引量：6

12

作者 翟文磊 韦迪哲 王蒙 《食品科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期327-335,共9页

表面增强拉曼光谱(surface-enhanced Raman spectroscopy,SERS)是一种新兴的超灵敏分析技术,在食品安全、环境监测和临床诊断等多个领域都有应用前景。然而,传统SERS检测以金或银的贵金属纳米材料为活性基底,存在均一性和稳定较差、成... 表面增强拉曼光谱(surface-enhanced Raman spectroscopy,SERS)是一种新兴的超灵敏分析技术,在食品安全、环境监测和临床诊断等多个领域都有应用前景。然而,传统SERS检测以金或银的贵金属纳米材料为活性基底,存在均一性和稳定较差、成本较高的问题。通过将SERS与光催化技术联用,以半导体-贵金属复合纳米材料为基底,可改善检测结果的稳定性和批次间差异性,有效降低成本。同时,利用材料的光催化降解功能可达到消除污染物和循环使用基底的目的。本文重点介绍近期光催化自清洁SERS基底用于食品污染物可循环检测的研究进展,包括无机/有机半导体-贵金属复合SERS基底的制备方法、优势和不足,及其在农药、非法添加剂和抗生素等食品中典型污染物检测和消除中的应用,最后总结了该领域现存的挑战和未来的发展趋势。 展开更多

关键词 表面增强拉曼光谱 光催化降解 食品污染物检测 半导体-贵金属杂化纳米材料

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液相烧结法制备掺钇半导体钛酸钡陶瓷 被引量：1

13

作者 颜玉新 《稀土信息》 1995年第5期12-12,共1页

半导体BaTiO₃陶瓷广泛应用于正温度系数（PIC）电阻器和晶界阻挡层（GBBL）电容器。为此目的,BaTiO₃陶瓷中通常掺入半导体化元素,例如Y、La、Nb和Mn等元素。村上等学者报道了稀土元素离... 半导体BaTiO₃陶瓷广泛应用于正温度系数（PIC）电阻器和晶界阻挡层（GBBL）电容器。为此目的,BaTiO₃陶瓷中通常掺入半导体化元素,例如Y、La、Nb和Mn等元素。村上等学者报道了稀土元素离子对BaTiO₃陶瓷电导率的影响。 展开更多

关键词 钛酸钡 烧结法 半导体化 烧结温度 BaTiO₃陶瓷 正温度系数 室温电阻率 稀土元素离子 烧结助剂 添加剂

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半导体量子芯片开发获重要进展

14

《通信电源技术》 2016年第2期143-143,共1页

"量子芯片"是未来量子计算机的"大脑"。中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室郭国平研究组,在量子芯片开发领域的一项重要进展,首次在砷化镓半导体量子芯片中成功实现了量子相干特性好、操控... "量子芯片"是未来量子计算机的"大脑"。中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室郭国平研究组,在量子芯片开发领域的一项重要进展,首次在砷化镓半导体量子芯片中成功实现了量子相干特性好、操控速度快、可控性强的电控新型编码量子比特。该成果近日在国际权威杂志《物理评论快报》发表。郭国平研究组多年来致力于半导体量子芯片的开发,沿着电荷编码量子比特实现超快量子计算路线图。 展开更多

关键词 芯片开发 砷化镓半导体 量子比特 物理评论快报 量子相干 量子计算机 量子信息 相干特性 可控性 轨道杂化

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ITO膜透明导电玻璃的特性、制备和应用 被引量：16

15

作者 马颖 张方辉 牟强 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2003年第1期106-109,共4页

主要介绍了 ITO膜透明导电玻璃的主要特性、结构、导电机理、半导化机理、制备方法 。

关键词 ITO膜透明导电玻璃 制备 导电机理 半导化机理 液晶显示器 溶胶-凝胶法

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La掺杂Ba_(0.67)Sr_(0.33)TiO_3陶瓷高介电常数机制探讨 被引量：1

16

作者 徐静 何波 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期27-33,共7页

添加稀土元素是提高Ba_(0.67)Sr_(0.33)TiO_3陶瓷材料介电性能的一种最常用有效的方法。本文着重研究了La掺杂诱发Ba_(0.67)Sr_(0.33)TiO_3高介电常数机制。研究表明:适量的稀土La掺杂(0.2≤x≤0.7)使陶瓷介电常数显著提高,显著改善了... 添加稀土元素是提高Ba_(0.67)Sr_(0.33)TiO_3陶瓷材料介电性能的一种最常用有效的方法。本文着重研究了La掺杂诱发Ba_(0.67)Sr_(0.33)TiO_3高介电常数机制。研究表明:适量的稀土La掺杂(0.2≤x≤0.7)使陶瓷介电常数显著提高,显著改善了介电温度稳定性。根据电流-电压(J-V)特性可知,适量La掺杂可使陶瓷达到最佳半导化,掺量太少或太多时陶瓷具有良好绝缘性。通过肖特基(Schottky)势垒模型及电学微观结构模型分析发现表面或晶界势垒高度、耗尽层厚度和晶粒尺寸是影响材料介电常数的主要因素。 展开更多

关键词 Ba0.67Sr0.33TiO3 高介电常数 半导化 势垒

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PTCR热敏电阻新原料的探讨

17

作者 刘伟 卢培珍 +1 位作者 陈汴琨 方春行 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期14-16,共3页

研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产ＰＴＣＲ（正温度系数热敏电阻）的一些问题。其中主要包括偏钛酸作为生产ＰＴＣＲ热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明：瓷料半导化的条件与偏钛... 研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产ＰＴＣＲ（正温度系数热敏电阻）的一些问题。其中主要包括偏钛酸作为生产ＰＴＣＲ热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明：瓷料半导化的条件与偏钛酸的煅烧温度及原料预磨情况密切相关。低于８００℃的一定温度范围内预先对偏钛酸球磨后煅烧或８００℃以上直接煅烧，均可实现瓷料的半导化。 展开更多

关键词 PTCR 偏钛酸 半导化 热敏电阻 正温度系数

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La掺杂Sr_(0.4)Pb_(0.6)TiO_3陶瓷热敏机理研究

18

作者 赵景畅 李龙土 桂治轮 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第3期71-74,共4页

液相掺杂施主元素La ,在 110 0～ 12 0 0℃烧结制备出了Sr0 4 Pb0 6TiO3 基陶瓷。该陶瓷具有显著的NTCR PTCR复合效应 ,其室温电阻率随烧结温度提高而增大 ;而添加少量PbO用于补偿铅损失 ,则明显降低了陶瓷的室温电阻率及减弱了居里... 液相掺杂施主元素La ,在 110 0～ 12 0 0℃烧结制备出了Sr0 4 Pb0 6TiO3 基陶瓷。该陶瓷具有显著的NTCR PTCR复合效应 ,其室温电阻率随烧结温度提高而增大 ;而添加少量PbO用于补偿铅损失 ,则明显降低了陶瓷的室温电阻率及减弱了居里点下的NTCR效应。同时利用XRD ,SEM和TEM分别对陶瓷的相结构 ,形貌和畴结构进行了研究。根据实验结果 ,探讨了La掺杂Sr0 4 Pb0 6TiO3陶瓷的半导化机理及其热敏特性。 展开更多

关键词 LA掺杂 热敏机理 (Sr Pb)/TiO3陶瓷 镧掺杂 半导化机理 半导体陶瓷 阻温特性

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电压敏电容双功能元件制备

19

作者 郝云芳 曹全喜 《现代电子技术》 2011年第20期150-152,共3页

为提高元件半导化原理并提高元件的氧气灵敏度,对以SrTiO3为基材的样品分别在强还原气体条件和大气条件下的N型电压敏、电容双功能元件和P型氧气敏感元件,分别测试了N型元件的压敏电压U1mA等电参数和P型元件在不同的温度下的阻温特性、... 为提高元件半导化原理并提高元件的氧气灵敏度,对以SrTiO3为基材的样品分别在强还原气体条件和大气条件下的N型电压敏、电容双功能元件和P型氧气敏感元件,分别测试了N型元件的压敏电压U1mA等电参数和P型元件在不同的温度下的阻温特性、氧敏特性,并进行了TPD测量。研究表明氧空位是在SrTiO3晶体中杂质扩散、实现半导化的重要条件,因此控制氧空位的浓度成为制备钙钛矿型半导体功能陶瓷元件的重要因素;还原气氛烧结产生的氧空位是材料实现N型半导化的重要手段;受主杂质所产生的氧空位促进了环境氧与晶格氧的交换,是材料实现P型半导化的重要手段,也提高了元件的氧气灵敏度。 展开更多

关键词 氧敏 半导化 氧空位 SrTiO3功能材料

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低温BaTiO_3PTCR材料的研究

20

作者 范坤泰 韩述斌 +2 位作者 吴德喜 李玉玲 张新 《山东电子》 1997年第2期7-9,共3页

本文介绍了ＢａＴｉＯ＿３半导瓷ＰＴＣＲ材料的性能，给出了低温ＰＴＣＲ材料的配方、工艺要点及主要特性参数，提出了改进性能的途径。

关键词 PTCR 半导化 铁电材料

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