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880nm半导体激光器列阵及光纤耦合模块 被引量:23
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作者 王祥鹏 梁雪梅 +2 位作者 李再金 王冰冰 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1021-1027,共7页
为了使半导体激光泵浦Nd∶YVO4固体激光器能获得大功率、高光束质量、线偏振的激光输出,利用PICS3D软件设计了InGaAs/GaAs应变量子阱结构,制作了发射波长为880 nm的大功率半导体激光器列阵。该激光器列阵激射区单元宽为100μm,周期为200... 为了使半导体激光泵浦Nd∶YVO4固体激光器能获得大功率、高光束质量、线偏振的激光输出,利用PICS3D软件设计了InGaAs/GaAs应变量子阱结构,制作了发射波长为880 nm的大功率半导体激光器列阵。该激光器列阵激射区单元宽为100μm,周期为200μm,填充因子为50%,激光器列阵CS封装模块室温连续输出功率达60.8 W,光谱半高全宽(FWHM)为2.4 nm。为进一步改善大功率半导体激光器列阵的光束质量,增加半导体激光端面泵浦功率密度,采用阶梯反射镜组对880 nm大功率半导体激光器列阵进行了光束整形,利用阶梯镜金属表面反射率受近红外波长变化影响小的特点,研制出高稳定性、大功率光纤耦合模块。模块输出功率为44.9 W,光-光耦合效率达73.8%,尾纤芯径Φ为400μm,数值孔径(NA)为0.22。 展开更多
关键词 880nm半导体激光器列阵 光纤耦合 阶梯镜
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半导体激光器列阵的smile效应与封装技术 被引量:17
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作者 王祥鹏 李再金 +1 位作者 刘云 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期552-557,共6页
为了减小半导体激光器列阵在封装过程中引入热应力而产生的smile效应,提高半导体激光器列阵光束质量,利用对半导体激光器列阵发光点成像放大的方法,准确测量了半导体激光器列阵的smile效应,测量误差为±0.1μm。由于smile效应的准... 为了减小半导体激光器列阵在封装过程中引入热应力而产生的smile效应,提高半导体激光器列阵光束质量,利用对半导体激光器列阵发光点成像放大的方法,准确测量了半导体激光器列阵的smile效应,测量误差为±0.1μm。由于smile效应的准确测量能客观地比较减小smile效应的各种技术与方法,本文根据分析测量结果,提出了通过优化封装半导体激光器列阵焊接回流曲线的方法,使smile效应值控制在±0.5μm内。该方法减小了半导体激光器列阵的smile效应值,提高了激光器列阵光束质量,为下一步研制小芯径、高光束质量半导体激光器列阵光纤耦合模块提供了基础条件。 展开更多
关键词 半导体激光器列阵 smile效应 封装 焊接回流曲线
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闪耀光栅阵列用于半导体激光器列阵光束整形 被引量:6
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作者 郑春艳 郑国兴 +1 位作者 周崇喜 杜春雷 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B04期62-66,共5页
介绍了半导体激光器列阵的光束整形理论,设计并制作了由两个闪耀光栅阵列构成的整形光学系统,理论计算表明该系统能将激光器快、慢轴方向的光参数积变为5.7 mm·mrad和8.9 mm·mrad。在整形实验中测得变换后快、慢轴方向的光参... 介绍了半导体激光器列阵的光束整形理论,设计并制作了由两个闪耀光栅阵列构成的整形光学系统,理论计算表明该系统能将激光器快、慢轴方向的光参数积变为5.7 mm·mrad和8.9 mm·mrad。在整形实验中测得变换后快、慢轴方向的光参数积分别为12 mm·mrad和9.5 mm·mrad,经透镜聚焦后能够实现与芯径200μm,数值孔径0.22的光纤耦合。 展开更多
关键词 激光技术 光束整形 闪耀光栅 半导体激光器列阵 衍射光学器件 光纤耦合
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体光栅外腔半导体激光器列阵的光谱及调谐 被引量:1
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作者 沈琪皓 石秀梅 陈建国 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期23-24,共2页
对采用体布拉格光栅作为波长选择器件的外腔半导体激光列阵进行了实验研究。实验表明,在体光栅外腔作用下,高功率半导体激光器输出的线宽得到压窄、波长得到固定。与此同时,从布拉格衍射相关理论出发,分析了体光栅法线方向改变对激光器... 对采用体布拉格光栅作为波长选择器件的外腔半导体激光列阵进行了实验研究。实验表明,在体光栅外腔作用下,高功率半导体激光器输出的线宽得到压窄、波长得到固定。与此同时,从布拉格衍射相关理论出发,分析了体光栅法线方向改变对激光器系统输出中心波长的影响。实验表明改变体光栅法线方向的角度,可以在一定范围内调整列阵的输出波长。 展开更多
关键词 半导体激光器列阵 体光栅 外腔
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半导体激光器列阵在外腔下的光谱特性
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作者 陈海波 杨华 +4 位作者 陈建国 严地勇 陆丹 高松 林晓东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B04期94-96,共3页
使用普通高反镜作为19 个单元的半导体激光器列阵(LDA)的外腔,通过调节高反镜的位置和角度,使LDA发出的光反馈回有源层,从而压窄了输出光谱并降低了LDA的阈值电流。实验中,运行于外腔下的LDA在不同的驱动电流下的输出光谱均被压窄到了... 使用普通高反镜作为19 个单元的半导体激光器列阵(LDA)的外腔,通过调节高反镜的位置和角度,使LDA发出的光反馈回有源层,从而压窄了输出光谱并降低了LDA的阈值电流。实验中,运行于外腔下的LDA在不同的驱动电流下的输出光谱均被压窄到了原来的1/10左右,阈值电流从7 A降到了5.5 A,并且在9 A的偏置电流下输出功率提高了2倍。 展开更多
关键词 半导体激光器列阵 外腔 高反镜 光谱
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解析计算半导体激光器列阵的热沉温升
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作者 陈海波 杨华 +3 位作者 严地勇 陈建国 林晓东 陆丹 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期22-24,共3页
通过解热传导方程得到了半导体激光器列阵的热沉温升分布的解析表达式,并利用该解析式得 到了热沉的温升分布图。分析了对流换热传热系数对上下表面温升的影响,当对流换热传热系数增大到某个 值后,上下表面的温差变化很小,而温... 通过解热传导方程得到了半导体激光器列阵的热沉温升分布的解析表达式,并利用该解析式得 到了热沉的温升分布图。分析了对流换热传热系数对上下表面温升的影响,当对流换热传热系数增大到某个 值后,上下表面的温差变化很小,而温升随该系数的增大而降低,所得的结果与用有限元法算得的并经过实验 验证的结果基本上是一致的。 展开更多
关键词 半导体激光器列阵 热沉 热传导方程 温升分布
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高功率半导体激光器列阵锁相单元间耦合系数的数值分析
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作者 李松柏 杨敏 《西南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期32-36,共5页
基于半导体激光器列阵的高斯光束,推导了外腔半导体激光器列阵锁相单元间的耦合系数,数值计算了侧模各单元间的耦合系数与外腔长度的关系.研究结果表明:同阶侧模各级次耦合系数的极大值随着耦合级次的增大而减少,并且其极大值所对应的... 基于半导体激光器列阵的高斯光束,推导了外腔半导体激光器列阵锁相单元间的耦合系数,数值计算了侧模各单元间的耦合系数与外腔长度的关系.研究结果表明:同阶侧模各级次耦合系数的极大值随着耦合级次的增大而减少,并且其极大值所对应的腔长随着耦合级次的增大而增大;不同阶侧模同级次耦合系数的极大值所对应的腔长随着阶次的增大而减少.研究结果与已有的实验报道和理论分析相符. 展开更多
关键词 半导体激光器列阵 高斯光束 锁相 侧模 耦合系数
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外腔半导体激光器阵列波长稳定的实验研究 被引量:3
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作者 石秀梅 沈琪浩 +3 位作者 陈建国 孙年春 冯国英 周寿桓 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期54-57,共4页
自由运行的半导体激光器列阵输出激光谱线较宽、中心波长易漂移。为此,本文采用体全息光栅(VBG)构成外腔半导体激光器阵列(EcLD)系统,利用体光栅能够稳定波长、压窄线宽的特点,从而克服上述缺点。实验表明:采用了VBG外腔反馈后... 自由运行的半导体激光器列阵输出激光谱线较宽、中心波长易漂移。为此,本文采用体全息光栅(VBG)构成外腔半导体激光器阵列(EcLD)系统,利用体光栅能够稳定波长、压窄线宽的特点,从而克服上述缺点。实验表明:采用了VBG外腔反馈后,在最好的情况下,LDA的输出光谱宽度从自由运行时的2.3nm压窄到了0.96nm;在测试的环境温度变化范围内(14~31℃),LDA的峰值波长稳定在体光栅布拉格波长808nm处,输出光的线宽雏持在1.14nm之下;并且,在测试的偏置电流变化范围内(7~13A)峰值波长和谱宽无明显变化。 展开更多
关键词 半导体激光器列阵 体全息光栅 稳频 外腔
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980nm高功率列阵半导体激光器
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作者 曲轶 高欣 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第Z01期428-430,共3页
本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(100Hz,100μs)输出功率达到80W(室温),峰值波长为978-981nm。
关键词 分子束外延 半导体激光器 应变量子阱 宽接触结构 输出功率
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激光器件 半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2005年第6期14-17,共4页
TN248.4 2005064083 气态源分子束外延1.3 μm VCSEL器件结构=1.3μm vertical-cavity surface-emitting laser structure grown by GSMBE[刊.中]/刘成(中科院上海微系统与信息技术研 究所,信息功能材料国家重点实验室.上海(200050... TN248.4 2005064083 气态源分子束外延1.3 μm VCSEL器件结构=1.3μm vertical-cavity surface-emitting laser structure grown by GSMBE[刊.中]/刘成(中科院上海微系统与信息技术研 究所,信息功能材料国家重点实验室.上海(200050)),吴 惠桢…∥功能材料与器件学报.-2005,11(2).-173- 176。 展开更多
关键词 半导体激光器列阵 垂直腔面发射激光器 光电子 非线性增益 取样光栅 国家重点实验室 气态源分子束外延 高精度 测试结果 温度控制
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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2008年第4期18-21,共4页
关键词 半导体激光器列阵 外腔半导体激光器 大功率半导体激光器 隧道再生 强度优化设计 垂直腔面发射激光器 有源区 激光工程 量子阱激光器 光电子技术
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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2003年第5期22-24,共3页
TN248.4 2003053365激光二极管相对于铯饱和吸收D<sub>2</sub>线的无调制扰动三次谐波锁频=Third-harmonic locking of a diode laser to cesiumsaturation absorption D<sub>2</sub> line without frequency d... TN248.4 2003053365激光二极管相对于铯饱和吸收D<sub>2</sub>线的无调制扰动三次谐波锁频=Third-harmonic locking of a diode laser to cesiumsaturation absorption D<sub>2</sub> line without frequency dither[刊,中]/刘涛(山西大学光电研究所,量子光学与光量子器件国家重点实验室.山西,太原(030006)),雷宏香…//光学学报.-2002,22(10).-1181-1186将频率调制加在声光调制器上,用三次谐波探测法获得了铯原子D<sub>2</sub>线的三阶微分饱和光谱。采用这种激光器无调制扰动方案结合三次谐波锁频技术。 展开更多
关键词 半导体激光器 三次谐波 国家重点实验室 饱和吸收稳频 量子光学 垂直腔面发射激光器 频率调制 量子器件 声光调制器 调制转移光谱
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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2002年第5期28-30,共3页
TN248.4 2002053402用于全光波长转换的外腔半导体激光器的注入电流选择=Selection of injection current of the external cavitylaser diodes for all-optical wavelength conversion[刊,中]/马军山,耿健新,瞿荣辉,陈高庭,方祖捷(中... TN248.4 2002053402用于全光波长转换的外腔半导体激光器的注入电流选择=Selection of injection current of the external cavitylaser diodes for all-optical wavelength conversion[刊,中]/马军山,耿健新,瞿荣辉,陈高庭,方祖捷(中科院上海光机所.上海(201800))//光学学报.—2001,21(8). 展开更多
关键词 光栅外腔半导体激光器 半导体激光器 输出功率 注入电流 计算机与通信 波长调谐范围 全光波长转换 剩余反射率 光电子 脊形波导激光器
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外腔锁相中二极管列阵相邻单元间不同侧模的耦合系数 被引量:1
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作者 施鹏程 钱凌轩 +2 位作者 陈建国 杨华 陈海波 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期23-24,共2页
推导了锁相外腔中半导体激光器列阵相邻发光单元之间不同阶侧模的耦合系数,计算了耦合系数的幅度与外腔长度的关系。结果表明:幅度的极大值对应的外腔长度随侧模阶次增大而减小,不同阶次侧模耦合系数的最大幅度也随阶次降低而减小。上... 推导了锁相外腔中半导体激光器列阵相邻发光单元之间不同阶侧模的耦合系数,计算了耦合系数的幅度与外腔长度的关系。结果表明:幅度的极大值对应的外腔长度随侧模阶次增大而减小,不同阶次侧模耦合系数的最大幅度也随阶次降低而减小。上述结果意味着;要实现相邻单元间的基侧模耦合锁相,应该把腔长放在对应的极大值附近;同时也预示着如果腔长过短,可能会出现高阶侧模的外腔锁相。 展开更多
关键词 半导体激光器列阵 外腔 锁相 侧模 耦合系数
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