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小功率半导体激光二极管的稳定控制及其在原子实验中的应用 被引量:2
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作者 孙番典 杨世琪 刘琼发 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期10-12,共3页
介绍一种高稳定的半导体激光二极管恒温、稳流控制方式。使用该方式电路 ,室温下半导体激光二极管注入电流波动为 10 - 5,温度波动优于 10 - 4。并介绍高稳定半导体二极管激光在原子超精细跃迁线形吸收谱和塞曼相干共振谱观测中的应用。
关键词 半导体激光二极管 控制技术 原子实验 恒温稳流 线性吸收谱线 塞曼相干共振谱线 电路结构 工作原理
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980nm半导体激光二极管的温度特性 被引量:3
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作者 韦文生 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期558-560,共3页
测试并分析了980nm半导体激光二极管(SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。结果反映:在测试范围内,温度不变时该模块的输出光功率随注入电流的增大而增加,经历了自发辐射和受激放大过程;电流不变时该输出光... 测试并分析了980nm半导体激光二极管(SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。结果反映:在测试范围内,温度不变时该模块的输出光功率随注入电流的增大而增加,经历了自发辐射和受激放大过程;电流不变时该输出光功率随管芯温度的变化基本保持稳定。温度不变的情况下,当注入电流小于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而较快增加,当注入电流大于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而缓慢增加;电流不变时峰值波长、3dB带宽和消光比随温度升高而有所增大。 展开更多
关键词 半导体激光二极管 光谱 输出功率 消光比
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半导体激光二极管检测及安装时安全措施
3
作者 戴明远 《电子测量技术》 2003年第1期52-53,共2页
文中介绍了一种自制的半导体激光二极管检测装置,经生产实际考验证明安全可靠且成本极低。
关键词 半导体激光二极管 检测装置 软启动 安全措施 烙铁温度 接地
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大功率半导体激光二极管阵列加速寿命试验方法 被引量:1
4
作者 王天质 仲莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期473-480,共8页
为了降低大功率半导体激光二极管阵列的寿命评估成本,提出了一种基于威布尔分布,以恒定电流作为加速应力条件的试验方法进行了试验验证。在经过筛选试验剔除不合格品后,共有三组样品在25,27和30 A的电流应力下进行加速寿命试验。样品的... 为了降低大功率半导体激光二极管阵列的寿命评估成本,提出了一种基于威布尔分布,以恒定电流作为加速应力条件的试验方法进行了试验验证。在经过筛选试验剔除不合格品后,共有三组样品在25,27和30 A的电流应力下进行加速寿命试验。样品的寿终判据为输出功率退化达到10%。对样品失效原因进行了分析,记录试验数据并绘制曲线。试验数据分别采用图估计法和数值计算法进行处理。经过对形状参数、特征寿命和平均寿命等参数的对比分析,试验结果验证了该加速寿命试验方法的有效性。 展开更多
关键词 半导体激光二极管阵列 加速寿命试验 威布尔分布 恒定电流应力 图估计法 数值计算法
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外腔中半导体二极管激光阵列的高阶侧模锁定 被引量:3
5
作者 钱凌轩 施鹏程 +3 位作者 陈建国 严地勇 杨华 陈海波 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期539-541,共3页
理论分析了外腔较短情况下,宽条半导体二极管激光阵列(LDA)高阶侧模相位锁定的可能性,观察了包含主、旁瓣结构的多侧模远场光强分布。从实验记录结果可以看出,在旁瓣中出现了标志锁相的峰、谷结构,而且该结构的调制度明显高于主瓣中的... 理论分析了外腔较短情况下,宽条半导体二极管激光阵列(LDA)高阶侧模相位锁定的可能性,观察了包含主、旁瓣结构的多侧模远场光强分布。从实验记录结果可以看出,在旁瓣中出现了标志锁相的峰、谷结构,而且该结构的调制度明显高于主瓣中的峰、谷结构的调制度,结果表明:在外腔较短情况下,LDA高阶侧模相位锁定的现象是存在的。 展开更多
关键词 半导体二极管激光阵列 高阶侧模 外腔 相位锁定
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便携式脉冲调制型医用半导体激光器的驱动电源及光学透镜系统的设计
6
作者 闫振宇 黄时俊 +1 位作者 龚琬玲 陈仲本 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期30-32,共3页
针对脉冲激光器穴位照射治疗的特点,对半导体激光二极管(LD)的驱动电路及光学镜头系统的设计进行了研究。本文设计了一款新型的锂电池供电便携式脉冲医用激光器,介绍了采用脉冲调制恒流驱动的原理以及采用透镜组和电路调整的方法改变激... 针对脉冲激光器穴位照射治疗的特点,对半导体激光二极管(LD)的驱动电路及光学镜头系统的设计进行了研究。本文设计了一款新型的锂电池供电便携式脉冲医用激光器,介绍了采用脉冲调制恒流驱动的原理以及采用透镜组和电路调整的方法改变激光照射功率密度的光学镜头的设计方法。该款脉冲激光器适用于激光体外穴位照射,对激光临床应用有一定的意义。 展开更多
关键词 激光照射 半导体激光二极管 光学镜头系统 脉冲调制 恒流驱动
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半导体激光器的自脉动与被动锁模
7
作者 商以智 甄汉生 +1 位作者 秦小蓉 朱卫民 《激光杂志》 CAS 1988年第2期106-110,共5页
利用普通GaAlA_3双异质结半导体激光器,观察到被动锁模现象。讨论了半导体激光二极管的自脉动、外腔中的诱导自脉动以及被动锁模间的区别与联系。
关键词 半导体激光 被动锁模 自脉动 半导体激光二极管 双异质结 外腔
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半导体二极管激光系统
8
作者 张兵 《激光杂志》 CAS 1988年第4期256-256,228,共2页
本发明是一台用连续波半导体二极管激光器的紧凑而经济的微微秒脉冲发生器。此脉冲发生器可以运用在光通讯、超快计算机或光纤试验中,在千兆赫重复率下产生100%调制的激光。很快还会想到其它的一些高速应用:象试验光开关、快响应探... 本发明是一台用连续波半导体二极管激光器的紧凑而经济的微微秒脉冲发生器。此脉冲发生器可以运用在光通讯、超快计算机或光纤试验中,在千兆赫重复率下产生100%调制的激光。很快还会想到其它的一些高速应用:象试验光开关、快响应探测器和光通讯信道等。 展开更多
关键词 半导体二极管激光 激光系统 秒脉冲发生器 通讯信道 连续波 光通讯 计算机 重复率 千兆赫 光开关
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一种半导体二级管激光稳定控制方法
9
作者 宣龙健 刘诗伟 赵松杰 《现代电子技术》 2012年第23期169-171,共3页
为了解决电流和温度变化对小功率半导体激光二极管工作性能的影响,提出了一种激光稳定控制方法。通过设计恒流电路稳定激光管工作电流,双层温度控制电路稳定激光管工作温度,使半导体激光二极管工作在稳定电流、温度的环境下。结果表明:... 为了解决电流和温度变化对小功率半导体激光二极管工作性能的影响,提出了一种激光稳定控制方法。通过设计恒流电路稳定激光管工作电流,双层温度控制电路稳定激光管工作温度,使半导体激光二极管工作在稳定电流、温度的环境下。结果表明:激光管工作稳定,工作电流波动范围在μA量级,工作温度波动范围在10-2℃量级,达到了设计的要求。 展开更多
关键词 半导体激光二极管 恒流电路 双层温度控制 稳定性控制
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半导体激光器
10
《中国光学》 CAS 2004年第4期18-20,共3页
介绍了单片机控制的半导体激光器的稳光强器,系统地阐述了其工作原理、硬件及软件设计。实验测得,在室温条件下,稳光强器6h输出光强的稳定度达到0.28%。
关键词 锁模半导体激光 工作原理 垂直腔面发射激光 单片机控制 硬件及软件设计 激光器件 国家重点实验室 载流子浓度 稳定度 半导体激光二极管
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光纤光栅可调谐半导体单模超短光脉冲的研究(英文) 被引量:1
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作者 赵春柳 马宁 +5 位作者 袁树忠 丁镭 柳贺良 吕福云 刘志国 董孝义 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期317-320,共4页
本文利用光纤光栅形成外腔反馈 ,得到量子阱半导体激光二极管单模超短光脉冲 .其光谱线宽约为 0 .4nm,脉冲宽度约为 60 ps.并利用调谐装置 ,改变光纤光栅的反射波长 ,得到不同波长的超短光脉冲 ,其波长可长期稳定 .
关键词 光纤光栅 外腔反馈 半导体激光二极管 单模超短光脉冲
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可编程调制的智能化激光二极管驱动电源设计 被引量:3
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作者 邝泳聪 刘桂雄 +1 位作者 危遂薏 郑时雄 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2003年第7期38-40,共3页
设计了一种能对输出电流实现多种波形调制的半导体激光二极管(LD)驱动电源。该驱动电源嵌入单片机,控制灵活,结构简单、性能价格比高。可用于LD和LED的输出光功率直接调制,也适用于LD输出光频率调制,具有通用性。
关键词 半导体激光二极管 驱动电源 输出光功率调制 注入电流
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带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管 被引量:5
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作者 刘翠翠 林楠 +2 位作者 马骁宇 井红旗 刘素平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期110-118,共9页
为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析。首先,对于带有非吸收窗口的二极... 为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析。首先,对于带有非吸收窗口的二极管,在其谐振腔上方前后腔面附近的窗口区域覆盖50 nm Si/100 nm SiO_(2)组合介质层,在远离腔面的增益区域覆盖50 nm Si/100 nm TiO_(2)组合介质层,并采用875℃/90 s快速热处理工艺促进Si杂质扩散诱导量子阱混杂并去除非辐射复合中心。然后,基于相同外延结构、相同流片工艺制备了无非吸收窗口的激光二极管作对照组。测试结果显示,带有非吸收窗口的新型激光二极管平均峰值输出功率提升约33.6%,平均峰值输出电流提升约50.4%,腔面光学灾变损伤的发生概率和破坏程度均明显降低,且其阈值电流、斜率效率及半高全宽等特性也无任何退化。该研究证明,采用Si杂质诱导量子阱混杂技术制备的非吸收窗口,对近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管腔面光学灾变损伤有明显的抑制效果。 展开更多
关键词 半导体激光二极管 腔面光学灾变损伤 量子阱混杂 非吸收窗口
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外腔锁相宽发光区二极管激光列阵研究 被引量:1
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作者 窦汝海 张利平 +4 位作者 张菁 石秀梅 陈建国 施鹏程 钱凌轩 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1417-1420,共4页
利用简单的外腔,实现了具有宽发光区的商用半导体二极管激光列阵(DLA)的外腔锁相。光谱测量表明,DLA的谱宽由自由运行时的1.9nm压缩到了0.16nm,峰值波长由803.8nm调整到805.5nm;实测远场光瓣间角距等于1.6mrad,即波长与发... 利用简单的外腔,实现了具有宽发光区的商用半导体二极管激光列阵(DLA)的外腔锁相。光谱测量表明,DLA的谱宽由自由运行时的1.9nm压缩到了0.16nm,峰值波长由803.8nm调整到805.5nm;实测远场光瓣间角距等于1.6mrad,即波长与发光单元间距之比,表明列阵运行在基超模(或最高阶超模);峰谷结构调制度大于0.8。观察表明,外腔长度在1/10~1/6泰伯距离内变化时,锁相均能实现。实验事实表明锁相是交叉注人锁定的结果。利用半导体激光注人锁定理论,定性分析了外腔DLA由自由振荡向锁相过渡的过程,预言了锁相场波长应出现在自由运行DLA光谱长波端,实验也证实了这一事实。 展开更多
关键词 半导体二极管激光列阵 外腔 锁相 注人锁定
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单片集成的低暗电流1.3μm激光二极管和探测器芯片
15
作者 丘文夫 林中晞 苏辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第12期273-277,共5页
为了在单片上实现半导体激光二极管与探测器的集成,开展了外延材料生长及结构工艺的设计研究。通过刻蚀工艺引入隔离区的方法制备了集成背光探测器的1.3μm InGaAsP/InP半导体激光二极管芯片。管芯的光电性能测试显示,激光二极管具有较... 为了在单片上实现半导体激光二极管与探测器的集成,开展了外延材料生长及结构工艺的设计研究。通过刻蚀工艺引入隔离区的方法制备了集成背光探测器的1.3μm InGaAsP/InP半导体激光二极管芯片。管芯的光电性能测试显示,激光二极管具有较低的阈值电流17.62 m A,较高的斜率效率0.13 m W/mA,输出功率可达11 m W;在-0.7 V的反向偏压下,探测器区域对光信号具有良好的线性响应,MPD的光电流超过0.3 m A,在-1.7 V的反向偏压下,暗电流可低至25 nA。 展开更多
关键词 半导体激光二极管 背光探测器 隔离区 低暗电流
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探测器扫描法测量激光二极管的远场三维分布
16
作者 刘明明 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期9-10,共2页
改进了探测器扫描法测试半导体激光二极管(1D)光束发散角,采用"逐角扫描组合"结合计算机模拟处理的方式,不仅可以得到LD长短轴方向的光强分布,也可以得到空间光强分布。克服了面阵CCD测量法存在测量成本高、测试速度慢等问题... 改进了探测器扫描法测试半导体激光二极管(1D)光束发散角,采用"逐角扫描组合"结合计算机模拟处理的方式,不仅可以得到LD长短轴方向的光强分布,也可以得到空间光强分布。克服了面阵CCD测量法存在测量成本高、测试速度慢等问题。定量讨论了扫描法与CCD测量法之间的偏差,结果表明对于发散角较大的垂直发散角θ┸上,扫描测试结果需要校正。 展开更多
关键词 半导体激光二极管 光束质量 探测器扫描 逐角扫描
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宽发光区二极管激光阵列的侧模简单研究
17
作者 窦汝海 陈建国 +1 位作者 静国梁 鲁雯 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1-4,共4页
宽发光区二极管激光阵列的侧模分布十分复杂,很难将各阶侧模区分出进行单独研究。本文利用多光束相干合束理论给出了宽发光区二极管激光阵列相干合束远场分布的表达式,在此基础上获知远场光强分布的包络线由发光单元的侧模决定。从实验... 宽发光区二极管激光阵列的侧模分布十分复杂,很难将各阶侧模区分出进行单独研究。本文利用多光束相干合束理论给出了宽发光区二极管激光阵列相干合束远场分布的表达式,在此基础上获知远场光强分布的包络线由发光单元的侧模决定。从实验记录结果可以看出,利用外腔镜对宽发光区二极管激光阵列进行锁相,将某阶侧模锁定(其中基侧模最容易实现),抑制其他阶侧模,并获得相干合束的远场光强分布图。将理论分析结果与实验结果进行对比,能较好的吻合。结果表明,虽然LDA侧模结构复杂,较难分析,但可借助于宽发光区二极管激光阵列相干锁相分析侧模结构。所得结果表明利用宽发光区二极管激光阵列发光单元的侧模可以改善宽发光区二极管激光阵列光束质量。 展开更多
关键词 半导体二极管激光阵列 锁相 多光束干涉 侧模
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本质安全型低照度视频采集激光辅助光源设计 被引量:6
18
作者 李文峰 蔡蓬勃 《工矿自动化》 北大核心 2019年第1期13-17,共5页
针对现有低照度视频采集辅助光源存在功耗高、体积大、照射距离近、隐蔽性差等问题,提出了一种本质安全型低照度视频采集激光辅助光源设计方案。选用光源波长为940nm的半导体激光二极管,利用多模光纤、匀光片和透镜使半导体激光二极管... 针对现有低照度视频采集辅助光源存在功耗高、体积大、照射距离近、隐蔽性差等问题,提出了一种本质安全型低照度视频采集激光辅助光源设计方案。选用光源波长为940nm的半导体激光二极管,利用多模光纤、匀光片和透镜使半导体激光二极管输出光束形状规则、光照强度均匀;本质安全型驱动电路采用恒流驱动方式,具有过压、防反接和防静电保护;通过散热装置降低半导体激光二极管工作温度,使激光辅助光源能长时间稳定工作。测试结果表明,该激光辅助光源照射距离可达20m,功耗小于3 W,持续工作温度低于50℃。 展开更多
关键词 视频监控系统 低照度视频采集 辅助光源 本质安全型 半导体激光二极管
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LD端泵Nd:GdVO_4/KTP腔内倍频绿光激光器的研究
19
作者 林浪 陈振强 +3 位作者 王如刚 张戈 李真 陈义红 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期70-73,共4页
报道了半导体激光二极管(LD)端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,KTP晶体腔内倍频实现了531.7 nm连续波绿色激光器.采用简单、紧凑的平凹直腔结构,当注入泵浦的功率为12W时,得到了372 mW的稳定绿光输出,光-光转换效率为3.1%.功率稳定性半小时内优于&... 报道了半导体激光二极管(LD)端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,KTP晶体腔内倍频实现了531.7 nm连续波绿色激光器.采用简单、紧凑的平凹直腔结构,当注入泵浦的功率为12W时,得到了372 mW的稳定绿光输出,光-光转换效率为3.1%.功率稳定性半小时内优于±1.2%. 展开更多
关键词 半导体激光二极管 ND:GDVO4 腔内倍频 相位匹配角
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小型低值LD激光测距仪的研制 被引量:5
20
作者 张在宣 郭宁 +1 位作者 余向东 吴孝彪 《应用光学》 CAS CSCD 2000年第C00期9-13,共5页
研制成一种小型 ,低值 ,便携式 ,对人眼安全 ,无合作目标的LF - 1型系列LD激光测距仪。激光波长 90 5nm ,激光峰值功率 10W ,脉宽 2 5ns,重复频率 10 0Hz ;系统的测距范围 14—10 0 0m ,测距精度 <± 1m ,有多种工作模式 ,具有... 研制成一种小型 ,低值 ,便携式 ,对人眼安全 ,无合作目标的LF - 1型系列LD激光测距仪。激光波长 90 5nm ,激光峰值功率 10W ,脉宽 2 5ns,重复频率 10 0Hz ;系统的测距范围 14—10 0 0m ,测距精度 <± 1m ,有多种工作模式 ,具有省电功能。LF1LRF是一种光子雷达系统 ,它的测距能力优于其它低值的半导体激光测距仪。 展开更多
关键词 半导体激光二极管 激光测距仪 光子测距
全文增补中
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