超辐射激光二极管的研究与应用 被引量：7

1

作者 韦文生 张春熹 +3 位作者 马静 米剑 周克足 王天民 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期409-411,共3页

分析了超辐射激光二极管(Super-LuminescentDiode,SLD)SLD管芯的有源区、后端吸收区以及出光端面的增透膜对光谱的影响。介绍了SLD组件的封装(SLD的温度控制、SLD管芯与尾纤的耦合)。讨论了在干涉型光纤陀螺仪、光时域反射计、医学相干... 分析了超辐射激光二极管(Super-LuminescentDiode,SLD)SLD管芯的有源区、后端吸收区以及出光端面的增透膜对光谱的影响。介绍了SLD组件的封装(SLD的温度控制、SLD管芯与尾纤的耦合)。讨论了在干涉型光纤陀螺仪、光时域反射计、医学相干检测技术、波分复用技术中对SLD的要求。 展开更多

关键词 超辐射激光二极管 SLD 光纤陀螺仪 光时域反射计 光相干检测 波分复用

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基于石墨烯超辐射激光二极管的研究与应用

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作者 李志博 任宏 《集成电路应用》 2021年第9期10-11,共2页

阐述光谱反射蒙皮对有源区,外壳的吸收区以及SLD芯片的发光端面的影响,SLD组件的封装,温度受控的SLD,SLD芯片连接,发光二极管分析,连续性分析技术,以及SLD的波长倍增器技术要求。

关键词 激光二极管 石墨烯 超辐射

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长波长1．3μm激光器腔面镀减反射膜超辐射发光管的制备

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作者 鲍海飞 石家纬 刘明大 《红外与激光技术》 EI CSCD 1995年第4期56-59,共4页

本实验采用ＩＬ－４００型膜厚速率控制仪和钼舟，对半导体激光器端面分别蒸镀单层和双层减反射膜来制备长波长超辐射发光二极管，并对蒸镀减反射膜后器件的功率特性和光谱特性方面进行了测试。

关键词 超辐射 发光二极管 钼舟 半导体激光器

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超辐射LD与带类球透镜保偏光纤的耦合技术 被引量：5

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作者 韦文生 周克足 +1 位作者 张春熹 王天民 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期272-274,共3页

采用高斯模场近似和模场匹配方法,对超辐射激光二极管与带类球透镜单模熊猫型保偏光纤的耦合,进行了仿真计算和实验研究。分析了耦合效率与光源激发的光模场、光纤结构及光纤头部形状、耦合工作参数等因素的关系。通过改进耦合技术获得... 采用高斯模场近似和模场匹配方法,对超辐射激光二极管与带类球透镜单模熊猫型保偏光纤的耦合,进行了仿真计算和实验研究。分析了耦合效率与光源激发的光模场、光纤结构及光纤头部形状、耦合工作参数等因素的关系。通过改进耦合技术获得了较高的耦合效率。 展开更多

关键词 半导体超辐射激光二极管 带类球透镜单模熊猫型保偏光纤 耦合技术

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空间激光通信系统光电器件辐射效应研究 被引量：2

5

作者 杨生胜 高欣 +3 位作者 冯展祖 王俊 把得东 曹洲 《航天器环境工程》 2017年第6期571-576,共6页

针对空间激光通信系统所用高速半导体激光器、光电探测器、掺铒光纤放大器(EDFA)、石英光纤等关键器件,开展电子、质子和γ射线辐照试验。半导体激光器经^(60)Co-γ射线和电子加速器辐照后斜率效率发生轻微下降,下降程度与总剂量大小有... 针对空间激光通信系统所用高速半导体激光器、光电探测器、掺铒光纤放大器(EDFA)、石英光纤等关键器件,开展电子、质子和γ射线辐照试验。半导体激光器经^(60)Co-γ射线和电子加速器辐照后斜率效率发生轻微下降,下降程度与总剂量大小有关;而光功率在电子辐照后出现严重下降,表明电子辐照比γ射线产生更多的损伤,可以归因于电子造成的位移损伤。PIN光电探测器在质子辐照后,暗电流和电容都明显增大,主要是由于质子造成的位移损伤引入深能级缺陷增加势垒,导致光电探测器性能退化。EDFA系统的掺铒光纤经^(60)Co-γ射线辐照后,对系统的增益和噪声影响很大。石英光纤主要受总剂量效应影响,辐射损耗随光纤通入的光波波长增大而减小,而且光纤损耗的剂量率效应不明显,实际试验可以根据试验条件选择适当的剂量率。研究结果可为空间激光通信系统的元器件选型、辐射效应评估与抗辐射加固设计提供参考数据。 展开更多

关键词 半导体激光器 光电二极管 掺铒光纤放大器 光纤 辐射效应

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光纤陀螺光源数字温度控制技术 被引量：7

6

作者 姚琼 刘阳 +2 位作者 宋章启 谢元平 胡永明 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期17-18,共2页

分析了光纤陀螺SLD光源的温度特性 ,设计了SLD数字非线性温度控制方法 ,在宽温度范围内实现了SLD温度的稳定控制 ,并且能实现迅速启动 ,温度过冲控制在± 1K的范围。实验测得温控稳定性达到 0 .0 5K ,启动时间短于 1 2s。通过控制... 分析了光纤陀螺SLD光源的温度特性 ,设计了SLD数字非线性温度控制方法 ,在宽温度范围内实现了SLD温度的稳定控制 ,并且能实现迅速启动 ,温度过冲控制在± 1K的范围。实验测得温控稳定性达到 0 .0 5K ,启动时间短于 1 2s。通过控制参数的设定 。 展开更多

关键词 光纤陀螺 SLD光源 温度控制 超辐射二极管 半导体激光器 数字控制

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国产LD泵浦掺Yb双包层光纤光谱特性研究 被引量：1

7

作者 杜戈果 阮双琛 +3 位作者 罗烽 郑敦之 温智强 朱勤 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期149-152,156,共5页

研究了国产掺Yb双包层光纤在国产980nm半导体激光器的泵浦下,在不同条件下所产生的自发辐射谱、放大的自发辐射(ASE)谱和激光光谱。分析了ASE的特性,与超荧光作了区别,并分析了激光的模式竞争。一方面,验证了国产双包层光纤的可行性;另... 研究了国产掺Yb双包层光纤在国产980nm半导体激光器的泵浦下,在不同条件下所产生的自发辐射谱、放大的自发辐射(ASE)谱和激光光谱。分析了ASE的特性,与超荧光作了区别,并分析了激光的模式竞争。一方面,验证了国产双包层光纤的可行性;另一方面,通过对该实验的研究,可以加深对激光形成的理解。 展开更多

关键词 半导体激光器 掺Yb双包层光纤 二极管泵浦 自发辐射 超荧光 LD 光谱特性

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1.30μm-MQW-SLD的性能与注入电流和温度的关系 被引量：1

8

作者 韦文生 张春熹 +3 位作者 冯丽爽 马静 周克足 王天民 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期119-123,共5页

全面测试了峰值波长为1.30μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。得到:MQW SLD显示了软阈值特性。温度不变时,其输出光功率随注入电流的增大而增加;MQW SLD... 全面测试了峰值波长为1.30μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。得到:MQW SLD显示了软阈值特性。温度不变时,其输出光功率随注入电流的增大而增加;MQW SLD模块的峰值波长随注入电流的增大而减小;注入电流不变时,其输出光功率随管芯温度的升高而减小;峰值波长随温度升高而增大。SLD模块的3dB带宽随注入电流的增大及管芯温度的升高而变化。注入电流大于阈值电流时,MQW SLD模块的消光比随注入电流和管芯温度的升高而增大。 展开更多

关键词 超辐射激光二极管 光谱 输出功率 消光比 注入电流 温度

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1.3μm DH-SLD的性能与工作电流和温度的关系 被引量：2

9

作者 韦文生 张春熹 +3 位作者 马静 周克足 米剑 王天民 《红外》 CAS 2004年第4期18-23,共6页

全面地测试并分析了掩埋双异质结型超辐射激光二极管模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。得到:DH-SLD显示了软阈值特性,其输出光功率随注入电流的增大而增加,随管芯温度的升高而降低。温度不变时,当注入电流小... 全面地测试并分析了掩埋双异质结型超辐射激光二极管模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。得到:DH-SLD显示了软阈值特性,其输出光功率随注入电流的增大而增加,随管芯温度的升高而降低。温度不变时,当注入电流小于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大而减小,当注入电流大于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大有所增大;峰值波长随温度升高而增大。3dB带宽随注入电流的增大而减小,随温度的升高而略有增大。消光比随注入电流和温度的升高而变化。 展开更多

关键词 超辐射激光二极管 输出功率 消光比 光谱 工作电流 温度漂移 注入电流

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1.55μm-MQW-SLD连续工作状态下的性能

10

作者 韦文生 张春熹 +2 位作者 冯丽爽 周克足 王天民 《红外》 CAS 2004年第2期10-16,共7页

全面地测试并分析了峰值波长约为1.55μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW-SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。结果表明:在连续工作状态下,此SLD模块显示了软阈值特性,其性能随着注入电流和... 全面地测试并分析了峰值波长约为1.55μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW-SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。结果表明:在连续工作状态下,此SLD模块显示了软阈值特性,其性能随着注入电流和温度的变化而变化。 展开更多

关键词 超辐射激光二极管 光谱 输出功率 消光比 注入电流 量子阱 发光二极管 带隙收缩

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连续可调恒流的SLED恒温控制 被引量：3

11

作者 王立东 孙长森 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期74-76,86,共4页

为了解决大功率半导体超辐射发光二极管(SLED)的恒流、恒温驱动问题,使这类光源可以在恒定温度条件下,实现驱动电流连续调节的工作模式,设计了一种控制器,使用单片机MSP430作为其主芯片,采用脉宽调制和比例-积分-微分算法及半导体制冷... 为了解决大功率半导体超辐射发光二极管(SLED)的恒流、恒温驱动问题,使这类光源可以在恒定温度条件下,实现驱动电流连续调节的工作模式,设计了一种控制器,使用单片机MSP430作为其主芯片,采用脉宽调制和比例-积分-微分算法及半导体制冷器实现对光源温度的精密控制。实验中,控制器可以使光源在环境温度为10℃～40℃范围内稳定工作,温度稳定性可达到0.1℃,而其驱动电流则在0mA～200mA范围内连续可调,且恒定驱动电流可在全程范围内稳定在0.1mA。结果表明,所设计的控制器完全可以满足SLED的工作要求,满足了白光干涉系统对于光源的稳定性的需要。 展开更多

关键词 激光器 超辐射发光二极管 脉宽调制 比例-积分-微分算法 驱动电流连续可调

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