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微机程序数控波长扫描单色仪及其在半导体光电化学中的应用
1
作者
蔡生民
张久俊
郭焕显
《仪器仪表学报》
EI
CAS
1986年第3期319-324,共6页
一、前言半导体光电化学是近年来发展起来的边缘学科,对太阳光能直接转换成电能和化学能,半导体表面的电化学处理均起着重要的指导作用〔1〕、〔2〕。在研究工作中需要用不同波长(λ)的光对电极进行反复照射。其波长变化的范围,速度及...
一、前言半导体光电化学是近年来发展起来的边缘学科,对太阳光能直接转换成电能和化学能,半导体表面的电化学处理均起着重要的指导作用〔1〕、〔2〕。在研究工作中需要用不同波长(λ)的光对电极进行反复照射。其波长变化的范围,速度及方向最好能够实行实时程序控制。这样就可以由计算机直接得出半导体电极的禁带宽度,平带电位,光能转换的量子效率,电极随时间的蜕变情况等重要数据。本文叙述微机程序数控波长扫描单色仪部分原理,及其调试及实验结果。
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关键词
半导体
光
电化学
单色仪
波长扫描
半导体
电极
太阳光能
对电极
电化学
处理
半导体
表面
量子效率
禁带
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职称材料
锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究
被引量：
2
2
作者
曹阳
陆寿蕴
李爱珍
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期224-228,共5页
用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解．锑化镓电极在一定电势下生成的氧化腹，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀，同时亦使锑化镓的半导体...
用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解．锑化镓电极在一定电势下生成的氧化腹，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀，同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱．通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察，在刻蚀剂中添加酒石酸、柠檬酸和氢氟酸等试剂，可使刻蚀图形得到改善．实验研究了锑化镓的平带电势的测定．
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关键词
半导体电化学
光助微刻蚀
锑化镓
表面氧化膜
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职称材料
题名
微机程序数控波长扫描单色仪及其在半导体光电化学中的应用
1
作者
蔡生民
张久俊
郭焕显
机构
北京大学
四平市光学仪器厂
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
1986年第3期319-324,共6页
文摘
一、前言半导体光电化学是近年来发展起来的边缘学科,对太阳光能直接转换成电能和化学能,半导体表面的电化学处理均起着重要的指导作用〔1〕、〔2〕。在研究工作中需要用不同波长(λ)的光对电极进行反复照射。其波长变化的范围,速度及方向最好能够实行实时程序控制。这样就可以由计算机直接得出半导体电极的禁带宽度,平带电位,光能转换的量子效率,电极随时间的蜕变情况等重要数据。本文叙述微机程序数控波长扫描单色仪部分原理,及其调试及实验结果。
关键词
半导体
光
电化学
单色仪
波长扫描
半导体
电极
太阳光能
对电极
电化学
处理
半导体
表面
量子效率
禁带
分类号
TM9 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究
被引量：
2
2
作者
曹阳
陆寿蕴
李爱珍
机构
复旦大学化学系
中国科学院上海冶金所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期224-228,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解．锑化镓电极在一定电势下生成的氧化腹，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀，同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱．通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察，在刻蚀剂中添加酒石酸、柠檬酸和氢氟酸等试剂，可使刻蚀图形得到改善．实验研究了锑化镓的平带电势的测定．
关键词
半导体电化学
光助微刻蚀
锑化镓
表面氧化膜
Keywords
Semiconductor electrochemistry, Photoelectrochemistry of semiconductor, Photomicroetching of GaSb, Interface properties of GaSb electrode
分类号
O649.2 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微机程序数控波长扫描单色仪及其在半导体光电化学中的应用
蔡生民
张久俊
郭焕显
《仪器仪表学报》
EI
CAS
1986
0
在线阅读
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职称材料
2
锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究
曹阳
陆寿蕴
李爱珍
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1996
2
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职称材料
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