南京理工大学纳米光电材料研究所曾海波团队，与美国University of Puerto Rico陈中方教授、南京师范大学李亚飞教授合作，在全新二维半导体设计方面取得重要突破。近年来，原子级厚度二维晶体材料，如石墨烯、硅烯和锗烯等，展现出卓...南京理工大学纳米光电材料研究所曾海波团队，与美国University of Puerto Rico陈中方教授、南京师范大学李亚飞教授合作，在全新二维半导体设计方面取得重要突破。近年来，原子级厚度二维晶体材料，如石墨烯、硅烯和锗烯等，展现出卓越的性能，被广泛应用于信息、能源器件。然而，这些碳族二维晶体也暴露了严重的弱点——零带隙，严重影响了它们在电子、光电子器件中的应用。此外，硫化物二维晶体带隙小于2．0eV，而氮化硼白石墨烯带隙则高达6．0eV。显然，二维半导体的带隙、响应光谱波段存在严重缺失，影响了相应器件的发展。展开更多
文摘南京理工大学纳米光电材料研究所曾海波团队，与美国University of Puerto Rico陈中方教授、南京师范大学李亚飞教授合作，在全新二维半导体设计方面取得重要突破。近年来，原子级厚度二维晶体材料，如石墨烯、硅烯和锗烯等，展现出卓越的性能，被广泛应用于信息、能源器件。然而，这些碳族二维晶体也暴露了严重的弱点——零带隙，严重影响了它们在电子、光电子器件中的应用。此外，硫化物二维晶体带隙小于2．0eV，而氮化硼白石墨烯带隙则高达6．0eV。显然，二维半导体的带隙、响应光谱波段存在严重缺失，影响了相应器件的发展。
