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加强以器件需求为导向的半导体硅及硅基材料的研究
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作者 屠海令 《中国集成电路》 2002年第3期39-43,38,共6页
本文阐述了半导体硅及硅基材料的工艺技术研究的进展,介绍了集成电路和器件的新的挑战和需求,展望了以满足器件需要、提高器件性能为导向的半导体硅及硅基材料的研发趋势和技术经济前景。
关键词 基材料 半导体硅 集成电路工艺 单晶 半导体硅材料 技术研究 超大规模集成电路 器件性能 大直径 技术要求
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半导体硅上电沉积Cu/Co层状薄膜 被引量:5
2
作者 刘冰 龚正烈 +3 位作者 姚素薇 郭鹤桐 袁华堂 张允什 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第4期356-360,共5页
The Cu/Co layer film on the sendconductor silicon was obtained by electrodeposition for the first time. The results of current - time transient curves and STM image showed that the wt of Cu film is two-dimensional whi... The Cu/Co layer film on the sendconductor silicon was obtained by electrodeposition for the first time. The results of current - time transient curves and STM image showed that the wt of Cu film is two-dimensional while an island three-dimension poth for the Co film was formed. The addition of CrO3 changed the current - time transient curves, and affected the growth of crystal. The addition of CrO3 decreased the nucleation rate of Cu, while it changed the shaPe of current-timetransient curves of the deposition of Co at higher deposition potelltials. For the deposition of Co, addition of CrO3 can form the adhesive film [Co. xCr2O3’ YH2O]ad or [CoOH. nCr(OH)3]ad, which decreased the nucleation rate of Co. 展开更多
关键词 电沉积 层状膜 多层膜 半导体硅
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半导体硅上激光诱导化学沉积镍薄膜 被引量:2
3
作者 刘冰 龚正烈 +3 位作者 姚素薇 郭鹤桐 袁华堂 张允什 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期80-82,共3页
由于激光具有高能量密度、高单色性以及良好的相干性,在表面处理技术中的应用越来越广泛.在金属、半导体和高聚物基体上,从水溶液进行激光诱导的化学沉积引起了人们的极大注意,这种工艺在微电子电路及器件上有广泛的应用前景.与传... 由于激光具有高能量密度、高单色性以及良好的相干性,在表面处理技术中的应用越来越广泛.在金属、半导体和高聚物基体上,从水溶液进行激光诱导的化学沉积引起了人们的极大注意,这种工艺在微电子电路及器件上有广泛的应用前景.与传统的化学镀相比,它具有明显的优越性... 展开更多
关键词 激光诱导 化学沉积 半导体硅 镍薄膜
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半导体硅上电沉积Ni-Pd-P薄膜及其结构 被引量:1
4
作者 刘冰 姚素薇 +2 位作者 郭鹤桐 袁华堂 张允什 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期16-20,共5页
采用控电位的沉积方式在半导体硅上制备出NiPdP薄膜,结果表明镀液中H3PO3含量的增加对P、Ni的析出有促进作用,对Pd的析出有抑制作用.随pH值的升高,镍含量不断升高,Pd、P含量不断下降.P含量对薄膜内应力... 采用控电位的沉积方式在半导体硅上制备出NiPdP薄膜,结果表明镀液中H3PO3含量的增加对P、Ni的析出有促进作用,对Pd的析出有抑制作用.随pH值的升高,镍含量不断升高,Pd、P含量不断下降.P含量对薄膜内应力有很大影响,含P质量分数为149%的NiPdP镀层表面上有许多裂缝,当P含量增加到261%时,镀层表面的裂缝已基本消失,继续增加P含量到350%时,裂缝完全消失.NiPdP镀层的结构与其组成密切相关,P含量小于200%的NiPdP镀层形成的是面心立方结构的固溶体.P含量大于400%的薄膜为非晶态结构. 展开更多
关键词 半导体硅 电沉积 结构 镀层 镍钯磷薄膜
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先进半导体硅材料:优化纳米集成电路性能的重要基础 被引量:1
5
作者 屠海令 《中国集成电路》 2006年第9期33-39,共7页
本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程,硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律,表面形态与表面质量控制等研究热点;介绍了绝缘体上硅(SOI)、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及技术发展趋势;... 本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程,硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律,表面形态与表面质量控制等研究热点;介绍了绝缘体上硅(SOI)、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及技术发展趋势;展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光子学领域的发展前景。 展开更多
关键词 半导体硅材料 纳米集成电路 电路性能 表面质量控制 技术发展趋势 基材料 绝缘体上 纳米电子学
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中环股份拟组建半导体硅材料公司
6
《中国集成电路》 2015年第7期3-4,共2页
中环股份近日发布公告,公司与北京有色金属研究总院、浙江晶盛机电股份有限公司签署了《半导体硅材料产业战略合作协议》,公司股票已于近日开市起复牌。 三方发挥各自优势和战略协同效能,加强资源整合,组建成立半导体硅材料产业合... 中环股份近日发布公告,公司与北京有色金属研究总院、浙江晶盛机电股份有限公司签署了《半导体硅材料产业战略合作协议》,公司股票已于近日开市起复牌。 三方发挥各自优势和战略协同效能,加强资源整合,组建成立半导体硅材料产业合资公司,以提升半导体硅片规模化生产技术,扩大产能,增强核心竞争力,形成品牌效应,促进我国集成电路半导体硅片产业跨越式发展,努力实现半导体硅材料的自主可控,形成较为完整的产业链。 展开更多
关键词 半导体硅材料 股份 北京有色金属研究总院 规模化生产技术 半导体硅 材料产业 核心竞争力 跨越式发展
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钴析氧催化剂原位制备及其结合半导体硅的光解水制氢性能
7
作者 马楠 高国锋 +2 位作者 郝根彦 赵强 李晋平 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期576-582,共7页
将发展成熟的硅光伏电池与析氧催化剂(OEC)结合,在近中性环境下光解水制备了氢气。采用原位制备方法,在硅光伏材料上电沉积钴形成无定形Co-OEC膜,有效促进光生电荷分离,实现了利用AM1.5组合滤波片模拟太阳光照射下水分解制氢气。结果表... 将发展成熟的硅光伏电池与析氧催化剂(OEC)结合,在近中性环境下光解水制备了氢气。采用原位制备方法,在硅光伏材料上电沉积钴形成无定形Co-OEC膜,有效促进光生电荷分离,实现了利用AM1.5组合滤波片模拟太阳光照射下水分解制氢气。结果表明,在K2B4O7缓冲溶液(pH=9.2)中,0V(vsNHE)电压下沉积400s形成的无定形Co-OEC具有良好的催化析氧效果,在无外加电压且模拟太阳光照射下,析氧电流密度可达1.7×10-2A/cm2,产氧速率为1.28mol/(h·m2),且具有良好的稳定性。 展开更多
关键词 半导体硅 钴-析氧催化剂 原位制备 制氢 近中性
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半导体硅材料最新发展现状 被引量:16
8
作者 蒋荣华 肖顺珍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期3-6,共4页
概述了现代微电子工业的发展状况及对半导体硅材料的新要求,叙述了近年来国际半导体多晶硅和单晶硅材料的发展状况与趋势。
关键词 半导体硅 多晶 单晶 半导体材料
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我国半导体硅材料的发展现状 被引量:6
9
作者 蒋荣华 肖顺珍 《半导体情报》 2001年第6期31-35,共5页
叙述了我国半导体硅材料的发展现状及与国外相比存在的差距 。
关键词 半导体硅 多晶 单晶 半导体材料
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中国半导体硅的现状与发展趋势 被引量:3
10
作者 朱泓达 《数字通信世界》 2020年第6期278-278,268,共2页
半导体硅材料生产技术是非常重要的科学技术,掌握这种技术能够打破西方及其他发达国家的技术垄断问题,改变我国的半导体硅及其配套产业的未来发展格局,提高我国这项技术的国际竞争力,推动我国半导体硅材料产业持续良好发展态势。本文简... 半导体硅材料生产技术是非常重要的科学技术,掌握这种技术能够打破西方及其他发达国家的技术垄断问题,改变我国的半导体硅及其配套产业的未来发展格局,提高我国这项技术的国际竞争力,推动我国半导体硅材料产业持续良好发展态势。本文简要分析了我国半导体硅材料的现状,初步得出了国内半导体硅产业技术现状的结论,并探究了中国半导体硅的发展优势及未来发展趋势。 展开更多
关键词 半导体硅 现状 发展趋势
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硅半导体辐射探测仪表国产化研制及性能研究
11
作者 徐少一 李伟 +5 位作者 廖凯锋 顾涛 李占华 王璨辉 李卫敏 袁子程 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2024年第4期608-614,共7页
γ剂量率辐射监测装置是核电厂内部以及周围环境中辐射监测的重要设备,可以实时监测工作场所内或工艺设备附近辐射场水平的变化,能够为辐射防护最优化和辐射安全评价提供依据。随着反应堆的小体积高安全性能的发展趋势,辐射监测方面也... γ剂量率辐射监测装置是核电厂内部以及周围环境中辐射监测的重要设备,可以实时监测工作场所内或工艺设备附近辐射场水平的变化,能够为辐射防护最优化和辐射安全评价提供依据。随着反应堆的小体积高安全性能的发展趋势,辐射监测方面也对小体积宽量程高可靠性的仪表提出必要需求。硅半导体探测器工作电压为低压,设备寿命长、性能稳定,比电离室或G-M计数管在γ剂量率监测方面更加有优势。本文研制的硅半导体辐射探测器及监测仪表主要由探测单元、就地处理显示单元和接线箱组成,具有体积小、宽量程等特点。本文主要介绍研制仪表的组成及探测单元设计并针对其核心性能辐射特性开展相关测试研究,评估了辐射特性结果,为实现此设备的工程应用奠定重要基础。 展开更多
关键词 半导体 区域辐射监测 核仪表 核电厂
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硅半导体γ剂量率监测仪研发及应用
12
作者 徐少一 李伟 刘翔 《电子技术应用》 2024年第3期59-65,共7页
硅半导体γ剂量率监测仪广泛应用于核设施的放射性测量,基于目前正在开展的国产化研发项目,对硅半导体γ剂量率监测仪的总体设计研发、仪表主要硬件设计、软件功能设计进行了介绍,同时对硅半导体和气体探测器主要技术参数进行了对比,自... 硅半导体γ剂量率监测仪广泛应用于核设施的放射性测量,基于目前正在开展的国产化研发项目,对硅半导体γ剂量率监测仪的总体设计研发、仪表主要硬件设计、软件功能设计进行了介绍,同时对硅半导体和气体探测器主要技术参数进行了对比,自主研发的硅半导体γ剂量率监测仪可满足不同堆型众多场景剂量率监测的要求,具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 半导体 γ剂量率监测仪
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绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术分析
13
作者 马良 《通讯世界》 2024年第9期28-30,共3页
绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术是目前制作芯片的主要技术之一,使用该项技术生产的芯片体积小、损耗低,虽然技术难度高,但是在单封装形式下,智能功率大幅提升。通过对半导体单芯片的介绍,分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺... 绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术是目前制作芯片的主要技术之一,使用该项技术生产的芯片体积小、损耗低,虽然技术难度高,但是在单封装形式下,智能功率大幅提升。通过对半导体单芯片的介绍,分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺模式及集成工艺平台,并利用发射极、漂移区、集电极优化技术,通过检测半导体单芯片的可靠性、稳定性以及灵敏度,测试绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术的应用效果。 展开更多
关键词 绝缘体 功率半导体 单芯片 集成技术
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硅半导体探测器个人剂量仪的研制 被引量:6
14
作者 姚永刚 邓长明 倪邦发 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1020-1023,共4页
介绍个人剂量仪的工作原理,利用硅半导体光电二极管测量X、γ射线的特性和新颖的软件处理算法设计了一款个人剂量仪。在中国原子能科学研究院国防科技工业电离辐射一级计量站对仪器进行了测试,测试结果:剂量率测量范围(0.1μSv/h^1 Sv/... 介绍个人剂量仪的工作原理,利用硅半导体光电二极管测量X、γ射线的特性和新颖的软件处理算法设计了一款个人剂量仪。在中国原子能科学研究院国防科技工业电离辐射一级计量站对仪器进行了测试,测试结果:剂量率测量范围(0.1μSv/h^1 Sv/h);剂量率固有误差:-15%^+4.7%;累积剂量固有误差:-11%^+5.7%;角响应:-19%^+4%(垂直方向),-20%^-2%(水平方向);在能量60 ke V^1.332 Me V范围内,相对137Cs的能量响应:-22%^+0.4%;实验测试结果符合国家剂量仪鉴定规程JJG1009-2006的要求。 展开更多
关键词 个人剂量仪 半导体 辐射探测器
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金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿 被引量:4
15
作者 张志龙 傅翠明 郝庆国 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期261-264,279,共5页
金硅面垒半导体探测器多用于α粒子的探测,由它组成的α、β谱仪对环境温度的变化比较敏感,表现为α谱峰位的漂移,为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响,对其进行了测试研究,以便提高系统的测量精度。
关键词 面垒半导体探测器 温度特性 补偿
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用于硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的研制 被引量:4
16
作者 耿波 方方 《中国测试技术》 CAS 2006年第4期71-72,75,共3页
氡及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注入硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例,它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的... 氡及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注入硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例,它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标,说明了应用场合。 展开更多
关键词 半导体探测器 电荷灵敏 前置放大器 噪声测量
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金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下失效现象的实验研究 被引量:2
17
作者 涂俊 黄宪果 +2 位作者 穆龙 苏容波 吴中义 《辐射防护通讯》 2012年第1期18-20,共3页
当金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下使用的时候,α能峰会向低能方向飘移,直至淹没在电子学噪声中。本文通过实验介绍了金硅面垒探测器在氢气环境下的这种失效现象,总结了失效现象的规律;提出了金硅面垒探测器在氢气环境受影响的机理... 当金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下使用的时候,α能峰会向低能方向飘移,直至淹没在电子学噪声中。本文通过实验介绍了金硅面垒探测器在氢气环境下的这种失效现象,总结了失效现象的规律;提出了金硅面垒探测器在氢气环境受影响的机理,并进行了实验验证。 展开更多
关键词 面垒型半导体探测器 α测量 氢气
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硅基半导体热滞现象的研究
18
作者 孙志刚 何雄 +2 位作者 谢晴兴 李月仇 庞雨雨 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期48-52,共5页
采用四线法研究Ag/Si O2/p-Si∶B/Si O2/Ag器件在不同温度下的电输运性能(V-I特性),在低温V-I特性曲线中观察到了明显的热滞现象.为了消除热滞现象带来的实验误差,文中提出了采用增强系统热传导以及延长连续两次测量的间隔时间的方法,... 采用四线法研究Ag/Si O2/p-Si∶B/Si O2/Ag器件在不同温度下的电输运性能(V-I特性),在低温V-I特性曲线中观察到了明显的热滞现象.为了消除热滞现象带来的实验误差,文中提出了采用增强系统热传导以及延长连续两次测量的间隔时间的方法,并通过延长连续两次测量时间间隔的方式消除了热滞对器件电输运性能的影响.结果表明,在进行半导体基材料的电性能及磁阻效应的研究时,必须考虑热效应可能带来的影响,否则将导致错误的实验结果. 展开更多
关键词 热滞 电性能 半导体
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硅基半导体多场耦合下的光传输及电调控特性分析 被引量:3
19
作者 周吉 贺志宏 +2 位作者 于孝军 杨东来 董士奎 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期63-73,共11页
针对硅基半导体电光热多场耦合特性及电调控问题,引入泊松方程和载流子连续性方程来计算载流子输运过程的浓度分布,利用德鲁德-洛伦兹公式和K-K关系式考虑载流子浓度变化对于光折射率和吸收系数的影响,并根据电磁耗散求解热沉积项。通... 针对硅基半导体电光热多场耦合特性及电调控问题,引入泊松方程和载流子连续性方程来计算载流子输运过程的浓度分布,利用德鲁德-洛伦兹公式和K-K关系式考虑载流子浓度变化对于光折射率和吸收系数的影响,并根据电磁耗散求解热沉积项。通过对半导体基本方程、电磁波动方程和能量方程的耦合方程组进行有限元求解,模拟并分析了电光热三者耦合作用下硅基半导体介电属性及光传输行为随外加电压、载流子初始浓度、换热系数等影响因素的变化规律。研究指出了半导体P区表面反射光电场模随外加电压的降低而升高,随换热系数的增大而降低的规律。利用该机制给出了对反射光强空间分布进行电热调控的方案。 展开更多
关键词 半导体 载流子浓度 热光效应 电光效应 电热调控
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纳米集成电路用硅基半导体材料
20
作者 屠海令 石瑛 +1 位作者 肖清华 马通达 《中国集成电路》 2003年第46期105-110,85,共7页
随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经... 随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。 展开更多
关键词 纳米集成电路 半导体材料 绝缘体上 SIGE SOI 蓝宝石上外延 键合
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