TN248.4 2004064104 高铝Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁...TN248.4 2004064104 高铝Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁（中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京（100083））,宋国峰…∥半导体学报.—2004,25（5）.—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12（严寒）展开更多
TN248.1 2004064079 表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模=Passive modelocking diode-end-pumped Nd:YAG laser with surface-state type of semiconductor saturable absorption mirror[刊,中]/王勇刚(中科院半导体所...TN248.1 2004064079 表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模=Passive modelocking diode-end-pumped Nd:YAG laser with surface-state type of semiconductor saturable absorption mirror[刊,中]/王勇刚(中科院半导体所.北京(100083)),马骁宇…∥光电子·激光.—2004,15(5).—446-448 砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态,砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行弛豫,弛豫时间估计在ps量级。依此原理,制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜。展开更多
文摘TN248.4 2004064104 高铝Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁（中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京（100083））,宋国峰…∥半导体学报.—2004,25（5）.—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12（严寒）
