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高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术
被引量：
3
1
作者
皮浩洋
辛国锋
+3 位作者
程灿
瞿荣辉
方祖捷
陈高庭
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008年第5期822-825,共4页
高功率半导体激光器光谱随温度和工作电流的变化比较大,光谱线宽比较宽,这些缺点直接限制了其实际应用。因此,高功率半导体激光器波长稳定技术的研究是激光领域的一个重要研究方向。对波长稳定技术进行研究。实验用体布拉格光栅(VBG)作...
高功率半导体激光器光谱随温度和工作电流的变化比较大,光谱线宽比较宽,这些缺点直接限制了其实际应用。因此,高功率半导体激光器波长稳定技术的研究是激光领域的一个重要研究方向。对波长稳定技术进行研究。实验用体布拉格光栅(VBG)作为反馈元件与高功率半导体激光器线阵列,构成可以对其波长进行锁定的外腔激光器。分析了外腔激光器的波长锁定效果与高功率半导体激光器工作电流、冷却温度、工作电流的占空比和"smile"现象等因素的关系。研究结果表明,高功率半导体激光器的工作电流、冷却温度、工作电流的占空比会影响其激射波长,当激射波长与VBG的布拉格波长差值小于3.0nm时,可以得到较好的波长锁定效果,而阵列本身的"smile"现象对其波长锁定的影响不大。
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关键词
波长锁定
半导体激光器线阵列
体布拉格光栅
外腔
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职称材料
大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究
2
作者
张楠
崔碧峰
+6 位作者
刘斌
邹德恕
李建军
高国
张蕾
王智群
沈光地
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期529-532,共4页
利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度...
利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993μm。
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关键词
半导体激光器线阵列
电流扩展
隔离槽
腐蚀深度
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职称材料
808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计
被引量：
1
3
作者
杨晔
刘云
+7 位作者
秦莉
王烨
梁雪梅
李再金
胡黎明
史晶晶
王超
王立军
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期35-38,共4页
采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光...
采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。
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关键词
半导体激光器线阵列
隔离沟道
腐蚀深度
电流扩散
电流分布
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职称材料
题名
高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术
被引量：
3
1
作者
皮浩洋
辛国锋
程灿
瞿荣辉
方祖捷
陈高庭
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008年第5期822-825,共4页
基金
大功率半导体激光器稳频技术的研究(05QMH1414)
文摘
高功率半导体激光器光谱随温度和工作电流的变化比较大,光谱线宽比较宽,这些缺点直接限制了其实际应用。因此,高功率半导体激光器波长稳定技术的研究是激光领域的一个重要研究方向。对波长稳定技术进行研究。实验用体布拉格光栅(VBG)作为反馈元件与高功率半导体激光器线阵列,构成可以对其波长进行锁定的外腔激光器。分析了外腔激光器的波长锁定效果与高功率半导体激光器工作电流、冷却温度、工作电流的占空比和"smile"现象等因素的关系。研究结果表明,高功率半导体激光器的工作电流、冷却温度、工作电流的占空比会影响其激射波长,当激射波长与VBG的布拉格波长差值小于3.0nm时,可以得到较好的波长锁定效果,而阵列本身的"smile"现象对其波长锁定的影响不大。
关键词
波长锁定
半导体激光器线阵列
体布拉格光栅
外腔
Keywords
Wavelength locked
Semiconductor laser linear array
Volume Bragg Grating
External cavity
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究
2
作者
张楠
崔碧峰
刘斌
邹德恕
李建军
高国
张蕾
王智群
沈光地
机构
北京工业大学光电子技术实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期529-532,共4页
基金
国家973计划项目资助课题(2006CB604902)
国家自然科学基金资助课题(60407009)
+2 种基金
北京自然科学基金资助课题(4032007)
北京市人才强教计划项目资助课题(05002015200504)
北京工业大学博士启动基金项目资助课题(kz0204200387)
文摘
利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993μm。
关键词
半导体激光器线阵列
电流扩展
隔离槽
腐蚀深度
Keywords
Semiconductor laser bar
Current expansion
Recess
Etching depth
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计
被引量：
1
3
作者
杨晔
刘云
秦莉
王烨
梁雪梅
李再金
胡黎明
史晶晶
王超
王立军
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院研究生院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期35-38,共4页
基金
吉林省科技厅重大项目(20096013,20086011)
吉林省科技厅科技攻关项目(20095004)
文摘
采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。
关键词
半导体激光器线阵列
隔离沟道
腐蚀深度
电流扩散
电流分布
Keywords
semiconductor laser bar
recess
etching depth
current expansion
current distribution
分类号
TN218.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术
皮浩洋
辛国锋
程灿
瞿荣辉
方祖捷
陈高庭
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究
张楠
崔碧峰
刘斌
邹德恕
李建军
高国
张蕾
王智群
沈光地
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计
杨晔
刘云
秦莉
王烨
梁雪梅
李再金
胡黎明
史晶晶
王超
王立军
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
在线阅读
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职称材料
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