聚酯改性硅漆与硅半导体界面带电规律的研究

1

作者 李仰平 李子叶 +1 位作者 唐恕 王铮 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2002年第4期34-36,共3页

研究电介质与半导体之间的接触带电、带电规律和带电控制 ,可有效地控制电力电子器件表面绝缘保护材料与半导体表面相互作用而形成的不同界面态和界面电荷 ,优化台面型电力电子器件表面空间电荷区宽度、表面电场分布 ,提高表面耐压。对... 研究电介质与半导体之间的接触带电、带电规律和带电控制 ,可有效地控制电力电子器件表面绝缘保护材料与半导体表面相互作用而形成的不同界面态和界面电荷 ,优化台面型电力电子器件表面空间电荷区宽度、表面电场分布 ,提高表面耐压。对加入不同填料的聚酯改性硅漆 (SP) ,测量其与表面氧化和表面钝化的n型和p型硅片接触后表面带电极性和带电量 ,得出一个接触带电序列。接触带电序列表明 ,绝缘保护材料与各种硅片的接触 ,实质上是保护材料与硅片表面物质的接触 ,与硅片的类型和内部结构无关。 展开更多

关键词 聚酯改性硅漆 硅半导体界面 带电规律 绝缘材料 电力电子器件

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InSb/GaAs半导体界面结构研究

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作者 王绍青 孟祥敏 +1 位作者 兰建章 叶恒强 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第6期727-733,共7页

本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量化分析得到了界面位错区附近的晶格点阵畸变位移分布。基于该实验结果文中提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型。该界面模型合理地解释了... 本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量化分析得到了界面位错区附近的晶格点阵畸变位移分布。基于该实验结果文中提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型。该界面模型合理地解释了界面位错的起因及ＩｎＳｂ薄膜在ＧａＡｓ基体上外延生长过程中的物理现象。 展开更多

关键词 半导体界面 原子结构 砷化镓 锑化铟

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金属/有机半导体界面偶极层的研究

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作者 潘艳芝 李宏建 +1 位作者 周伟昌 戴小玉 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1061-1064,共4页

利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出... 利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出了合理的解释. 展开更多

关键词 金属/有机半导体界面 偶极能 功函数

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硫化矿浸出过程的半导体-溶液界面分析 被引量：3

4

作者 李宏煦 王淀佐 《有色金属》 CSCD 2004年第2期77-80,共4页

硫化矿氧化浸出过程实际是半导体 -溶液界面电子或空穴转移的过程 ,基于传统半导体界面氧化理论 ,根据硫化矿半导体表面能级与溶液氧化还原对的关系 ,系统分析硫化矿 -溶液界面电子或空穴转移步骤 ,揭示了硫化矿在氧化溶液介质中的氧化... 硫化矿氧化浸出过程实际是半导体 -溶液界面电子或空穴转移的过程 ,基于传统半导体界面氧化理论 ,根据硫化矿半导体表面能级与溶液氧化还原对的关系 ,系统分析硫化矿 -溶液界面电子或空穴转移步骤 ,揭示了硫化矿在氧化溶液介质中的氧化浸出机理。 展开更多

关键词 冶金物理化学 硫化矿 半导体溶液界面 浸出 氧化机理 电化学

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硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析 被引量：10

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作者 李宏煦 王淀佐 《有色金属》 CSCD 2004年第3期35-37,48,共4页

许多硫化矿物为半导体 ,硫化矿氧化浸出过程实际是一半导体 溶液界面电子或空穴转移的过程。基于传统的半导体界面氧化理论 ,系统分析细菌存在时硫化矿 溶液界面电子或空穴转移步骤 ,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体 ... 许多硫化矿物为半导体 ,硫化矿氧化浸出过程实际是一半导体 溶液界面电子或空穴转移的过程。基于传统的半导体界面氧化理论 ,系统分析细菌存在时硫化矿 溶液界面电子或空穴转移步骤 ,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体 溶液界面电子及空穴转移模型 。 展开更多

关键词 硫化矿 细菌浸出 氧化机理 电化学 半导体溶液界面 能带理论

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离子束及电子束诱导增强材料界面的附着性 被引量：1

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作者 赵杰 李望 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第2期73-76,共4页

一、发展概况离子束诱导材料界面混合的研究已经开展多年,但大多数工作都是用keV数量级的离子束轰击界面,造成原子混合。近年来,MeV离子束被用于界面引起了完全不同于原子混合的效果。另外,keV的电子束也被用来辐照界面,同样起到了增强... 一、发展概况离子束诱导材料界面混合的研究已经开展多年,但大多数工作都是用keV数量级的离子束轰击界面,造成原子混合。近年来,MeV离子束被用于界面引起了完全不同于原子混合的效果。另外,keV的电子束也被用来辐照界面,同样起到了增强界面附着性的效果。 展开更多

关键词 材料界面 附着性 强界面 界面区 测试方法 玻璃基底 发展概况 金属带 半导体界面 离子束混合

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金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究

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作者 王斌 徐晓轩 +2 位作者 秦哲 宋宁 张存洲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1701-1704,共4页

通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察... 通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察电反射谱来研究金属GaAs的界面电场和费米能级扎钉的情况,然后通过傅里叶变换这些所取得的电反射谱来分析这些材料的界面性质。通过测量氦氖激光器诱导产生的光电压和激光器光强之间的关系来得到这些材料的界面态密度情况,从而进行进一步的研究。 展开更多

关键词 金属半导体界面 FRANZ-KELDYSH效应 光伏效应 电调制反射谱

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绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究 被引量：2

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作者 林海波 徐晓轩 +3 位作者 吴宏滨 王斌 俞钢 张存洲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期469-472,共4页

为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性... 为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标)上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba(Ca)/A l电极结构PLED s器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。 展开更多

关键词 聚合物发光二极管 P-PPV LIF 金属-半导体界面

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InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究

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作者 郭康瑾 杜根娣 吴征 《电子科学学刊》 CSCD 1991年第6期611-617,共7页

本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al_2O_3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al_2O_3的介电常数为11～12,Al_2O_3/InP界面存在一个... 本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al_2O_3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al_2O_3的介电常数为11～12,Al_2O_3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在E_c-E_c=0.5eV,其俘获截面约为10^(-15)cm^2,Al_2O_3/InP的界面态密度为10^(11)cm^(-2)eV^(-1)。阳极氧化Al_2O_3的稳定性要比InP自身氧化物好得多,更适于用作器件的钝化保护和扩散掩蔽膜。 展开更多

关键词 半导体界面 阳极氧化 介质薄膜

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淀积大晶粒Pb膜的研究

10

作者 和志刚 冯嘉猷 +2 位作者 唐昭平 张芳伟 李恒德 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第4期254-258,共5页

一、引言作为集成电路和太阳能电池电极引线的金属化薄膜必须具有较好的抗电迁移性能,使金属/半导体界面保持较低的接触电阻和较好的接触稳定性。减弱迁移的途径之一是增大薄膜晶粒尺寸和取向度,减少晶界短路通道。

关键词 PB 晶粒尺寸 淀积 金属化薄膜 基片温度 晶粒长大 取向度 密排 电池电极 半导体界面

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太阳能光伏发电最新发展趋势分析

11

《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2011年第22期53-53,共1页

目前，世界最主流的太阳能发电模式是光伏模式，即利用半导体界面的光生伏打效应将光能直接转变为电能，关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配以功率控制器等部件就形成了光伏发电... 目前，世界最主流的太阳能发电模式是光伏模式，即利用半导体界面的光生伏打效应将光能直接转变为电能，关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配以功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。 展开更多

关键词 太阳能光伏发电 发展趋势 太阳能电池 光生伏打效应 太阳电池组件 半导体界面 功率控制器 发电模式

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降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展

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作者 周志文 沈晓霞 李世国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页

Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺... Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。 展开更多

关键词 锗(Ge) N型掺杂 金属-界面层-半导体接触 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻

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读者咨询及解答九则

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《农村电工》 2013年第8期48-48,共1页

编辑同志：请问什么是光伏发电技术？（辽宁省营口市严宽）严宽同志：光伏发电技术是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积... 编辑同志：请问什么是光伏发电技术？（辽宁省营口市严宽）严宽同志：光伏发电技术是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。 展开更多

关键词 读者来信 光伏发电技术 太阳能电池 光生伏特效应 半导体界面 功率控制器 关键元件 电池组件

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