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直流断路器半导体组件关断暂态杂散电感研究被引量：9: 1; 作者赵锡正魏晓光 +3 位作者齐磊喻湄霁周万迪东野忠昊《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5732-5740,共9页; 母排杂散电感是影响绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)工作可靠性的关键因素之一。为得到杂散电感对直流断路器半导体组件的影响机理,进而提出降低杂散电感的优化设计方法,该文首先分析混合式直流断路器半导... 展开更多; 关键词混合级联直流断路器半导体组件杂散电感耦合系数灵敏度分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压直流断路器组件内IGBT关断瞬态电压过冲的关键影响参数被引量：7: 2; 作者刘欣王利桐 +1 位作者梁贵书齐磊《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期2654-2662,共9页; 基于绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的全控型混合式高压直流断路器是多端柔性高压直流输电工程的关键设备,其半导体组件内IGBT关断瞬态电压过冲是工程中需重点关注的问题,该文以典型的IGBT全桥拓扑结构的半... 展开更多; 关键词高压直流断路器半导体组件杂散电感驱动电阻瞬态电压过冲; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于动力组件的新结构基板: 3; 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期65-66,共2页; 日本同和矿业公司(同和鈜业)最近开发成功电路基板与放热基板(散热器底)整体化、用于动力半导体组件的新结构基板，从2004年6月底在其盐尻工厂(墟尻工场)试生产，并开始对外提供试用样品。; 关键词电路基板新结构半导体组件试用试生产动力日本同和矿业公司工厂整体化; 在线阅读下载PDF 职称材料

滚珠丝杠运动平台的应用: 4; 作者王福清《制造技术与机床》 CSCD 北大核心 2004年第6期76-77,共2页; 滚珠丝杠运动平台已逐渐广泛应用于晶圆(即硅片)和IC半导体组件的运送装置.本产品开发的主要目的是将一轴直线运动平台模块化、标准化,而使用者可根据作业内容的需要选择适当的型式及行程,组成不同的结构,以满足顾客快速、低成本的需求... 展开更多; 关键词滚珠丝杠运动平台硅片半导体组件模块化标准化; 在线阅读下载PDF 职称材料

温敏特性智能测试仪的研制: 5; 作者于广桥赵宁《电测与仪表》北大核心 2000年第1期37-40,共4页; 以温敏电阻的阻温特性测量为例，详细讨论了电子元器件以及电子仪器仪表的温敏特性智能化测试的方法。首次成功地将半导体致冷组件引入温敏特性测量领域，很好地实现了一５０℃－７０℃温区范围内的温度可控调节。本文的设计经过适当的... 展开更多; 关键词智能化测量温敏特性半导体致冷组件; 在线阅读下载PDF 职称材料

激光参数、测试及设备: 6; 《中国光学》 EI CAS 1998年第6期18-19,共2页; TN247 98063616半导体激光器组件内部温度的测定与预置=Internaltemperature measurement and preset of semiconductorlaser assembiles[刊,中]/戎福恩(邮电部五所.四川,成都(610062)); 关键词半导体激光器组件光纤通信超短光脉冲内部温度集成光学测试技术中性减光板测量激光参数学术会议; 在线阅读下载PDF 职称材料

激光参数测量: 7; 《中国光学》 EI CAS 1999年第5期28-29,共2页; TN247 99052983半导体激光器组件内部温度的测定与预置=Semiconductorlaser component’s internal temperature’smeasurement and initialization[刊,中]/戎福恩(邮电部五所.四川,成都(610062))//光通信技术.—1998,22(4).—302—304... 展开更多; 关键词半导体激光器组件内部温度间接测定光通信技术高动态范围高功率激光束相关器噪声分布测量方法激光参数测量; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名直流断路器半导体组件关断暂态杂散电感研究被引量：9: 1; 作者赵锡正魏晓光齐磊喻湄霁周万迪东野忠昊; 机构新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司); 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5732-5740,共9页; 基金国家重点研发计划项目(2017YFB0902400) 先进输电技术国家重点实验室开放基金项目(GEIRI-SKL-2017-005)~~; 文摘母排杂散电感是影响绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)工作可靠性的关键因素之一。为得到杂散电感对直流断路器半导体组件的影响机理,进而提出降低杂散电感的优化设计方法,该文首先分析混合式直流断路器半导体组件关断暂态过程,建立包含杂散电感在内的二极管全桥组件关断暂态等效电路,在此基础上通过理论分析、仿真计算和试验相结合的方法,深入研究二极管全桥组件内部杂散电感对IGBT关断电压过冲的影响。提出以量化分析杂散电感对IGBT关断电压影响的灵敏度系数,并据此提出二极管全桥组件杂散电感的设计原则。以此原则设计搭建二极管全桥组件试验验证平台。仿真与试验结果吻合良好,验证了杂散电感影响分析的准确性,以及杂散电感优化方案的有效性。; 关键词混合级联直流断路器半导体组件杂散电感耦合系数灵敏度分析; Keywords hybrid DC circuit breaker semiconductor module stray inductance coupling coefficient sensitivity analysis; 分类号 TM721.1 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压直流断路器组件内IGBT关断瞬态电压过冲的关键影响参数被引量：7: 2; 作者刘欣王利桐梁贵书齐磊; 机构华北电力大学电力工程系华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期2654-2662,共9页; 基金国家重点研发计划(2017YFB0902400).; 文摘基于绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的全控型混合式高压直流断路器是多端柔性高压直流输电工程的关键设备,其半导体组件内IGBT关断瞬态电压过冲是工程中需重点关注的问题,该文以典型的IGBT全桥拓扑结构的半导体组件为例,研究了半导体组件内部的母排杂散电感对IGBT关断瞬态电压过冲的影响,揭示了母排杂散电感对IGBT关断瞬态电压过冲的影响机理,获得了IGBT关断瞬态电压过冲关于组件内不同母排中杂散电感的灵敏度;在研究高压直流断路器中IGBT关断机理的基础上获得了包括IGBT器件本身的物理特性参数在内的影响关断瞬态电压过冲的关键参数及其影响规律,最后通过试验验证了理论分析的正确性。研究结果表明:组件内电容支路杂散电感对IGBT关断瞬态电压影响最大,其应作为重点优化对象;除杂散电感外,IGBT的栅极氧化层电容、关断过程集射极电压快速上升时对应的拐点电压以及栅极驱动电阻为影响IGBT关断瞬态电压的关键参数,且均与关断瞬态电压呈负相关性。该研究结论可为半导体组件内部杂散电感的控制、栅极驱动电阻的选择以及IGBT器件的选型或定制提供指导。; 关键词高压直流断路器半导体组件杂散电感驱动电阻瞬态电压过冲; Keywords high voltage DC circuit breaker semiconductor module stray inductance driving resistance transient voltage overshoot; 分类号 TM561 [电气工程—电器] TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于动力组件的新结构基板: 3; 出处《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期65-66,共2页; 文摘日本同和矿业公司(同和鈜业)最近开发成功电路基板与放热基板(散热器底)整体化、用于动力半导体组件的新结构基板，从2004年6月底在其盐尻工厂(墟尻工场)试生产，并开始对外提供试用样品。; 关键词电路基板新结构半导体组件试用试生产动力日本同和矿业公司工厂整体化; 分类号 TQ58 [化学工程—精细化工] TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名滚珠丝杠运动平台的应用: 4; 作者王福清; 机构上银科技股份有限公司; 出处《制造技术与机床》 CSCD 北大核心 2004年第6期76-77,共2页; 文摘滚珠丝杠运动平台已逐渐广泛应用于晶圆(即硅片)和IC半导体组件的运送装置.本产品开发的主要目的是将一轴直线运动平台模块化、标准化,而使用者可根据作业内容的需要选择适当的型式及行程,组成不同的结构,以满足顾客快速、低成本的需求,维系顾客在产品市场上的竞争优势.; 关键词滚珠丝杠运动平台硅片半导体组件模块化标准化; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名温敏特性智能测试仪的研制: 5; 作者于广桥赵宁; 机构江苏省滨海县广播电视局华中理工大学; 出处《电测与仪表》北大核心 2000年第1期37-40,共4页; 文摘以温敏电阻的阻温特性测量为例，详细讨论了电子元器件以及电子仪器仪表的温敏特性智能化测试的方法。首次成功地将半导体致冷组件引入温敏特性测量领域，很好地实现了一５０℃－７０℃温区范围内的温度可控调节。本文的设计经过适当的改进，可以成为一个市场前景不错的产品。; 关键词智能化测量温敏特性半导体致冷组件; Keywords Intelligent measuring Thermo-sensitive characters Semiconductor refrigeration component application; 分类号 TP216.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TN37 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光参数、测试及设备: 6; 出处《中国光学》 EI CAS 1998年第6期18-19,共2页; 文摘 TN247 98063616半导体激光器组件内部温度的测定与预置=Internaltemperature measurement and preset of semiconductorlaser assembiles[刊,中]/戎福恩(邮电部五所.四川,成都(610062)); 关键词半导体激光器组件光纤通信超短光脉冲内部温度集成光学测试技术中性减光板测量激光参数学术会议; 分类号 TN247 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光参数测量: 7; 出处《中国光学》 EI CAS 1999年第5期28-29,共2页; 文摘 TN247 99052983半导体激光器组件内部温度的测定与预置=Semiconductorlaser component’s internal temperature’smeasurement and initialization[刊,中]/戎福恩(邮电部五所.四川,成都(610062))//光通信技术.—1998,22(4).—302—304提出一种间接测定半导体激光器组件内部温度的方法;根据测试作出的曲线,可以预置激光器在给定的工作温度上。图6表2参2(严寒)TN 247 99052984用高动态范围的相关器研究强激光脉中的噪声分布=Noise structure studies of laser pulses by meansof a high—dynamic—range triple correlator[刊,; 关键词半导体激光器组件内部温度间接测定光通信技术高动态范围高功率激光束相关器噪声分布测量方法激光参数测量; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	直流断路器半导体组件关断暂态杂散电感研究	赵锡正魏晓光齐磊喻湄霁周万迪东野忠昊	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2019	9	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高压直流断路器组件内IGBT关断瞬态电压过冲的关键影响参数	刘欣王利桐梁贵书齐磊	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	用于动力组件的新结构基板		《现代化工》 CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	滚珠丝杠运动平台的应用	王福清	《制造技术与机床》 CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	温敏特性智能测试仪的研制	于广桥赵宁	《电测与仪表》北大核心	2000	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	激光参数、测试及设备		《中国光学》 EI CAS	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	激光参数测量		《中国光学》 EI CAS	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料