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硼掺杂半导体金刚石薄膜的制备及性质
1
作者
于三
邹广田
+1 位作者
金曾孙
吕宪义
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期343-343,共1页
本文利用灯丝热解CVD方法以甲烷和氢气为原料气体在单晶硅衬底表面实现了p型硼掺杂半导体金刚石薄膜的气相合成。掺杂剂采用固态单质硼,通过金刚石合成过程中硼的热分解使反应气体中含有一定浓度的硼杂质,控制反应压力和衬底温度得到了...
本文利用灯丝热解CVD方法以甲烷和氢气为原料气体在单晶硅衬底表面实现了p型硼掺杂半导体金刚石薄膜的气相合成。掺杂剂采用固态单质硼,通过金刚石合成过程中硼的热分解使反应气体中含有一定浓度的硼杂质,控制反应压力和衬底温度得到了具有不同的载流子浓度和电阻率的p型金刚石薄膜。
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关键词
灯丝热解CVD
硼掺杂
半导体金刚石薄膜
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职称材料
题名
硼掺杂半导体金刚石薄膜的制备及性质
1
作者
于三
邹广田
金曾孙
吕宪义
机构
吉林大学原子与分子物理研究所
出处
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期343-343,共1页
文摘
本文利用灯丝热解CVD方法以甲烷和氢气为原料气体在单晶硅衬底表面实现了p型硼掺杂半导体金刚石薄膜的气相合成。掺杂剂采用固态单质硼,通过金刚石合成过程中硼的热分解使反应气体中含有一定浓度的硼杂质,控制反应压力和衬底温度得到了具有不同的载流子浓度和电阻率的p型金刚石薄膜。
关键词
灯丝热解CVD
硼掺杂
半导体金刚石薄膜
分类号
O484 [理学—固体物理]
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作者
出处
发文年
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1
硼掺杂半导体金刚石薄膜的制备及性质
于三
邹广田
金曾孙
吕宪义
《人工晶体学报》
CSCD
1991
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