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基于迭代算法的半导体光放大器动态模型构建被引量：2: 1; 作者徐贵勇胡立发 +2 位作者邓灿冉张士勋楚广勇《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期255-260,共6页; 为了分析并精确预测半导体光放大器的性能,对InP-InGaAsP均匀掩埋的半导体光放大器建立了一种有效的数学模型,考虑了自发辐射与受激辐射之间的关系,实时模拟分析了偏置电流、输入功率对增益和噪声指数的影响。结果表明,在偏置电流为120m... 展开更多; 关键词光通信半导体光放大器模型噪声指数增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

正对电极结构碳化硅光导开关的电路模型被引量：2: 2; 作者王朗宁荀涛杨汉武《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2471-2476,共6页; 利用SilvacoTCAD软件,在532nm激光辐照下,对正对电极结构6H-SiC光导开关(SiC-PCSS)瞬态电流电场的分布及不同光功率下的伏安特性进行了仿真。结果表明:载流子速率在强场下达到饱和,并且电流电场在主要电流区域沿垂直于激光辐照方向均匀... 展开更多; 关键词光导开关半导体模型 PSPICE模型电路参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于自动微分技术的器件模型参数提取算法: 3; 作者程彬杰邵志标 +2 位作者王莉萍于忠唐天同《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期8-13,共6页; 自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约... 展开更多; 关键词自动微分参数提取金属-氧化物-半导体场效应晶体管模型半导体器件模型集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs MESFET开关模型: 4; 作者陈新宇陈继义 +3 位作者郝西萍李拂晓邵凯杨乃彬《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第2期85-87,共3页; 本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。; 关键词开关模型金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能被引量：4: 5; 作者彭真阴生毅 +3 位作者郑强王欣欣王宇李阳《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期754-757,共4页; 为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaOSc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线,并探讨了发射机制。结果表明,在1100?C工作温度下,该阴极的零场发射... 展开更多; 关键词钪型阴极半导体模型脉冲激光沉积非正常肖特基效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si/Si键合结构的电学性质测量及模拟: 6; 作者陈松岩何国荣谢生《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期381-386,共6页; 研究Si/Si键合的电学性质对于界面研究和微电子器件的制备有着重要意义。分析了亲水处理方法键合的不同Si/Si键合结构的I-V特性,然后用SOS模型对n-Si/n-Si的C-V特性做了计算机辅助模拟,并和实际C-V曲线比较得出了平带电压VFB和界面态密... 展开更多; 关键词半导体物理键合半导体/氧化层/半导体模型(SOS) 界面态; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米pHEMT器件的建模被引量：1: 7; 作者韩育高学邦《微纳电子技术》 CAS 2003年第12期35-38,共4页; 针对0.25μmpHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materka模型提高了模型的模拟精度。已建立的两种0.25μmpHEMT模型已用于毫米波VCO和PA的设计中。; 关键词深亚微米 PHEMT器件脉冲测试非线性等效电路模型半导体器件模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究被引量：1: 8; 作者袁寿财刘亚媚《电子器件》 CAS 2008年第5期1523-1528,共6页; 由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟... 展开更多; 关键词碳纳米管场效应晶体管弹道输运器件模拟量子效应半导体器件模型超薄衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

艰难困苦玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士: 9; 作者挽弓《中国集成电路》 2010年第12期19-23,27,共6页; 本期高端人士介绍：张锡盛，清华大学微电子专业博士，师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后，师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国... 展开更多; 关键词博士后半导体器件模型 BSIM3模型锡总裁清华大学美国硅谷中科院院士; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于迭代算法的半导体光放大器动态模型构建被引量：2: 1; 作者徐贵勇胡立发邓灿冉张士勋楚广勇; 机构江南大学理学院国家超级计算无锡中心江苏省轻工光电工程技术研究中心江苏省模式识别与计算智能工程实验室; 出处《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期255-260,共6页; 基金国家重点研发计划资助项目(2017YFC1502203) 国家自然科学基金面上资助项目(61475152) +3 种基金 JUSRP11829) 江苏省“六大人才高峰”资助项目(2016-GDZB-011)。; 文摘为了分析并精确预测半导体光放大器的性能,对InP-InGaAsP均匀掩埋的半导体光放大器建立了一种有效的数学模型,考虑了自发辐射与受激辐射之间的关系,实时模拟分析了偏置电流、输入功率对增益和噪声指数的影响。结果表明,在偏置电流为120mA、输入功率为-10dBm时,半导体光放大器的性能最佳。该模型能够对半导体光放大器的设计提供一定的借鉴。; 关键词光通信半导体光放大器模型噪声指数增益; Keywords optical communication semiconductor optical amplifier model noise figure gain; 分类号 TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名正对电极结构碳化硅光导开关的电路模型被引量：2: 2; 作者王朗宁荀涛杨汉武; 机构国防科学技术大学光电科学与工程学院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2471-2476,共6页; 文摘利用SilvacoTCAD软件,在532nm激光辐照下,对正对电极结构6H-SiC光导开关(SiC-PCSS)瞬态电流电场的分布及不同光功率下的伏安特性进行了仿真。结果表明:载流子速率在强场下达到饱和,并且电流电场在主要电流区域沿垂直于激光辐照方向均匀分布。提出SiC-PCSS电路模型的建模依据,可以近似条件化简得到PCSS电阻一般表达式的解,建立SiC-PCSS载流子迁移率随电场变化的PSpice模型,分析讨论了外电路参数对SiC-PCSS导通过程的影响。该模型模拟结果与已有实验结果吻合良好。; 关键词光导开关半导体模型 PSPICE模型电路参数; Keywords photoconductive semiconductor switch semiconductor model PSpice model exterior electric parameter; 分类号 TM836 [电气工程—高电压与绝缘技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于自动微分技术的器件模型参数提取算法: 3; 作者程彬杰邵志标王莉萍于忠唐天同; 机构西安交通大学电子科学与技术系; 出处《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期8-13,共6页; 文摘自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约束条件的参数提取。结果表明 ,算法收敛快、稳定性好。; 关键词自动微分参数提取金属-氧化物-半导体场效应晶体管模型半导体器件模型集成电路; Keywords automatic differentiation parameter extraction object oriented programming MOSFET model; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs MESFET开关模型: 4; 作者陈新宇陈继义郝西萍李拂晓邵凯杨乃彬; 机构南京电子器件研究所; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第2期85-87,共3页; 文摘本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。; 关键词开关模型金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路; Keywords Switch, Model, MESFET, MMIC; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能被引量：4: 5; 作者彭真阴生毅郑强王欣欣王宇李阳; 机构中国科学院电子学研究所中国科学院大学; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期754-757,共4页; 文摘为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaOSc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线,并探讨了发射机制。结果表明,在1100?C工作温度下,该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm2;阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。; 关键词钪型阴极半导体模型脉冲激光沉积非正常肖特基效应; Keywords Scandate cathode Semiconductor model Pulse Laser Deposition （PLD） Abnormal Schottky effect; 分类号 O462 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si/Si键合结构的电学性质测量及模拟: 6; 作者陈松岩何国荣谢生; 机构厦门大学物理系; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期381-386,共6页; 基金国家自然科学基金资助(60006004); 文摘研究Si/Si键合的电学性质对于界面研究和微电子器件的制备有着重要意义。分析了亲水处理方法键合的不同Si/Si键合结构的I-V特性,然后用SOS模型对n-Si/n-Si的C-V特性做了计算机辅助模拟,并和实际C-V曲线比较得出了平带电压VFB和界面态密度Din,这些结果对于键合的界面性质的了解和研究都是有意义的。; 关键词半导体物理键合半导体/氧化层/半导体模型(SOS) 界面态; Keywords semiconductor physics bonding Si/SiO2/Si model (SOS) interface states; 分类号 O472.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米pHEMT器件的建模被引量：1: 7; 作者韩育高学邦; 机构河北科技大学中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《微纳电子技术》 CAS 2003年第12期35-38,共4页; 文摘针对0.25μmpHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materka模型提高了模型的模拟精度。已建立的两种0.25μmpHEMT模型已用于毫米波VCO和PA的设计中。; 关键词深亚微米 PHEMT器件脉冲测试非线性等效电路模型半导体器件模型; Keywords deep sub-micron pHEMT pulsed test modeling; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究被引量：1: 8; 作者袁寿财刘亚媚; 机构赣南师范学院物理与电子信息学院; 出处《电子器件》 CAS 2008年第5期1523-1528,共6页; 基金江西省教育厅项目资助(GJJ08380); 文摘由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化。; 关键词碳纳米管场效应晶体管弹道输运器件模拟量子效应半导体器件模型超薄衬底; Keywords CNTFET Ballistic Device Simulation Quantum Effects Semiconductor Device Modeling Ultra_Thin Body; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名艰难困苦玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士: 9; 作者挽弓; 出处《中国集成电路》 2010年第12期19-23,27,共6页; 文摘本期高端人士介绍：张锡盛，清华大学微电子专业博士，师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后，师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国硅谷的著名Celestry Design Technologies，Inc．公司担任研发副总经理，领导团队成功开发了一系列的EDA软件工具，并在此期间申请了多个美国专利。张锡盛博士对SPICE仿真软件、器件模型、数值计算、器件测量等都有很深的研究。; 关键词博士后半导体器件模型 BSIM3模型锡总裁清华大学美国硅谷中科院院士; 分类号 F416.63 [经济管理—产业经济]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于迭代算法的半导体光放大器动态模型构建	徐贵勇胡立发邓灿冉张士勋楚广勇	《激光技术》 CAS CSCD 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	正对电极结构碳化硅光导开关的电路模型	王朗宁荀涛杨汉武	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于自动微分技术的器件模型参数提取算法	程彬杰邵志标王莉萍于忠唐天同	《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaAs MESFET开关模型	陈新宇陈继义郝西萍李拂晓邵凯杨乃彬	《微波学报》 CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能	彭真阴生毅郑强王欣欣王宇李阳	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Si/Si键合结构的电学性质测量及模拟	陈松岩何国荣谢生	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	深亚微米pHEMT器件的建模	韩育高学邦	《微纳电子技术》 CAS	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究	袁寿财刘亚媚	《电子器件》 CAS	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	艰难困苦玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士	挽弓	《中国集成电路》	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料