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电场对极性半导体表面(或界面)极化子行为的影响 被引量:1
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作者 杨兵初 《中南工业大学学报》 CSCD 1995年第2期266-270,共5页
采用电子动量和坐标的线性组合算符方法对电场中的极性半导体表面(或界面)极化子行为进行了研究。当电场较弱时(104V/m以下),表面(或界面)极化子的基态能量和有效质量随电场增加而线性地减小,但其影响甚小,在中等强度的... 采用电子动量和坐标的线性组合算符方法对电场中的极性半导体表面(或界面)极化子行为进行了研究。当电场较弱时(104V/m以下),表面(或界面)极化子的基态能量和有效质量随电场增加而线性地减小,但其影响甚小,在中等强度的电场下(104~105V/m),电子-声子间的耦合逐渐减弱,电子-电场相互作用逐渐增强,体现在表面(或界面)极化子的基态能量和有效质量更加明显地减小。当电场高于某一极限电场时,电子成为准自由电子。 展开更多
关键词 极化子 半导体表面 基态能量 有效质量 电场
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Ⅳ族半导体表面和界面结构与特性
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作者 盖峥 赵汝光 +1 位作者 季航 杨威生 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期159-166,共8页
为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质,以扫描隧道显微镜(STM)为主要手段,辅以LEED和AES等常规手段,对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述,首先介绍几个重要的Ge高指数表面的结构,然后对... 为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质,以扫描隧道显微镜(STM)为主要手段,辅以LEED和AES等常规手段,对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述,首先介绍几个重要的Ge高指数表面的结构,然后对发生在Ge(111)和(113)表面和亚表面的原子的扩散和迁移运动作了介绍,最后阐述决定Ⅲ族金属/Ⅳ族半导体界面的结构的3个共同要素。 展开更多
关键词 STM 界面结构 半导体表面 Ⅳ族半导体
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半导体表面和界面电子态的研究进展
3
作者 谢希德 《物理学进展》 1981年第1期86-99,共14页
本文第一部份介绍了近年来有关半导体表面和界面电子态的一些实验与理论研究结果以及目前大家感兴趣的课题,第二部份则介绍理论研究方面主要使用的方法以及方法的特点和不足之处。
关键词 表面电子态 半导体表面 基矢 原胞 薄片 原子层 再构 界面电子态 赝势法 能带结构算法 自洽计算 原子轨道 能带结构 电子能态
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用反应性卤素浸蚀半导体表面
4
《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期65-65,共1页
关键词 反应性 卤素 浸蚀 半导体表面 硅材料 加工 美国伊利诺斯大学
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激光诱导击穿光谱技术在半导体材料检测方面的应用进展
5
作者 武传奇 修俊山 《激光杂志》 CAS 北大核心 2024年第3期24-29,共6页
对于半导体材料的研究来说,其在材料内部的元素组成以及含量是影响其性能的一个重要因素,常规的检测方法虽然能够检测出样品中成分以及含量信息,但是在这过程中存在成本高、效率低、耗时长、过程较为繁琐等问题。在分析技术领域不断发... 对于半导体材料的研究来说,其在材料内部的元素组成以及含量是影响其性能的一个重要因素,常规的检测方法虽然能够检测出样品中成分以及含量信息,但是在这过程中存在成本高、效率低、耗时长、过程较为繁琐等问题。在分析技术领域不断发展的今天,急需寻找一种便携、新颖、与当今材料相匹配的检测技术。正是基于以上需求,激光诱导击穿光谱(LIBS)技术逐步走进了大众的视野,对LIBS技术进行了简要介绍,在此基础上着重介绍了利用LIBS技术来分析半导体材料表面的微分析研究与半导体材料金属氧化物纳米薄膜方面的研究进展,介绍了LIBS技术在这两方面检测的优势以及未来LIBS技术在这些方面的发展。 展开更多
关键词 激光诱导击穿光谱 半导体材料表面微分析 金属氧化物纳米薄膜 定性定量分析
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半导体光强反射式光纤温度传感器
6
作者 肖韶荣 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1996年第1期63-66,共4页
介绍一种利用半导体表面反射率随温度变化研制的光纤温度传感器,测量范围为20—200℃,响应速度<3s,灵敏度<1.0℃.这种传感器结构简单,具有开关特性。
关键词 半导体表面反射 光纤 温度 传感器
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微机程序数控波长扫描单色仪及其在半导体光电化学中的应用
7
作者 蔡生民 张久俊 郭焕显 《仪器仪表学报》 EI CAS 1986年第3期319-324,共6页
一、前言半导体光电化学是近年来发展起来的边缘学科,对太阳光能直接转换成电能和化学能,半导体表面的电化学处理均起着重要的指导作用〔1〕、〔2〕。在研究工作中需要用不同波长(λ)的光对电极进行反复照射。其波长变化的范围,速度及... 一、前言半导体光电化学是近年来发展起来的边缘学科,对太阳光能直接转换成电能和化学能,半导体表面的电化学处理均起着重要的指导作用〔1〕、〔2〕。在研究工作中需要用不同波长(λ)的光对电极进行反复照射。其波长变化的范围,速度及方向最好能够实行实时程序控制。这样就可以由计算机直接得出半导体电极的禁带宽度,平带电位,光能转换的量子效率,电极随时间的蜕变情况等重要数据。本文叙述微机程序数控波长扫描单色仪部分原理,及其调试及实验结果。 展开更多
关键词 半导体光电化学 单色仪 波长扫描 半导体电极 太阳光能 对电极 电化学处理 半导体表面 量子效率 禁带
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Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展
8
作者 孙序文 《光通信研究》 1987年第2期45-49,共5页
本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ_c的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ_c降低的机理。
关键词 欧姆接触 半导体表面 比接触电阻 溅射清洗 肖特基势垒 金属-半导体接触 化合物半导体
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Finder-1000 X射线能谱仪在半导体陶瓷电容器制程中的应用
9
作者 李静 王振平 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期528-529,共2页
关键词 Finder-1000X射线能谱仪 EDX 半导体陶瓷电容器 表面层型半导体瓷片 表面污染黑斑 表面疵病
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半导体晶圆检测关键连续波深紫外激光光源研制
10
作者 徐国锋 王正平 +5 位作者 王树贤 武奎 梁飞 路大治 张怀金 于浩海 《人工晶体学报》 CAS 2024年第4期739-739,共1页
深紫外激光是半导体领域的关键光源。基于非线性频率变换的全固态深紫外激光具有结构紧凑、价格低廉等优势,有广泛需求。受限于晶体非线性系数较线性介电常数小数个数量级,深紫外激光通常以具有高峰值(千瓦级)的脉冲形式获得,连续波深... 深紫外激光是半导体领域的关键光源。基于非线性频率变换的全固态深紫外激光具有结构紧凑、价格低廉等优势,有广泛需求。受限于晶体非线性系数较线性介电常数小数个数量级,深紫外激光通常以具有高峰值(千瓦级)的脉冲形式获得,连续波深紫外激光效率较低,其实用化极其困难。高峰值的紫外激光通常会对半导体表面及内部产生损伤,限制了半导体晶圆缺陷等装备的应用和发展。 展开更多
关键词 半导体领域 半导体表面 连续波 深紫外激光 非线性系数 半导体晶圆 脉冲形式 介电常数
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固体表面动态现象的研究进展
11
作者 李桂杰 高后秀 刘双翼 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期16-19,28,共5页
总结了近年来国内外固体表面动态现象研究的最新进展,其中包括金属和半导体表面原子岛的塌落现象、金属和半导体表面台阶波动、半导体表面特异集团的跳跃、金属袁面非线性振荡现象及其它一些动态现象;描述了这些动态现象特征及形成机制... 总结了近年来国内外固体表面动态现象研究的最新进展,其中包括金属和半导体表面原子岛的塌落现象、金属和半导体表面台阶波动、半导体表面特异集团的跳跃、金属袁面非线性振荡现象及其它一些动态现象;描述了这些动态现象特征及形成机制,并展望了动态现象的研究方向和应用前景。 展开更多
关键词 固体表面 动态 研究进展 半导体表面 表面台阶 振荡现象 金属表面 形成机制 研究方向 国内外 非线性 原子 波动 跳跃
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纳米尺度的表面化学在薄膜材料与表面工程中的应用
12
作者 陶丰 郑旭煦 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2007年第5期1-10,共10页
纳米尺度的表面化学定义为在纳米及其以下尺度研究表面与界面的结构与化学以用于精确控制材料合成与应用中发生在表面与界面的弱的相互作用力或强的化学键合。通常,新的功能材料的合成涉及到分子间弱的相互作用或新的化学键的产生。文... 纳米尺度的表面化学定义为在纳米及其以下尺度研究表面与界面的结构与化学以用于精确控制材料合成与应用中发生在表面与界面的弱的相互作用力或强的化学键合。通常,新的功能材料的合成涉及到分子间弱的相互作用或新的化学键的产生。文中简要评论了有机分子在固体表面的自组装或通过表面化学反应而实现的定向组装以引证说明研究纳米尺度的表面化学对新材料合成与对材料性能理解的重要性。基于对这些组装过程的原子尺度的理解,新的纳米有机结构材料合成方法如固体表面二维纳米网格得以讨论。对通过弱的非键作用而实现的分子自组装薄膜,分子–基体间相互作用可能引起分子构型的变化甚至使分子产生手性。分子与分子之间相互作用特别是分子之间的官能团相互作用以最大化自组装薄膜的稳定性,从而决定分子在薄膜中的排布结构。有机分子在固体表面的定向排布是通过分子的活性官能团与固体表面活性场进行表面化学反应而实现的。因而分子在定向组装的薄膜中的排布主要取决于不同官能团参与表面反应的竞争与选择以及固体表面活性场的分布。用有机分子在Si(100)与Si(111)–7×7表面的反应为例对分子定向组装形成薄膜进行原子尺度的理解,并讨论了有机分子在硅表面定向组装的反应机理。研究表明在纳米以下尺度对分子在固体表面自组装和定向组装的理解对发展具有广泛应用前景的二维与三维固体表面功能材料具有重要意义。 展开更多
关键词 纳米尺度 表面化学 扫描隧道显微镜 自组装 薄膜 半导体表面
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Effectiveness analysis of corona protection materials for HV rotating machines
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作者 Victor Belko FENG Shengxi +2 位作者 Efrem Feklistov FENG Yu LIU Ji 《电机与控制学报》 北大核心 2025年第4期35-44,共10页
In this paper a fully parametrized finite element simulation model of the stator bar end is created using the COMSOL Multiphysics.The model allows conducting the comparison of different corona protection structures’d... In this paper a fully parametrized finite element simulation model of the stator bar end is created using the COMSOL Multiphysics.The model allows conducting the comparison of different corona protection structures’design,various materials properties,and finally optimizing the corona protection system.Several samples of SiC based nonlinear conductivity materials for corona protection were fabricated in laboratory and then investigated.The conductivity dependencies on electric field(0.05 to 1 kV/mm)and temperature(20 to 155℃)were measured.By comparing the heat-resistant grades of the corona protection material and the insulating material,the maximum working temperature of the corona protection material corresponds to the heat-resistant grade F of the insulating material.As the temperature increases,the nonlinear characteristics of the corona protection material in the experiment decrease dramatically,reducing the heat-resistant grade of the corona protection material.The decrease in the nonlinear characteristics of the corona protection material at the maximum operating temperature causes the maximum electric field strength at the end of the HV rotating machines end corona protection(ECP)exceeding the corona discharge electric field strength,resulting in corona phenomenon. 展开更多
关键词 stator windings partial discharges stress grading corona protection semiconductive materials surface resistance nonlinear properties
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太赫兹波及其常用源 被引量:21
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作者 杨鹏飞 姚建铨 +1 位作者 邴丕彬 邸志刚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期125-131,共7页
介绍了太赫兹波的特性及其应用,从宽带、窄带两个方面归类,详细介绍了现阶段常用的几种太赫兹源,并列出了相关重要参数的计算。随着源技术的不断进步,太赫兹电磁波也将象光学和微波波段的电磁波一样,给人类社会的许多方面带来深远的影响。
关键词 太赫兹 差频 整流 半导体表面辐射
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InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析
15
作者 王典芬 丁国庆 +1 位作者 魏铭鉴 孙文华 《分析测试学报》 CAS CSCD 1997年第3期1-5,共5页
采用X射线光电子能谱(XPS)对InGaAsP/InP异质结构金属有机化学蒸发沉积(MOCVD)外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式,发现带隙的计算与用光压谱(PVS)实... 采用X射线光电子能谱(XPS)对InGaAsP/InP异质结构金属有机化学蒸发沉积(MOCVD)外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式,发现带隙的计算与用光压谱(PVS)实验值十分吻合;但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由X射线双晶衍射(DCD)测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的XPS元素分析和元素的深度分布分析,以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异,由此得到的有关片子质量的正确判断,有力地证明了XPS是研究MOCVD外延膜材料的得力工具。 展开更多
关键词 半导体表面化学 XPS MOCVD 外延晶片 外延膜材料
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纳米科技普遍性原理的探讨
16
作者 闻立时 黄荣芳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A08期2927-2930,共4页
在纳米科技研究中,我们有机会接触多个纳米科技领域的理论,它们都是针对纳米科技的某一领域的某个特殊问题提出,并且适用于该局部领域,例如:金属薄膜电导率尺寸效应理论:半导体表面纳米光催化理论;半导体超晶格物理:纳米结构增... 在纳米科技研究中,我们有机会接触多个纳米科技领域的理论,它们都是针对纳米科技的某一领域的某个特殊问题提出,并且适用于该局部领域,例如:金属薄膜电导率尺寸效应理论:半导体表面纳米光催化理论;半导体超晶格物理:纳米结构增强原理;X射线反射多层膜原理;介观物理;纳米多层膜磁阻效应及其信息存储技术原理:纳米结构电磁工程原理;电磁波局域化理论;光子晶体和微腔技术理论。这类理论通常称之为纳米科技的特殊性原理。 展开更多
关键词 纳米科技 工程原理 普遍性 信息存储技术 半导体表面 纳米多层膜 纳米结构 超晶格物理
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扫描隧道显微术的发展
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作者 汪金祥 《应用光学》 CAS CSCD 1989年第5期26-31,共6页
本文简要介绍扫描遂道显微镜的基本工作原理、应用现状及其发展前景。
关键词 扫描隧道显微术 表面电子结构 工作原理 发展前景 半导体表面 电荷密度波 原子尺度 层状材料 振动谱 灰度级
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CO在NiO(100)面上吸附的近边X射线吸收精细结构理论分析
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作者 庄飞 程成 +2 位作者 汪雷 何江平 唐景昌 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2001年第1期35-41,共7页
用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性... 用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于 展开更多
关键词 近边X射线吸收精细结构 多重散射团簇理论 可靠性因子 一氧化碳 氧化镍 表面吸附 半导体表面结构
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Au—Si界面的室温反应
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作者 黄波 张敬平 邢益荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第5期311-315,共5页
利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有结果表明,与Au—Si(111)和Au~Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au... 利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有结果表明,与Au—Si(111)和Au~Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度~5ML。从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特征。根据实验结果,讨论了Au—Si界面室反应的可能模型。 展开更多
关键词 室温反应 AU SI 发射峰 混合效应 夹层结构 电荷迁移 生长形态 膜厚度 半导体表面
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扫描隧道显微镜
20
作者 陈虞峰 黄金林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第2期135-140,共6页
一、引言扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,简称STM)是G. Binnig和H. Robrer等1979年发明的一种新型表面分析技术,近几年来得到了迅速发展。它能在实空间、原子尺度上研究金属和半导体表面的几何结构和电子结构,且能在真... 一、引言扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,简称STM)是G. Binnig和H. Robrer等1979年发明的一种新型表面分析技术,近几年来得到了迅速发展。它能在实空间、原子尺度上研究金属和半导体表面的几何结构和电子结构,且能在真空、气体或液体中操作,其适用范围极为广泛。它在表面科学中的应用已取得了丰硕的成果。 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 表面分析技术 原子尺度 半导体表面 近场光学 原子级 原子力显微镜 电荷密度 弹性常数 电子结构
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